公开(公告)号：CN116848211A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280010432.3

申请日：2022-01-12

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 田边谊之 ,  浅田真希

IPC: C09K3/14

Abstract: 提供可高水平兼顾抑制研磨速率的降低和消除HLM周缘隆起的研磨用组合物。提供用于在硅晶圆的预备研磨工序中使用的研磨用组合物。上述研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、螯合剂、表面活性剂、含氮水溶性高分子及水。上述碱性化合物的重量浓度(B)相对于上述表面活性剂的重量浓度(S)的比(B/S)为50以上。

公开(公告)号：CN114466908A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202080068429.8

申请日：2020-08-18

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 田边谊之 ,  谷口惠

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/07 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供：能够维持高研磨速度，并且改善硅晶圆的外周部的平坦性的方法。本发明为一种研磨用组合物，其用于对硅晶圆进行研磨，且包含磨粒、碱性化合物、下述化学式1所示的含磷化合物、和水，所述化学式1中，R1及R2分别独立地为氢原子、羟基、或者非取代的直链状或支链状的碳数1～20的烷氧基，R3为非取代的直链状或支链状的碳数1～20的烷氧基。

公开(公告)号：CN116648328A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180086482.5

申请日：2021-12-06

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 田边谊之

IPC: B24B37/00

Abstract: 本发明提供一种在硅晶圆的研磨中能够实现高研磨速度的方法。本发明涉及一种研磨用组合物，其用于研磨硅晶圆，其包含最高占据分子轨道(HOMO)的能级为‑9.50eV以上的含氮有机化合物和水。

公开(公告)号：CN117916858A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280058314.X

申请日：2022-08-19

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 田边谊之 ,  浅田真希 ,  土屋公亮

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C01B33/14 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 提供一种HLM周缘的凸起消除性优异、且能够提高研磨速率的研磨用组合物，该研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物和水。另外，研磨用组合物包含球状磨粒作为前述磨粒，还包含碱金属盐。

公开(公告)号：CN116710532A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202280010431.9

申请日：2022-01-12

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 田边谊之 ,  谷口惠 ,  土屋公亮

IPC: C09K3/14

Abstract: 提供可高水平兼顾抑制研磨速率的降低和减少研磨后的边缘塌边(edge roll off)量的研磨用组合物。提供：用于在硅基板的预备研磨工序中使用的研磨用组合物。上述研磨用组合物是由磨粒、碱性化合物、表面活性剂、螯合剂及水形成，作为上述表面活性剂，包含具有氧亚烷基单元的重复结构的表面活性剂I。