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公开(公告)号：CN1322554C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN03800232.9
申请日：2003-01-15
Applicant: 积水化学工业株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/301 , H01L21/304
CPC classification number: C09J5/08 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/302 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明的目的是提供一种IC片的生产方法，其中，可以防止晶片受损，能够改善处理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度极度降低至约50μm，也能够适当地将晶片加工成IC片。本发明提供一种IC片的生产方法，其至少包括：用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层；用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的时候将所述晶片抛光的步骤；将切块胶带粘结在所述抛光晶片上的步骤；为所述粘结剂(A)层提供所述刺激的步骤；将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤；将所述晶片切块的步骤，在用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的步骤中包括将所述包括粘结剂(A)的表面层粘结在所述晶片上和将所述包括粘结剂(B)的表面层粘结在所述支撑板上，在负压下从其切块胶带侧均匀抽吸整个所述晶片的同时提供所述刺激，然后在为所述粘结剂(A)层提供刺激的步骤中和在将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤中，将所述支撑胶带从所述晶片上除去。
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公开(公告)号：CN1592953A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN03801502.1
申请日：2003-04-09
Applicant: 积水化学工业株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6835 , B24B7/228 , B24B41/068 , H01L21/304 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10S438/977
Abstract: 在将由通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片W分割成各个电路的半导体芯片的情况下，通过靠激发而降低粘结力的粘结片，在支承板(13)上粘贴半导体晶片W的表面，使半导体晶片W的背面(10)露出，对与支承板(13)一体的半导体晶片W的背面(10)进行研磨，在将背面(10)向上保持的状态下，将研磨结束的与支承板(13)一体的半导体晶片W分割成半导体芯片C，激发粘结片，使粘结力下降，将半导体芯片C从支承板(13)中拆下。由于半导体晶片和半导体芯片始终被支承在支承板上，所以可以防止发生破损、变形等。
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公开(公告)号：CN1507651A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN03800232.9
申请日：2003-01-15
Applicant: 积水化学工业株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/301 , H01L21/304
CPC classification number: C09J5/08 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/302 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明的目的是提供一种IC片的生产方法，其中，可以防止晶片受损，能够改善处理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度极度降低至约50μm，也能够适当地将晶片加工成IC片。本发明提供一种IC片的生产方法，其至少包括：用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层；用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的时候将所述晶片抛光的步骤；将切块胶带粘结在所述抛光晶片上的步骤；为所述粘结剂(A)层提供所述刺激的步骤；将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤；将所述晶片切块的步骤，在用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的步骤中包括将所述包括粘结剂(A)的表面层粘结在所述晶片上和将所述包括粘结剂(B)的表面层粘结在所述支撑板上，在负压下从其切块胶带侧均匀抽吸整个所述晶片的同时提供所述刺激，然后在为所述粘结剂(A)层提供刺激的步骤中和在将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤中，将所述支撑胶带从所述晶片上除去。
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公开(公告)号：CN100334689C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN03801502.1
申请日：2003-04-09
Applicant: 积水化学工业株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6835 , B24B7/228 , B24B41/068 , H01L21/304 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10S438/977
Abstract: 在将由通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片W分割成各个电路的半导体芯片的情况下，通过靠激发而降低粘结力的粘结片，在支承板(13)上粘贴半导体晶片W的表面，使半导体晶片W的背面(10)露出，对与支承板(13)一体的半导体晶片W的背面(10)进行研磨，在将背面(10)向上保持的状态下，将研磨结束的与支承板(13)一体的半导体晶片W分割成半导体芯片C，激发粘结片，使粘结力下降，将半导体芯片C从支承板(13)中拆下。由于半导体晶片和半导体芯片始终被支承在支承板上，所以可以防止发生破损、变形等。
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公开(公告)号：CN102741559B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN200980100731.0
申请日：2009-03-11
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: F04B19/006 , B01L3/50273 , B01L2300/0816 , B01L2300/0861 , B01L2300/0887 , B01L2400/046 , B01L2400/0487 , Y10T137/206
Abstract: 本发明的目的在于：在简化具有微泵系统的微流体设备的制造工序的同时使其进一步小型化。为此，本发明提供微流体设备(1)，其具有气体生成部(3)。气体生成部具有基板(10)和气体生成层(20)。基板(10)具有第1主面(10a)和第2主面(10b)，且形成有至少在所述第1主面(10a)上开口的微流路(14)。气体生成层(20)设置于基板(10)的第1主面(10a)上，并覆盖开口(14a)。气体生成层(20)通过接受外部刺激而产生气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1599781A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02824131.2
申请日：2002-06-03
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J11/06 , C09J7/00
Abstract: 本发明的目的是提供通过照射光可以在不损伤粘附体的条件下容易地完成剥离的粘合性物质、粘合性制品以及连接结构体。本发明涉及一种粘合性物质，其中含有通过照射光可产生气体的偶氮化合物，由上述偶氮化合物产生的气体的至少一部分释放到上述粘合性物质的外部。
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公开(公告)号：CN1537151A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN02815153.4
申请日：2002-06-03
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J7/35 , C09J7/38 , C09J2201/128 , C09J2203/326 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明的目的在于提供涉及即使是厚度50μm左右的极薄的晶片也可以防止晶片的破损等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的，进而剥离容易的两面胶以及使用它的IC芯片的制造方法。本发明是至少一面含有通过刺激产生气体的气体发生剂的两面胶。
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公开(公告)号：CN102146905B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110036693.6
申请日：2009-03-11
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: F04B19/006 , B01L3/50273 , B01L2300/0816 , B01L2300/0861 , B01L2300/0887 , B01L2400/046 , B01L2400/0487 , Y10T137/206
Abstract: 本发明的目的在于：在简化具有微泵系统的微流体设备的制造工序的同时使其进一步小型化。为此，本发明提供微流体设备(1)，其具有气体生成部(3)。气体生成部具有基板(10)和气体生成层(20)。基板(10)具有第1主面(10a)和第2主面(10b)，且形成有至少在所述第1主面(10a)上开口的微流路(14)。气体生成层(20)设置于基板(10)的第1主面(10a)上，并覆盖开口(14a)。气体生成层(20)通过接受外部刺激而产生气体。
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公开(公告)号：CN102741559A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200980100731.0
申请日：2009-03-11
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: F04B19/006 , B01L3/50273 , B01L2300/0816 , B01L2300/0861 , B01L2300/0887 , B01L2400/046 , B01L2400/0487 , Y10T137/206
Abstract: 本发明的目的在于：在简化具有微泵系统的微流体设备的制造工序的同时使其进一步小型化。为此，本发明提供微流体设备(1)，其具有气体生成部(3)。气体生成部具有基板(10)和气体生成层(20)。基板(10)具有第1主面(10a)和第2主面(10b)，且形成有至少在所述第1主面(10a)上开口的微流路(14)。气体生成层(20)设置于基板(10)的第1主面(10a)上，并覆盖开口(14a)。气体生成层(20)通过接受外部刺激而产生气体。
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公开(公告)号：CN101978173A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980100848.9
申请日：2009-03-11
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: B01L3/50273 , B01L2300/0887 , B01L2400/046 , F04B19/006 , Y10T137/2082
Abstract: 本发明的目的在于提供一种光响应性气体发生材料、以及使用了该光响应性气体发生材料的微泵，其中，所述光响应性气体发生材料被用于形成有微细流路的微流体设备中的微泵，该光响应性气体发生材料在受到光照时可有效产生气体、搬运微流体，并且能够提高送液效率。为此，本发明涉及一种包含光产酸剂和酸刺激产气剂的光响应性气体发生材料(13)、以及内部收纳有该光响应性气体发生材料(13)的微泵(10)，其中，所述光响应性气体发生材料(13)是用于微流体设备中的微泵的的气体发生剂，所述微流体设备是在基板内形成有微细流路的微流体设备。
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