公开(公告)号：CN1324629C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN03124364.9

申请日：2003-03-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 丰田基博 ,  斋藤一郎 ,  岛村敏规 ,  室山雅和

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127

Abstract: 一种用于制造冷阴极场发射器件的方法，包括步骤：形成阴极电极，该阴极电极有在其底部露出支撑件的孔，并由不透射曝光光线的材料构成且沿第一方向延伸；形成由透射曝光光线的感光材料构成的绝缘层；形成由感光材料构成并沿着与第一方向不同的第二方向延伸的栅电极；通过从背表面侧曝光形成开口部并露出阴极电极；形成由感光材料构成的电子发射部形成层，通过曝光和显影在阴极电极上形成电子发射部。

公开(公告)号：CN1447369A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03124364.9

申请日：2003-03-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 丰田基博 ,  斋藤一郎 ,  岛村敏规 ,  室山雅和

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127

Abstract: 一种用于制造冷阴极场发射器件的方法，包括步骤：形成阴极电极，该阴极电极有在其底部露出支撑件的孔，并由不透射曝光光线的材料构成且沿第一方向延伸；形成由透射曝光光线的感光材料构成的绝缘层；形成由感光材料构成并沿着与第一方向不同的第二方向延伸的栅电极；通过从背表面侧曝光形成开口部并露出阴极电极；形成由感光材料构成的电子发射部形成层，通过曝光和显影在阴极电极上形成电子发射部。