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公开(公告)号：CN117566694A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311553813.9
申请日：2023-11-21
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明公开了一种三元Sb2(Se1‑xTex)3二维纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明利用化学气相沉积法，以碲化锑粉末和单质硒粉作为蒸发源，氩气作为沉积反应气氛，通过调控生长源的比例、位置以及反应温度，得到了成分可调、高质量的Sb2(Se1‑xTex)3二维纳米片。本方法工艺简单，对设备要求低，制备出的Sb2(Se1‑xTex)3二维纳米片成分可调，在纳米光电器件研究领域具有较高研究价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN117582972A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311569391.4
申请日：2023-11-23
Abstract: 本发明公开了一种协同脱除氮氧化物和氯苯的Sn/CeO2催化剂，属于催化环保技术领域。以硝酸铈和尿素经水热反应形成的微米级介孔材料CeO2为载体，采用浸渍法负载Sn，制得所述的Sn/CeO2催化剂，适用于协同控制焚烧、冶炼和烧结等典型行业排放的氮氧化物WO3(Mo)/TiO2催化剂相比，本发明制得的催化剂在(NOx)和氯苯(CB)。与商用的100,000V 2Oh5‑‑1空速条件下，不仅对废气中氮氧化物和氯苯具有优异的净化效果，同时具有较好的催化稳定性。工艺简单，催化剂性能优异，催化窗口较宽，具有潜在的商业应用前景。
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![一种单晶六方[111]取向的CdSexTe1-x二维纳米片的制备方法](/CN/2024/1/185/images/202410929701.jpg)
公开(公告)号：CN118727137A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410929701.7
申请日：2024-07-11
Abstract: 本发明公开了一种单晶六方[111]取向的CdSexTe1‑x二维纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明结合化学气相沉积与范德华外延生长的方法，以碲化镉粉末、硒化镉粉末和氯化镉粉末作为蒸发源，氩气和氢气混合气作为沉积反应气氛，原子级平整的云母作为范德华外延衬底，通过调控生长源的位置以及反应温度和时间，得到了成分可调、高质量的单晶六方[111]取向的CdSexTe1‑x二维纳米片。本方法工艺简单，对设备要求低，制备出的CdSexTe1‑x二维纳米片具有均一的[111]取向，成分可调等优点，在纳米光电器件研究领域具有较高研究价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN117577706A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311545459.5
申请日：2023-11-20
IPC: H01L31/032 , C23C16/30 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种碲化锑‑硒化锰垂直异质结及其制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。利用化学气相沉积法先于云母表面生长二维MnSe纳米片，然后将生长有MnSe纳米片的云母作为衬底，以碲化锑粉末作为蒸发源，氩氢混合气作为沉积反应气氛，进行二次沉积制得Sb2Te3‑MnSe垂直异质结纳米材料，为垂直堆叠层状结构，其中底层为MnSe纳米片，底层上堆叠Sb2Te3层。Sb2Te3较低的生长温度不会破坏类如MnSe的TMDs半导体材料晶格结构，工艺简单，对设备要求低，制备出的Sb2Te3‑MnSe质量高，对于研究纳米级光电子学器件具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN117210852A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311183088.0
申请日：2023-09-14
IPC: C25B11/075 , C25B1/04 , C01G55/00
Abstract: 本发明公开了一种钌镍层状双金属氢氧化物（RuNi‑LDHs）电催化剂的制备及其在电解水析氢反应（HER）中的应用，属于催化剂技术领域。在室温和N2保护下，将镍源和聚乙烯吡咯烷酮溶于脱气去离子水中，搅拌均匀，依次加入脱气硼氢化钠溶液和RuCl3，反应半小时；于空气中继续反应2‑24小时，离心，清洗，干燥得到产物RuNi‑LDHs。该催化剂室温下即可合成，且不需要基底，产率得到大幅度提升。应用于电催化分解水领域，电流密度在10 mA·cm‑2和100 mA·cm‑2时的过电位分别仅为30 mV和116 mV。本发明制备方法简单，产品性能优越，应用前景广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119370806A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411566405.1
申请日：2024-11-05
Applicant: 清源创新实验室
Abstract: 本发明涉及纳米材料制备技术领域，提供一种通过分解Sb2Te3粉末制备Te纳米带的方法，解决目前制备的一维Te纳米材料制备质量不高、制备的结构形貌不符合应用需求的问题，所述方法包括以下步骤：1)用石英舟盛放碲化锑粉末，并置于水平管式炉的加热中心处，将作为衬底置于盛放碲化锑粉末的石英舟上方；2)将氢气与氩气一同作为材料反应生长的气氛通入进行反应的水平管式炉内的石英管内，并调整气体混合比例与流速，设定加热温度与时间，开启管式炉，使石英管内进行气相沉积反应，待管式炉程序结束之后取出衬底，衬底表面即是生长的Te纳米带。
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公开(公告)号：CN113807042B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202111132198.5
申请日：2021-09-27
Applicant: 福州大学
IPC: G06F30/39 , G06F30/25 , G06N3/006 , G06N3/00 , G06F113/08 , G06F115/12 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种连续微流控生物芯片下基于序列对的流层物理设计方法，包括以下步骤:步骤S1:基于序列对表示方法，在组件布局阶段通过离散粒子群优化算法得到组件布局解;步骤S2:在布线阶段将组件对之间的曼哈顿距离作为布线顺序的考虑依据，并通过基于协商布线算法进行布线；步骤S3:将根据布线的反馈信息进行针对流通道交叉点区域的布局调整;步骤S4:从而衔接组件布局与流通道布线阶段,并判断布局调整后的流层物理设计结果是否得到进一步优化，若是则循环步骤S3‑S4，若否则完成流层物理设计。本发明以优化流通道交叉点数量、芯片面积和流通道长度为目标，最终得到高质量流层物理设计方案。
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公开(公告)号：CN110795908B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201911043089.9
申请日：2019-10-30
Applicant: 福州大学
IPC: G06F30/392
Abstract: 本发明涉及一种偏差驱动的总线感知总体布线方法，首先将多层的布线信息和资源投影到2D平面上，在预布线阶段采用偏差驱动的边转移方法得到一个优质的拓扑结构，并使用总线感知的L型布线，得到一个初始布线结果；在拆线重布阶段采用多阶段的双迷宫策略，用来减少溢出和控制偏差的产生；在后布线阶段进行精炼，进一步减少偏差，最终能获得一个高质量的布线结果。本发明考虑总线的长度匹配问题，能够得到一个高质量的布线结果，有效的提高芯片的性能。
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公开(公告)号：CN115204095A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210832783.4
申请日：2022-07-14
Applicant: 福州大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/3947 , G06F30/398 , G06F111/08
Abstract: 本发明提供了一种连续微流控生物芯片下的流层物理协同设计方法，分三阶段实现了流层物理设计工作。(1)逻辑设计阶段：通过首次提出的逻辑布局和组件方向布局调整方法，得到组件优异的逻辑位置和逻辑方向，在保证优质布局解的同时大幅提高效率。(2)组件映射和包围盒间隙布局调整阶段：基于包围盒策略，把前一阶段的组件逻辑设计结果映射到实际的物理设计空间中，并通过包围盒间隙布局调整，获得了最佳的包围盒间隙。(3)收缩布局调整阶段：基于组件间的连通图关系，提出了沿流通道收缩和多图收缩两种新的布局调整方法，进一步高效地提高了流层物理设计质量。该发明不仅有效提高了流层物理设计的质量，而且也获得了效率上的大幅提升。
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公开(公告)号：CN115130400A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210603814.9
申请日：2022-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: G06F30/32
Abstract: 本发明提出一种连续微流控生物芯片控制模式分配方法，在带有多通道切换机制的连续微流控生物芯片控制模式分配的过程中，交替执行基于样例池的社会学习SLDPSO和自适应区域搜索ARS；在每轮迭代过程中，首先通过基于样例池的社会学习SLDPSO更新所有粒子的位置；然后将粒子按适应性值进行排序，根据排序结果，适应性值较低的P个粒子依次进行T次自适应区域搜索ARS；在多次迭代后得到需要控制阀门数量较少的控制模式分配方案。目的是获得一个所需阀门数最少的控制模式分配方案，在节约成本的同时降低后续布线阶段的复杂度。
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