公开(公告)号：CN111066166A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201880058595.2

申请日：2018-09-07

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 加藤裕 ,  稲叶雄大 ,  菅野雅人 ,  茂木英昭 ,  君岛美树 ,  宫地左伊

IPC: H01L51/42 ,  H01L27/146

Abstract: [问题]为了提供一种能够具有提高的量子效率和提高的反应速度的光电转换器件和一种成像装置。[解决方案]根据本公开的一个实施方案的第一光电转换器件设置有：第一电极；第二电极，其布置成与所述第一电极相对；和光电转换层，其布置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括至少一种具有结晶性的有机半导体材料。对于所述有机半导体材料，在第一温度下成膜的情况和在高于所述第一温度的第二温度下成膜的情况之间，所述光电转换层中的水平取向晶体与垂直取向晶体的比率的变化率是3倍以下。

公开(公告)号：CN117202753A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311061806.7

申请日：2017-11-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 氏家康晴 ,  室山雅和 ,  坂东雅史 ,  村田昌树 ,  汲田英之 ,  境川佐知子 ,  平田晋太郎 ,  熊谷裕也 ,  加藤裕

IPC: H10K85/60 ,  H10K30/81 ,  H10K30/30 ,  H10K39/32

Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。

公开(公告)号：CN111066166B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201880058595.2

申请日：2018-09-07

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 加藤裕 ,  稲叶雄大 ,  菅野雅人 ,  茂木英昭 ,  君岛美树 ,  宫地左伊

IPC: H10K30/60 ,  H10K39/32

Abstract: [问题]为了提供一种能够具有提高的量子效率和提高的反应速度的光电转换器件和一种成像装置。[解决方案]根据本公开的一个实施方案的第一光电转换器件设置有：第一电极；第二电极，其布置成与所述第一电极相对；和光电转换层，其布置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括至少一种具有结晶性的有机半导体材料。对于所述有机半导体材料，在第一温度下成膜的情况和在高于所述第一温度的第二温度下成膜的情况之间，所述光电转换层中的水平取向晶体与垂直取向晶体的比率的变化率是3倍以下。

公开(公告)号：CN117177592A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311206016.3

申请日：2018-09-07

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 加藤裕 ,  稲叶雄大 ,  菅野雅人 ,  茂木英昭 ,  君岛美树 ,  宫地左伊

IPC: H10K30/60 ,  H10K30/30 ,  H10K39/32 ,  H10K85/60

Abstract: 一种光电转换器件，包括：第一电极；第二电极，其与第一电极相对；和光电转换层，其设置在第一电极和第二电极之间并且包括至少一种具有结晶性的一种有机半导体材料，其中在一种有机半导体材料在第一温度下进行成膜的情况和一种有机半导体材料在第二温度下进行成膜的情况之间，相对于第一电极的电极表面形成的角度的变化量小于10度，第二温度高于第一温度，以及其中第一温度和第二温度之间的差为5摄氏度以上且35摄氏度以下，第一温度为‑10摄氏度以上且+10摄氏度以下，并且第二温度为15摄氏度以上且35摄氏度以下。

公开(公告)号：CN109952652A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201780070351.1

申请日：2017-11-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 氏家康晴 ,  室山雅和 ,  坂东雅史 ,  村田昌树 ,  汲田英之 ,  境川佐知子 ,  平田晋太郎 ,  熊谷裕也 ,  加藤裕

IPC: H01L27/30 ,  H01L51/46

Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。

公开(公告)号：CN117202754A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311062325.8

申请日：2017-11-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 氏家康晴 ,  室山雅和 ,  坂东雅史 ,  村田昌树 ,  汲田英之 ,  境川佐知子 ,  平田晋太郎 ,  熊谷裕也 ,  加藤裕

IPC: H10K85/60 ,  H10K30/81 ,  H10K30/30 ,  H10K39/32

Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。

公开(公告)号：CN117202752A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311059948.X

申请日：2017-11-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 氏家康晴 ,  室山雅和 ,  坂东雅史 ,  村田昌树 ,  汲田英之 ,  境川佐知子 ,  平田晋太郎 ,  熊谷裕也 ,  加藤裕

IPC: H10K85/60 ,  H10K30/81 ,  H10K30/30 ,  H10K39/32

Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。

公开(公告)号：CN109952652B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201780070351.1

申请日：2017-11-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 氏家康晴 ,  室山雅和 ,  坂东雅史 ,  村田昌树 ,  汲田英之 ,  境川佐知子 ,  平田晋太郎 ,  熊谷裕也 ,  加藤裕

IPC: H10K39/32 ,  H10K85/60 ,  H10K101/30

Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。