公开(公告)号：CN110462797B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201880023169.5

申请日：2018-03-14

Applicant: 福吉米株式会社 ,  东亚合成株式会社

Inventor： 沼田圭祐 ,  土屋公亮 ,  谷口惠 ,  竹本贵之

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 提供一种可以有效地减少边缘塌边量的研磨用组合物。通过本发明提供的研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、含氮水溶性高分子和水。含氮水溶性高分子的分子内不具有N‑H键。

公开(公告)号：CN110462797A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880023169.5

申请日：2018-03-14

Applicant: 福吉米株式会社 ,  东亚合成株式会社

Inventor： 沼田圭祐 ,  土屋公亮 ,  谷口惠 ,  竹本贵之

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 提供一种可以有效地减少边缘塌边量的研磨用组合物。通过本发明提供的研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、含氮水溶性高分子和水。含氮水溶性高分子的分子内不具有N-H键。

公开(公告)号：CN114466908A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202080068429.8

申请日：2020-08-18

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 田边谊之 ,  谷口惠

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/07 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供：能够维持高研磨速度，并且改善硅晶圆的外周部的平坦性的方法。本发明为一种研磨用组合物，其用于对硅晶圆进行研磨，且包含磨粒、碱性化合物、下述化学式1所示的含磷化合物、和水，所述化学式1中，R1及R2分别独立地为氢原子、羟基、或者非取代的直链状或支链状的碳数1～20的烷氧基，R3为非取代的直链状或支链状的碳数1～20的烷氧基。

公开(公告)号：CN114450376A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202080067989.1

申请日：2020-09-24

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 谷口惠 ,  土屋公亮

IPC: C09K3/14

Abstract: 提供一种研磨用组合物，其可达成兼具高的研磨速率以及HLM周缘的隆起消除性。研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、pH缓冲剂及水，作为前述pH缓冲剂，包含：酸解离常数(pKa)值的至少一者为9～11的范围的盐SL，以及pKa值的至少一者为12以上的盐SH。

公开(公告)号：CN116710532A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202280010431.9

申请日：2022-01-12

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 田边谊之 ,  谷口惠 ,  土屋公亮

IPC: C09K3/14

Abstract: 提供可高水平兼顾抑制研磨速率的降低和减少研磨后的边缘塌边(edge roll off)量的研磨用组合物。提供：用于在硅基板的预备研磨工序中使用的研磨用组合物。上述研磨用组合物是由磨粒、碱性化合物、表面活性剂、螯合剂及水形成，作为上述表面活性剂，包含具有氧亚烷基单元的重复结构的表面活性剂I。

公开(公告)号：CN110099977B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201780069432.X

申请日：2017-11-06

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 秋月丽子 ,  土屋公亮 ,  谷口惠

IPC: H01L21/304 ,  C09G1/02

Abstract: 提供能实现高平坦性的研磨用组合物、及硅晶圆的研磨方法。研磨用组合物含有磨粒和碱性化合物，磨粒的异形度参数与粒径分布宽度的乘积为4以上。磨粒的异形度参数是构成磨粒的各颗粒的投影面积Sr与各颗粒的虚拟投影面积Si之比Sr/Si减1而得的值的绝对值|Sr/Si‑1|的平均值，虚拟投影面积Si是以各颗粒的垂直费雷特直径为直径的虚拟圆的面积。磨粒的粒径分布宽度是磨粒的体积基准的累积粒径分布中的90％粒径与10％粒径之差。90％粒径与10％粒径的单位为nm。

公开(公告)号：CN110402479A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201880017925.3

申请日：2018-02-28

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  谷口惠 ,  沼田圭祐

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明提供：能提供对硅晶圆进行粗研磨时可以降低端部的流挂、且整体的平坦性改善的硅晶圆的研磨用组合物。本发明为一种研磨用组合物，其用于对硅晶圆进行粗研磨的用途，包含磨粒、水溶性高分子、碱性化合物和水，前述水溶性高分子包含对硅的蚀刻抑制能力不同的2种以上。

公开(公告)号：CN110312776A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201880011959.1

申请日：2018-01-29

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 森嘉男 ,  谷口惠 ,  向井贵俊 ,  土屋公亮

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: [课题]提供消除激光硬标记周缘的隆起的性能优异的研磨用组合物。[解决方案]一种研磨用组合物，其包含磨粒、水溶性高分子、碱性化合物和水，前述水溶性高分子为包含源自苯乙烯或其衍生物的结构单元、和源自除此之外的单体的结构单元的共聚物。

公开(公告)号：CN110099977A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201780069432.X

申请日：2017-11-06

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 秋月丽子 ,  土屋公亮 ,  谷口惠

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

Abstract: 提供能实现高平坦性的研磨用组合物、及硅晶圆的研磨方法。研磨用组合物含有磨粒和碱性化合物，磨粒的异形度参数与粒径分布宽度的乘积为4以上。磨粒的异形度参数是构成磨粒的各颗粒的投影面积Sr与各颗粒的虚拟投影面积Si之比Sr/Si减1而得的值的绝对值|Sr/Si-1|的平均值，虚拟投影面积Si是以各颗粒的垂直费雷特直径为直径的虚拟圆的面积。磨粒的粒径分布宽度是磨粒的体积基准的累积粒径分布中的90％粒径与10％粒径之差。90％粒径与10％粒径的单位为nm。

公开(公告)号：CN114450376B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202080067989.1

申请日：2020-09-24

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 谷口惠 ,  土屋公亮

IPC: C09K3/14

Abstract: 提供一种研磨用组合物，其可达成兼具高的研磨速率以及HLM周缘的隆起消除性。研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、pH缓冲剂及水，作为前述pH缓冲剂，包含：酸解离常数(pKa)值的至少一者为9～11的范围的盐SL，以及pKa值的至少一者为12以上的盐SH。