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公开(公告)号：CN107534050B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201680023181.7
申请日：2016-04-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , C07D495/04 , H01L51/00 , H01L51/30 , H01L51/42
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器，其至少包括第一电极、第二电极、有机光电转换层以及载流子阻挡层。所述载流子阻挡层由具有结构式(1)的材料形成，并且厚度为5×10‑9m～1.5×10‑7m。所述结构式(1)如下：
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公开(公告)号：CN117202753A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311061806.7
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼公司
Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
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公开(公告)号：CN107710413A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680035454.X
申请日：2016-05-30
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L51/42
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/146 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L51/42 , Y02E10/549
Abstract: 在一种图像拾取元件或光电转换元件中，至少一个阳极21、载流子阻挡层22、有机光电转换层23和阴极25按顺序层叠，且载流子阻挡层22包括具有以下结构式(1)的材料和构成有机光电转换层23的有机半导体材料的一部分。
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公开(公告)号：CN114361341A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111476157.8
申请日：2016-04-19
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本发明涉及层叠型摄像装置和摄像模块。层叠型摄像装置包括：布置在基板上方的第一图像传感器，所述第一图像传感器对第一颜色有灵敏度，并且至少包括第一电极、第二电极、有机光电转换层和载流子阻挡层；以及布置在所述基板中的第二图像传感器，所述第二图像传感器对与所述第一颜色不同的第二颜色有灵敏度。所述载流子阻挡层由具有结构式(1)的材料形成，并且厚度为5×10‑9m～1.5×10‑7m。所述结构式(1)如下：
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109952652A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201780070351.1
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼公司
Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
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公开(公告)号：CN107534050A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680023181.7
申请日：2016-04-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , C07D495/04 , H01L51/00 , H01L51/30 , H01L51/42
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D495/04 , H01L27/146 , H01L27/307 , H01L51/00 , H01L51/0058 , H01L51/0072 , H01L51/0078 , H01L51/42 , H01L51/442 , H01L2251/301 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器，其至少包括第一电极、第二电极、有机光电转换层以及载流子阻挡层。所述载流子阻挡层由具有结构式(1)的材料形成，并且厚度为5×10‑9m～1.5×10‑7m。所述结构式(1)如下：
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公开(公告)号：CN117202754A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311062325.8
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼公司
Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
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公开(公告)号：CN117202752A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311059948.X
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼公司
Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
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公开(公告)号：CN109952652B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201780070351.1
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H10K39/32 , H10K85/60 , H10K101/30
Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
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