公开(公告)号：CN1322554C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN03800232.9

申请日：2003-01-15

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  大山康彦 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嶋兴一

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09J5/08 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/302 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的是提供一种IC片的生产方法，其中，可以防止晶片受损，能够改善处理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度极度降低至约50μm，也能够适当地将晶片加工成IC片。本发明提供一种IC片的生产方法，其至少包括：用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层；用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的时候将所述晶片抛光的步骤；将切块胶带粘结在所述抛光晶片上的步骤；为所述粘结剂(A)层提供所述刺激的步骤；将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤；将所述晶片切块的步骤，在用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的步骤中包括将所述包括粘结剂(A)的表面层粘结在所述晶片上和将所述包括粘结剂(B)的表面层粘结在所述支撑板上，在负压下从其切块胶带侧均匀抽吸整个所述晶片的同时提供所述刺激，然后在为所述粘结剂(A)层提供刺激的步骤中和在将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤中，将所述支撑胶带从所述晶片上除去。

公开(公告)号：CN100334689C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN03801502.1

申请日：2003-04-09

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  大山康彦 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嶋兴一

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B24B7/228 ,  B24B41/068 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10S438/977

Abstract: 在将由通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片W分割成各个电路的半导体芯片的情况下，通过靠激发而降低粘结力的粘结片，在支承板(13)上粘贴半导体晶片W的表面，使半导体晶片W的背面(10)露出，对与支承板(13)一体的半导体晶片W的背面(10)进行研磨，在将背面(10)向上保持的状态下，将研磨结束的与支承板(13)一体的半导体晶片W分割成半导体芯片C，激发粘结片，使粘结力下降，将半导体芯片C从支承板(13)中拆下。由于半导体晶片和半导体芯片始终被支承在支承板上，所以可以防止发生破损、变形等。

公开(公告)号：CN1592953A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN03801502.1

申请日：2003-04-09

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  大山康彦 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嵨兴一

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B24B7/228 ,  B24B41/068 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10S438/977

Abstract: 在将由通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片W分割成各个电路的半导体芯片的情况下，通过靠激发而降低粘结力的粘结片，在支承板(13)上粘贴半导体晶片W的表面，使半导体晶片W的背面(10)露出，对与支承板(13)一体的半导体晶片W的背面(10)进行研磨，在将背面(10)向上保持的状态下，将研磨结束的与支承板(13)一体的半导体晶片W分割成半导体芯片C，激发粘结片，使粘结力下降，将半导体芯片C从支承板(13)中拆下。由于半导体晶片和半导体芯片始终被支承在支承板上，所以可以防止发生破损、变形等。

公开(公告)号：CN1507651A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN03800232.9

申请日：2003-01-15

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  大山康彦 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嵨兴一

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09J5/08 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/302 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的是提供一种IC片的生产方法，其中，可以防止晶片受损，能够改善处理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度极度降低至约50μm，也能够适当地将晶片加工成IC片。本发明提供一种IC片的生产方法，其至少包括：用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层；用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的时候将所述晶片抛光的步骤；将切块胶带粘结在所述抛光晶片上的步骤；为所述粘结剂(A)层提供所述刺激的步骤；将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤；将所述晶片切块的步骤，在用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的步骤中包括将所述包括粘结剂(A)的表面层粘结在所述晶片上和将所述包括粘结剂(B)的表面层粘结在所述支撑板上，在负压下从其切块胶带侧均匀抽吸整个所述晶片的同时提供所述刺激，然后在为所述粘结剂(A)层提供刺激的步骤中和在将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤中，将所述支撑胶带从所述晶片上除去。

公开(公告)号：CN1493086A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN02805229.3

申请日：2002-11-15

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 北村政彦 ,  矢岛兴一 ,  木村祐辅 ,  田渕智隆

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/78 ,  Y10S438/977

Abstract: 使有由于外因而使粘贴力降低的粘贴层的粘贴胶带10介于其间，将半导体晶片的表面粘贴到板状物支撑部件上，在该状态下，研磨半导体晶片的背面，在研磨后的半导体晶片的背面，粘贴切割胶带，同时通过切割架支撑切割胶带的外周，由于使外因作用于粘贴层，而使粘贴层的粘贴力降低，所以不损伤半导体晶片或者半导体芯片，就可以取下板状物支撑部件和粘贴胶带。