固态成像装置和电子设备

    公开(公告)号:CN110289276A

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201910497259.4

    申请日:2013-07-08

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 这里描述固态成像装置以及制造固态成像装置的方法。作为示例,该固态成像装置包括形成在传感器基板上的第一配线层和形成在电路基板上的第二配线层。传感器基板连接到电路基板,第一配线层和第二配线层设置在传感器基板和电路基板之间。第一电极形成在第一配线层的表面上,并且第二电极形成在第二配线层的表面上。第一电极与第二电极电接触。

    成像装置、电子设备以及制造成像装置的方法

    公开(公告)号:CN104347658B

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201410354004.X

    申请日:2014-07-23

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 成像装置包括:光电二极管,构造为执行光电转换并且根据光接收量产生电荷;浮置扩散部,构造为累积光电二极管中产生的电荷;读取电路,构造为输出像素信号,该像素信号具有根据浮置扩散部中累积电荷水平的电压,该读取电路包括一个或多个晶体管,其中每个晶体管的栅极电连接至用于选择像素的配线;以及绝缘部,延伸至浮置扩散部的部分或整个底面中、一个或多个晶体管中源漏区域的部分或整个底面中或者同时延伸至这两者中。光电二极管、浮置扩散部、读取电路以及绝缘部设置在半导体层中。

    固态成像装置和电子设备

    公开(公告)号:CN104428897B

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201380036841.1

    申请日:2013-07-08

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 这里描述固态成像装置以及制造固态成像装置的方法。作为示例,该固态成像装置包括形成在传感器基板上的第一配线层和形成在电路基板上的第二配线层。传感器基板连接到电路基板,第一配线层和第二配线层设置在传感器基板和电路基板之间。第一电极形成在第一配线层的表面上,并且第二电极形成在第二配线层的表面上。第一电极与第二电极电接触。

    成像装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109599407A

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201811220578.2

    申请日:2014-03-27

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 本发明涉及成像装置。该成像装置可包括:基板;基板中的第一、第二和第三光电转换区域,第二光电转换区域邻近于第一光电转换区域,第三光电转换区域邻近于第二光电转换区域;第一沟槽,位于第一和第二光电转换区域之间;以及第二沟槽,位于第二和第三光电转换区域之间,其中,在横截面上,第一光电转换区域的面积大于第二光电转换区域的面积,第一沟槽沿第一光电转换区域的第一侧壁延伸第一距离,第一距离是沿第一侧壁从第一光电转换区域的第一光接收表面至第一沟槽的端部测定的,第二沟槽沿第二光电转换区域的第二侧壁延伸第二距离,第二距离是沿第二侧壁从第二光电转换区域的第二光接收表面至第二沟槽的端部测定的,第一距离大于第二距离。

    成像装置和电子设备
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106067468A

    公开(公告)日:2016-11-02

    申请号:CN201610639444.9

    申请日:2012-02-23

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 本发明涉及一种成像装置和电子设备,可以提供诸如光学混色减少等特性改善的成像装置。此外,提供了使用所述成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部(40)的固态成像装置中,形成有绝缘膜(21)埋入其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成,所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面,所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。

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