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公开(公告)号：CN108251110B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201810083022.7
申请日：2018-01-29
Applicant: 福州大学
IPC: C09K11/66 , C09K11/06 , G02F1/13357
Abstract: 本发明属于光电发光与显示器件技术领域，具体涉及钙钛矿量子点/薄膜体系构建多色发光膜的方法，包括薄膜体系和钙钛矿量子点。具体为，在基板上制备含卤素成分的薄膜，之后在薄膜上面沉积钙钛矿量子点，得到多色发光膜。该钙钛矿量子点/薄膜体系构建多色发光膜的方法具有成膜简单，基板兼容性好，荧光产率高，色纯度高，易于大面积成膜的优点。
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公开(公告)号：CN103641110B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310712919.9
申请日：2013-12-23
Applicant: 福州大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种利用感应加热制备石墨烯的方法，包括以下步骤：S01：提供一密闭的反应器，且该反应器的外壁绕有复数个感应器线圈，并将金属衬底放置于该反应器中；S02：在该反应器中通入非氧化性气体一预设时间后，向所述复数个感应器线圈两端口通入交流电；S03：当该金属衬底的温度达到一预设温度时，在所述非氧化性气体中通入含碳化合物气体作为碳源；S04：反应进行一预定时间后，停止通入该含碳化合物气体，同时关闭电流并继续通入所述非氧化性气体制冷至室温；S05：取出所述金属衬底。本发明利用感应加热制备石墨烯，加热及降温速度快，加热位置和面积可控，操作方便可实现石墨烯的大面积快速制备。
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公开(公告)号：CN103682054B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310716400.8
申请日：2013-12-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/52
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一衬底；S2：在所述衬底上制备一光电器件；S3：在所述光电器件上部制备一电隔离层；S4：制备一复合薄膜；S5：将所述步骤S4中制备的复合薄膜覆盖于所述步骤S3中制备的电隔离层上部。本发明提供的石墨烯层/聚合物叠层复合薄膜具有良好的隔水氧的功能，并且具有良好的机械柔韧性，在光电器件封装方面具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN115377339B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202211162470.9
申请日：2022-09-23
IPC: H10K71/00 , H10K50/10 , H10K50/115
Abstract: 本发明提出一种基于静电吸附量子点制备图案化QLED的方法，先制备P4VP（４‑乙烯基吡啶二嵌段共聚物）薄膜，再用DPN（蘸水笔纳米光刻术）法制备图案化的P4VP薄膜，最后在P4VP薄膜上旋涂配体（如羧酸、膦酸和硫醇末端的配体）修饰的量子点。在P4VP薄膜上的图案是由于局部质子化形成的，通过静电作用可以吸附由于配体电离而带负电的量子点得到图案化的量子点薄膜。以此为基础可以通过在P4VP薄膜上设计和制备不同尺寸的图案，从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素，通过转印技术把图案化的量子点薄膜转移到预制QLED基底功能层上，制备出QLED器件。
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公开(公告)号：CN117939979A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410114244.6
申请日：2024-01-28
Applicant: 福州大学 , 广东聚华新型显示研究院
IPC: H10K71/13 , H10K50/115 , B41M5/00
Abstract: 本发明提供一种喷墨打印技术下的全彩量子点网格打印方法，利用喷墨打印技术制备具有彩色网格结构的发光层，从而在发光二极管(LED)中实现全彩显示。通过在发光层使用溶液加工方法涂覆蓝色量子点层，再利用喷墨打印技术使用红色量子点打印红色线条，使用绿色量子点打印垂直于红色量子点的线条，形成由红、绿量子点线条线交叉的网格结构以及由具有规则形状的蓝色量子点，从而实现彩色网格的制备，实现全彩显示。本专利方法简单、高效，并可广泛应用于显示器、光电子器件等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108251110A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810083022.7
申请日：2018-01-29
Applicant: 福州大学
IPC: C09K11/66 , C09K11/06 , G02F1/13357
Abstract: 本发明属于光电发光与显示器件技术领域，具体涉及钙钛矿量子点/薄膜体系构建多色发光膜的方法，包括薄膜体系和钙钛矿量子点。具体为，在基板上制备含卤素成分的薄膜，之后在薄膜上面沉积钙钛矿量子点，得到多色发光膜。该钙钛矿量子点/薄膜体系构建多色发光膜的方法具有成膜简单，基板兼容性好，荧光产率高，色纯度高，易于大面积成膜的优点。
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公开(公告)号：CN108182868A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810071696.5
申请日：2018-01-25
Applicant: 福州大学
CPC classification number: G09F3/02 , B41M1/12 , B41M3/14 , B41M5/0023 , G09F2003/0213
Abstract: 本发明涉及一种基于量子点光致发光特性及薄膜图形化技术的防伪标识，包括图形化的量子点薄膜，所述的量子点薄膜中包含多种不同能隙、不同浓度的量子点。通过图形化的量子点薄膜及其成分配比参数来实现防伪信息的储存和检验。本发明提供的防伪信息存储及识别方案具有大的信息容量、高的工艺重复性和技术安全保密性，可满足各种不同的使用环境。
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公开(公告)号：CN105140358A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510599623.X
申请日：2015-09-21
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/06
Abstract: 本发明涉及一种基于全刮涂技术制备量子点发光二极管的方法，通过在透明导电基底上依次刮涂空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极层制备得到量子点发光二极管，同时改变各功能层溶液浓度和刮涂工艺的不同参数，可以实现对器件质量及性能的调控。本发明采用在支撑基板上放置透明导电基底，通过滴管将各功能层溶液滴在滴液区，并使用机械臂水平推动刮刀将各功能层溶液依次在基底上进行刮涂，并在刮涂的同时进行加热处理。本发明简单易行，较旋涂工艺大大降低了各功能层材料的浪费且适用于大面积制备，能够实现低成本的高效大面积量子点发光二极管的制备，具有良好的产业化前景。
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公开(公告)号：CN105140358B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201510599623.X
申请日：2015-09-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于全刮涂技术制备量子点发光二极管的方法，通过在透明导电基底上依次刮涂空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极层制备得到量子点发光二极管，同时改变各功能层溶液浓度和刮涂工艺的不同参数，可以实现对器件质量及性能的调控。本发明采用在支撑基板上放置透明导电基底，通过滴管将各功能层溶液滴在滴液区，并使用机械臂水平推动刮刀将各功能层溶液依次在基底上进行刮涂，并在刮涂的同时进行加热处理。本发明简单易行，较旋涂工艺大大降低了各功能层材料的浪费且适用于大面积制备，能够实现低成本的高效大面积量子点发光二极管的制备，具有良好的产业化前景。
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公开(公告)号：CN103682054A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310716400.8
申请日：2013-12-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/52
CPC classification number: H01L51/0001
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一衬底；S2：在所述衬底上制备一光电器件；S3：在所述光电器件上部制备一电隔离层；S4：制备一复合薄膜；S5：将所述步骤S4中制备的复合薄膜覆盖于所述步骤S3中制备的电隔离层上部。本发明提供的石墨烯层/聚合物叠层复合薄膜具有良好的隔水氧的功能，并且具有良好的机械柔韧性，在光电器件封装方面具有很高的应用价值。
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