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![一种单晶六方[111]取向的CdSexTe1-x二维纳米片的制备方法](/CN/2024/1/185/images/202410929701.jpg)
公开(公告)号：CN118727137A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410929701.7
申请日：2024-07-11
Abstract: 本发明公开了一种单晶六方[111]取向的CdSexTe1‑x二维纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明结合化学气相沉积与范德华外延生长的方法，以碲化镉粉末、硒化镉粉末和氯化镉粉末作为蒸发源，氩气和氢气混合气作为沉积反应气氛，原子级平整的云母作为范德华外延衬底，通过调控生长源的位置以及反应温度和时间，得到了成分可调、高质量的单晶六方[111]取向的CdSexTe1‑x二维纳米片。本方法工艺简单，对设备要求低，制备出的CdSexTe1‑x二维纳米片具有均一的[111]取向，成分可调等优点，在纳米光电器件研究领域具有较高研究价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN112599755B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110026689.5
申请日：2021-01-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明属于锂离子电池负极材料技术领域，具体涉及一种硅‑二氧化锡链状和枝状核壳结构锂离子电池负极材料及其制备方法。其制备步骤包括：将纳米硅粉超声分散在乙醇水溶液后，加入一定量的五水四氯化锡进行反应复合，经过静置、抽滤、洗涤和干燥得到硅二氧化锡链状和枝状核壳结构的负极材料。最后将材料制成负极极片，置于扣式电池中检测其恒流充放电比容量。在常温常压下用Land测试系统对其进行测试，该材料性能最优异的样品初始库伦效率可以达到83.0%，并且在200圈充放电后，比容量仍然可以达到1900 mAh/g以上。该发明具有原料丰富、操作简单、成本低廉、对环境友好且制得的硅二氧化锡复合材料性能优良等特点。
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公开(公告)号：CN112599755A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202110026689.5
申请日：2021-01-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明属于锂离子电池负极材料技术领域，具体涉及一种硅‑二氧化锡链状和枝状核壳结构锂离子电池负极材料及其制备方法。其制备步骤包括：将纳米硅粉超声分散在乙醇水溶液后，加入一定量的五水四氯化锡进行反应复合，经过静置、抽滤、洗涤和干燥得到硅二氧化锡链状和枝状核壳结构的负极材料。最后将材料制成负极极片，置于扣式电池中检测其恒流充放电比容量。在常温常压下用Land测试系统对其进行测试，该材料性能最优异的样品初始库伦效率可以达到83.0%，并且在200圈充放电后，比容量仍然可以达到1900 mAh/g以上。该发明具有原料丰富、操作简单、成本低廉、对环境友好且制得的硅二氧化锡复合材料性能优良等特点。
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