公开(公告)号：CN112201666B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202010927549.0

申请日：2015-12-11

Applicant: 索尼公司

Inventor： 渡部泰一郎 ,  中村良助 ,  佐藤友亮 ,  古闲史彦

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/62 ,  H04N25/78 ,  H04N25/70 ,  H04N25/77

Abstract: 本发明涉及固体摄像器件和电子装置。其中，所述固体摄像器件在半导体基板内的受光面侧处可包括：电荷保持部，所述电荷保持部响应于入射光而产生电荷并保持所述电荷；溢出沟道部，在所述电荷保持部处达到饱和的所述电荷被排放到所述溢出沟道部中；势垒部，所述势垒部成为从所述电荷保持部向所述溢出沟道部流动的所述电荷的壁垒，以及第一垂直晶体管，所述第一垂直晶体管从所述半导体基板的与所述受光面相反的表面被形成，并且从所述电荷保持部读取所述电荷。

公开(公告)号：CN107146850B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201710116479.9

申请日：2017-03-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  古闲史彦 ,  山口哲司 ,  平田晋太郎 ,  渡部泰一郎 ,  安藤良洋

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H10K39/32 ,  H10K30/60 ,  H10K30/80

Abstract: 本发明提供了一种成像元件。所述成像元件可包括：基板，所述基板具有第一光电转换单元；以及第二光电转换单元，所述第二光电转换单元位于所述基板的光入射侧。所述第二光电转换单元可以包括：光电转换层；第一电极；位于所述光电转换层上方的第二电极；第三电极；以及位于所述第三电极与所述光电转换层之间的绝缘材料，其中，所述绝缘材料的一部分位于所述第一电极与所述第三电极之间。

公开(公告)号：CN108886045B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201780018716.6

申请日：2017-03-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 渡部泰一郎 ,  古闲史彦

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/62 ,  H04N25/70 ,  H04N25/76

Abstract: 本公开涉及一种固态成像装置和电子设备，在开口像素中出现过度曝光的情况下可以减小对OPB像素的影响。作为本公开的一个方面的固态成像装置具有第一光电转换部、形成在基板之外的上电极和下电极，第一光电转换部根据入射光执行光电转换，上电极和下电极形成为夹入第一光电转换部。固态成像装置包括：开口像素，其设置在像素阵列上，并生成正常像素信号；OPB像素，其设置在像素阵列的端部处，并且生成表示暗电流分量的像素信号；以及电荷释放部，其设置在开口像素与OPB像素之间，并释放从开口像素流出的电荷。本公开可以应用于背照式垂直分光CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN109983579B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN201780070841.1

申请日：2017-11-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 古川明 ,  安藤良洋 ,  富樫秀晃 ,  古闲史彦

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30 ,  H01L51/44 ,  H01L51/42

Abstract: 提供了一种包括通过层叠第一电极、光电转换层和第二电极而形成的光电转换单元的摄像元件。所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被设置成与所述第一电极间隔开并且被设置成经由绝缘层面对所述光电转换层。所述光电转换单元由N个光电转换单元段形成，并且这同样适用于所述光电转换层、所述绝缘层和所述电荷存储电极。第n个光电转换单元段由第n个电荷存储电极段、第n个绝缘层段和第n个光电转换层段形成。随着n增大，所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远。所述绝缘层段的厚度从第一个光电转换单元段到第N个光电转换单元段逐渐变化。

公开(公告)号：CN112119500A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201980031496.X

申请日：2019-04-19

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 定荣正大 ,  村田贤一 ,  古闲史彦 ,  八木岩 ,  平田晋太郎 ,  富樫秀晃 ,  齐藤阳介

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088 ,  H01L27/30 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H04N5/374

Abstract: 提供了一种具有像素晶体管和配线的固态摄像元件及其制造方法，固态摄像元件在抑制制造成本增加的同时，能够从层叠的光电转换膜有效地输出并传输像素信号。提供了这样的固态摄像元件，其包括：半导体基板；第一光电转换单元，设置在半导体基板上；及控制单元，被设置成与第一光电转换单元层叠，且包括用于控制第一光电转换单元的多个像素晶体管，其中，第一光电转换单元包括：第二电极；第一光电转换膜，设置在第二电极的上方，并且将光转换为电荷；以及第一电极，设置在第一光电转换膜上，多个像素晶体管包括放大晶体管，放大晶体管对电荷进行放大并将电荷作为像素信号输出，并且放大晶体管的沟道形成区由氧化物半导体层形成。

公开(公告)号：CN105009292B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201480011582.1

申请日：2014-05-09

Applicant: 索尼公司

Inventor： 中村良助 ,  古闲史彦 ,  渡部泰一郎

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种固态摄像器件，其包括：半导体基板(21)；光电二极管(11A，11B)，其形成在所述半导体基板中；晶体管(10)，其具有部分或全部嵌入所述半导体基板中的栅极电极，所述晶体管被构造成经由所述栅极电极从所述光电二极管读取信号电荷；以及电荷传输层(13)，其设置在所述栅极电极与所述光电二极管之间。

公开(公告)号：CN104412575A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380034178.1

申请日：2013-06-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 中村良助 ,  古闲史彦 ,  永野川晴久

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/359 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H04N5/3594 ,  H04N5/3745

Abstract: 本技术涉及允许具有溢流结构的像素的实际应用的固态成像器件、驱动方法、以及电子设备。低驱动能力晶体管产生要输入到具有溢流结构的像素的转移晶体管的栅电极的转移信号。高驱动能力晶体管并联连接到低驱动能力晶体管，并且产生转移脉冲。在驱动低驱动能力晶体管之后，驱动电路将低驱动能力晶体管停止，并且驱动高驱动能力晶体管。本技术例如能够应用于CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN101826539A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010125195.4

申请日：2010-02-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 古闲史彦 ,  工藤义治

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明涉及固态图像捕获装置、制造该装置的方法以及图像捕获设备。固态图像捕获装置在半导体基底中包括：光电转换部分，对入射光执行光电转换以获得信号电荷；像素晶体管部分，将光电转换部分中产生的信号电荷输出；外围电路部分，形成在包括光电转换部分和像素晶体管部分的像素部分的外围；以及隔离区域，形成为将光电转换部分、像素晶体管部分和外围电路部分彼此电气分离。像素晶体管部分外围的隔离区域每个具有形成为高于半导体基底的表面的绝缘部分。像素晶体管部分的晶体管的第一栅电极形成在绝缘部分之间并且形成在半导体基底上使得两者之间夹置栅绝缘膜。

公开(公告)号：CN119092520A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411071073.X

申请日：2019-06-11

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  八木岩 ,  定荣正大 ,  古闲史彦 ,  村田贤一 ,  平田晋太郎 ,  齐藤阳介 ,  古川明

IPC: H01L27/146 ,  H10K39/32 ,  H10K39/38 ,  H10K71/00 ,  H04N25/70

Abstract: 本发明提供了能够增强特性的固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法。本发明提供了一种固态成像元件(10)，包括：层叠结构，所述层叠结构具有：半导体基板(500)；第一光电转换部(PD 200)，所述第一光电转换部设置在所述半导体基板的上方，并将光转换为电荷；和第二光电转换部(PD 100)，所述第二光电转换部设置在所述第一光电转换部的上方，并将光转换为电荷。所述第一光电转换部和所述第二光电转换部具有光电转换层叠结构，在所述光电转换层叠结构中层叠有共通电极(102,202)、光电转换膜(104,204)和读出电极(108,208)，使得所述第一光电转换部和所述第二光电转换部以垂直于所述层叠结构的层叠方向的垂直面作为对称轴而彼此呈线对称关系。

公开(公告)号：CN115881743A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211473759.2

申请日：2017-11-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 古川明 ,  安藤良洋 ,  富樫秀晃 ,  古闲史彦

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/70 ,  H04N25/60 ,  H04N25/59

Abstract: 本发明涉及摄像元件、层叠型摄像元件和摄像装置。摄像元件包括具有第一电极、光电转换层、第二电极、绝缘层和电荷存储电极的光电转换单元。所述绝缘层包括N个绝缘层段，其中N大于或等于2。所述电荷存储电极与所述第一电极间隔开，并且被设置成使得所述绝缘层位于所述电荷存储电极和所述光电转换层之间。所述光电转换单元包括N个光电转换单元段，第n个光电转换单元段包括所述电荷存储电极、第n个绝缘层段和所述光电转换层，其中n＝1,2,3...,N，随着n值增大，所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远，并且第1个光电转换单元段中的所述绝缘层段的厚度不同于第N个光电转换单元段中的所述绝缘层段的厚度。