一种基于全刮涂技术制备量子点发光二极管的方法

    公开(公告)号:CN105140358B

    公开(公告)日:2018-07-17

    申请号:CN201510599623.X

    申请日:2015-09-21

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于全刮涂技术制备量子点发光二极管的方法,通过在透明导电基底上依次刮涂空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极层制备得到量子点发光二极管,同时改变各功能层溶液浓度和刮涂工艺的不同参数,可以实现对器件质量及性能的调控。本发明采用在支撑基板上放置透明导电基底,通过滴管将各功能层溶液滴在滴液区,并使用机械臂水平推动刮刀将各功能层溶液依次在基底上进行刮涂,并在刮涂的同时进行加热处理。本发明简单易行,较旋涂工艺大大降低了各功能层材料的浪费且适用于大面积制备,能够实现低成本的高效大面积量子点发光二极管的制备,具有良好的产业化前景。

    一种基于喷墨打印技术制备量子点光探测阵列器件的方法

    公开(公告)号:CN104993022B

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201510492347.7

    申请日:2015-08-12

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种基于喷墨打印技术制备量子点光探测阵列器件的方法,对衬底进行等离子和氯仿处理,然后用喷墨打印机分别用金属电极墨水和量子点墨水在衬底上打印出金属电极阵列和量子点阵列,最后在黑暗和任意单色光源的环境下进行电流电压测试。本发明所提出的一种基于喷墨打印技术制备量子点光探测阵列器件的方法,制备工艺简单,可大规模进行生产,且由于该光探测器件采用了量子点,故该光探测器件对任意激发光源具有较好的光敏特性。

    一种基于全刮涂技术制备量子点发光二极管的方法

    公开(公告)号:CN105140358A

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201510599623.X

    申请日:2015-09-21

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: H01L33/005 H01L33/06

    Abstract: 本发明涉及一种基于全刮涂技术制备量子点发光二极管的方法,通过在透明导电基底上依次刮涂空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极层制备得到量子点发光二极管,同时改变各功能层溶液浓度和刮涂工艺的不同参数,可以实现对器件质量及性能的调控。本发明采用在支撑基板上放置透明导电基底,通过滴管将各功能层溶液滴在滴液区,并使用机械臂水平推动刮刀将各功能层溶液依次在基底上进行刮涂,并在刮涂的同时进行加热处理。本发明简单易行,较旋涂工艺大大降低了各功能层材料的浪费且适用于大面积制备,能够实现低成本的高效大面积量子点发光二极管的制备,具有良好的产业化前景。

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