-
公开(公告)号：CN117202753A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311061806.7
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼公司
Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
-
公开(公告)号：CN1324629C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN03124364.9
申请日：2003-03-26
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/127
Abstract: 一种用于制造冷阴极场发射器件的方法，包括步骤：形成阴极电极，该阴极电极有在其底部露出支撑件的孔，并由不透射曝光光线的材料构成且沿第一方向延伸；形成由透射曝光光线的感光材料构成的绝缘层；形成由感光材料构成并沿着与第一方向不同的第二方向延伸的栅电极；通过从背表面侧曝光形成开口部并露出阴极电极；形成由感光材料构成的电子发射部形成层，通过曝光和显影在阴极电极上形成电子发射部。
-
公开(公告)号：CN1298196A
公开(公告)日：2001-06-06
申请号：CN00138066.4
申请日：2000-11-11
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01J7/186 , H01J29/94 , H01J2329/00
Abstract: 本发明提供了一种消气部件,它包含有一个形成在基底之上的、并且具有凸凹状表面的、或是由多孔材料元件构成的支撑元件,以及一个形成在支撑元件上的、其形状与支撑元件的表面形状相吻合的气体捕获层。
-
公开(公告)号：CN109952652A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201780070351.1
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼公司
Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
-
公开(公告)号：CN1447369A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03124364.9
申请日：2003-03-26
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/127
Abstract: 一种用于制造冷阴极场发射器件的方法，包括步骤：形成阴极电极，该阴极电极有在其底部露出支撑件的孔，并由不透射曝光光线的材料构成且沿第一方向延伸；形成由透射曝光光线的感光材料构成的绝缘层；形成由感光材料构成并沿着与第一方向不同的第二方向延伸的栅电极；通过从背表面侧曝光形成开口部并露出阴极电极；形成由感光材料构成的电子发射部形成层，通过曝光和显影在阴极电极上形成电子发射部。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117202754A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311062325.8
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼公司
Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
-
公开(公告)号：CN117202752A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311059948.X
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼公司
Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
-
公开(公告)号：CN109952652B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201780070351.1
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H10K39/32 , H10K85/60 , H10K101/30
Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
-
公开(公告)号：CN102893450A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180024838.9
申请日：2011-05-17
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 公开了具有较高转换效率的光电转换器件，和用于制造该光电转换器件的方法。光电转换器件包括工作电极，其具有透明电极(2)和在透明电极(2)表面上形成的担载染料的多孔金属氧化物半导体层；对立电极(5)；和电解质层(4)，氧化物半导体层表面羟基的浓度等于或大于0.01个/(nm)2且等于或小于4.0个/(nm)2，吸附水的浓度等于或大于0.03个/(nm)2且等于或小于4.0个/(nm)2。制造光电转换器件的方法包括：第一步，在透明电极(2)的表面形成多孔金属氧化物半导体层(3)；第二步，处理在氧化气氛下进行低温等离子体处理将氧化物半导体层表面羟基的浓度控制为等于或大于0.01个/(nm)2且等于或小于4.0个/(nm)2，将吸附水的浓度控制为等于或大于0.03个/nm2且等于或小于4.0个/(nm)2；和第三步，在氧化物半导体层担载染料。
-
公开(公告)号：CN101919308A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200880124577.6
申请日：2008-12-19
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东京农工大学
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L27/3211 , H01L51/0018 , H01L51/0053 , H01L51/0085
Abstract: 本发明提供了显示装置的制造方法、用于制造显示装置的组合物以及显示装置。该显示装置的制造方法通过以下步骤形成设置在第一电极(11)和第二电极(19)之间的发光层(15)：形成包括自由基引发剂以及具有自由基聚合反应性的发光材料的组合物层；通过激发组合物层，从而形成在该组合物层中组合物层发生聚合的区域；以及去除组合物层中的除发生聚合的区域之外的区域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.019 seconds)
