公开(公告)号：CN103208499A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310002058.5

申请日：2013-01-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 守谷仁 ,  山下和芳 ,  森裕之 ,  石渡宏明

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H04N5/23212 ,  G02B7/365 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14638 ,  H04N5/335 ,  H04N5/3696

Abstract: 本发明提供固态成像器件和包括该固态成像器件的电子装置，所述成像器件包括：焦点检测像素，其具有遮光膜，对接收的光束执行光瞳分割和光电转换，并获取相位差检测信号，所述遮光膜形成在光电转换部的光接收表面上，并在所述光接收表面的一部分中遮蔽光。所述遮光膜形成为避开用于从所述光电转换部读取信号电荷的读取栅部的栅极。根据本发明，能够在保持高的相位差检测精度的同时实现作为相位差检测方法的优点的快速AF操作。

公开(公告)号：CN102969323A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210300897.0

申请日：2012-08-22

Applicant: 索尼公司

Inventor： 守谷仁 ,  石渡宏明 ,  山下和芳 ,  森裕之

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1461 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14645

Abstract: 本发明涉及固态摄像装置及包括该固态摄像装置的电子设备。所述摄像装置包括：第一光电转换元件，其具有形成于半导体基板内部的第一导电型第一半导体区域；第二光电转换元件，其具有形成于所述半导体基板的比所述第一光电转换元件的位置深的第一导电型第二半导体区域；栅电极，其层叠在所述半导体基板上；浮动扩散区域，向所述浮动扩散区域传输所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件中累积的电荷；和第一导电型第三半导体区域，其在所述半导体基板的深度方向上在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域之间布置成在俯视观察时与所述栅电极重叠。根据本发明，能够降低电荷传输特性的恶化，从而获得更优良的图像质量。

公开(公告)号：CN1797057A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510135147.2

申请日：2005-12-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 森裕之

IPC: G02B7/02

CPC classification number: G02B7/026 ,  G02B7/102

Abstract: 本发明披露了一种组装组合透镜的多个单透镜、以使单透镜的光轴相互对准的方法。该方法包括：通过一对卡紧单元按压分别设置在圆筒形隔离物的相对侧上的单透镜以使其紧靠隔离物，其中，卡紧单元具有相互对准的中心轴，并能够在平行于单透镜光轴的方向上移动；以及，在位于隔离物的相对侧上的单透镜的曲面分别与包括在垂直于光轴的平面中的卡紧单元的接触面和隔离物的接触面相接触、并且单透镜和隔离物自动定心的情况下，通过固定方式将单透镜固定到隔离物上。

公开(公告)号：CN103545333A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310461269.5

申请日：2010-10-29

Applicant: 索尼公司

Inventor： 坂野赖人 ,  阿部高志 ,  马渕圭司 ,  铃木亮司 ,  森裕之 ,  工藤义治 ,  古闲史彦 ,  柳田刚志 ,  太田和伸

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H04N5/361 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/2176 ,  H04N5/374 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明涉及固体摄像器件和电子设备。该固体摄像器件包括：通过感光表面接收光并且产生信号电荷的光电转换单元；以及在像素区中设有用来将由光电转换单元产生的信号电荷输出的像素晶体管的半导体基板。所述像素区包括：其中布置有有效像素的有效像素区；以及设在所述有效像素区附近并且其中布置有遮光像素的遮光区。所述遮光区还包括：放电区，在该区中，用于将从所述有效像素区泄漏出的信号电荷排放出的放电像素布置成遮光像素；以及光学黑区，在该区中布置有光学黑像素作为遮光像素，并且所述相应的放电区设在所述有效像素区和所述光学黑区之间。根据本发明，能够提供改善图像质量的固体摄像器件和电子设备。

公开(公告)号：CN102082153B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201010524878.7

申请日：2010-10-29

Applicant: 索尼公司

Inventor： 坂野赖人 ,  阿部高志 ,  马渕圭司 ,  铃木亮司 ,  森裕之 ,  工藤义治 ,  古闲史彦 ,  柳田刚志 ,  太田和伸

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/361 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/2176 ,  H04N5/374 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明涉及固体摄像器件、其制造方法、照相机和电子设备。该固体摄像器件包括：光电二极管，其具有第一导电型半导体区，为呈矩阵形式布置在半导体基板的感光表面上的每个像素分别形成；第一导电型传输栅极电极；信号读取单元；以及反型层感应电极，其在覆盖一部分或整个所述光电二极管的区域中隔着所述栅极绝缘层形成在所述半导体基板上，并且由功函大于所述传输栅极电极的功函的导体或半导体构成，其中，感应出反型层，这是通过所述反型层感应电极在所述半导体区的所述反型层感应电极侧的表面上累积第二导电型载流子来形成的。根据本发明，能够提供改善图像质量的固体摄像器件。

公开(公告)号：CN102082153A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010524878.7

申请日：2010-10-29

Applicant: 索尼公司

Inventor： 坂野赖人 ,  阿部高志 ,  马渕圭司 ,  铃木亮司 ,  森裕之 ,  工藤义治 ,  古闲史彦 ,  柳田刚志 ,  太田和伸

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N5/361 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/2176 ,  H04N5/374 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明涉及固体摄像器件、其制造方法、照相机和电子设备。该固体摄像器件包括：光电二极管，其具有第一导电型半导体区，为呈矩阵形式布置在半导体基板的感光表面上的每个像素分别形成；第一导电型传输栅极电极；信号读取单元；以及反型层感应电极，其在覆盖一部分或整个所述光电二极管的区域中隔着所述栅极绝缘层形成在所述半导体基板上，并且由功函大于所述传输栅极电极的功函的导体或半导体构成，其中，感应出反型层，这是通过所述反型层感应电极在所述半导体区的所述反型层感应电极侧的表面上累积第二导电型载流子来形成的。根据本发明，能够提供改善图像质量的固体摄像器件。