公开(公告)号：CN110177853A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201880006314.9

申请日：2018-02-06

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  浅田真希 ,  百田怜史

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  B24B37/00

Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，其为使用于在比硅基板的精研磨工序还上游的工序，且在精研磨工序后能有效实现高品位的表面。根据本发明，提供一种在包含中间研磨工序与精研磨工序的硅基板的研磨工艺中用于上述中间研磨工序的中间研磨用组合物。上述中间研磨用组合物包含磨粒A1、碱性化合物B1和表面保护剂S1。上述表面保护剂S1包含重均分子量高于30×104的水溶性高分子P1，并且包含分散剂D1，且分散性参数α1不足80％。

公开(公告)号：CN109943236A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811570718.9

申请日：2013-08-12

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  浅田真希

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法，以及研磨用组合物原液的制造方法，所述研磨用组合物含有二氧化硅、水溶性高分子以及水。包含至少一部分水溶性高分子的吸附物吸附在二氧化硅上。吸附物的碳换算浓度为4质量ppm以上。吸附物的碳换算浓度相对于研磨用组合物中的总碳浓度的百分率为15％以上。

公开(公告)号：CN113631680A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080023228.6

申请日：2020-03-25

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  浅田真希 ,  市坪大辉

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种降低研磨对象物表面的雾度的优异的研磨用组合物。通过本发明所提供的研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、水溶性高分子及水。上述水溶性高分子至少包含水溶性高分子P1与水溶性高分子P2。在此，上述水溶性高分子P1为缩醛化聚乙烯醇系聚合物，上述水溶性高分子P2为缩醛化聚乙烯醇系聚合物以外的水溶性高分子。

公开(公告)号：CN113614198A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080023899.2

申请日：2020-01-30

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  浅田真希 ,  百田怜史

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供：包含具有硅‑硅键的材料的研磨对象物的研磨方法中，能以高水平兼顾研磨后的该研磨对象物中的缺陷数和雾度的减少的方案。本发明涉及一种研磨方法，其为包含具有硅‑硅键的材料的研磨对象物的研磨方法，所述方法具备精加工研磨工序Pf，前述精加工研磨工序Pf具有多个研磨段，前述多个研磨段在同一研磨台上连续地进行，前述多个研磨段中的最后的研磨段为使用研磨用组合物Sff进行研磨的研磨段Pff，前述多个研磨段中的设置在前述研磨段Pff之前的研磨段为使用研磨用组合物Sfp进行研磨的研磨段Pfp，前述研磨用组合物Sff满足下述条件(A)和下述条件(B)的至少一个条件，条件(A)：前述研磨用组合物Sff的标准试验1中得到的雾度参数的值小于前述研磨用组合物Sfp的标准试验1中得到的雾度参数的值，条件(B)：前述研磨用组合物Sff包含磨粒Aff、碱性化合物Bff和羟乙基纤维素。

公开(公告)号：CN104995277A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480008802.5

申请日：2014-02-10

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  丹所久典 ,  浅田真希 ,  须贺裕介

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

Abstract: 提供一种包含磨粒、水溶性聚合物和水的研磨用组合物。上述研磨用组合物在上述磨粒的含量为0.2质量％的浓度时，利用动态光散射法测定的上述研磨用组合物中含有的颗粒的体积平均粒径DA为20nm～60nm。

公开(公告)号：CN117165263A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310935815.8

申请日：2020-03-25

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  浅田真希 ,  市坪大辉

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种降低研磨对象物表面的雾度的优异的研磨用组合物。通过本发明所提供的研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、水溶性高分子及水。上述水溶性高分子至少包含水溶性高分子P1与水溶性高分子P2。在此，上述水溶性高分子P1为缩醛化聚乙烯醇系聚合物，上述水溶性高分子P2为缩醛化聚乙烯醇系聚合物以外的水溶性高分子。

公开(公告)号：CN104995277B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201480008802.5

申请日：2014-02-10

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  丹所久典 ,  浅田真希 ,  须贺裕介

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

Abstract: 提供一种包含磨粒、水溶性聚合物和水的研磨用组合物。上述研磨用组合物在上述磨粒的含量为0.2质量％的浓度时，利用动态光散射法测定的上述研磨用组合物中含有的颗粒的体积平均粒径DA为20nm～60nm。

公开(公告)号：CN106463386A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580032746.3

申请日：2015-06-11

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  浅田真希

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明提供能有效地实现高品质的表面的硅晶圆研磨方法。提供一种硅晶圆研磨方法，其包括如下工序：用包含磨粒的研磨浆料Sp进行研磨的中间研磨工序；和用包含磨粒的研磨浆料Sf进行研磨的精研磨工序。作为上述研磨浆料Sp，使用具有大于上述研磨浆料Sf的相对雾度Hf的1倍且小于6.8倍的相对雾度Hp的研磨浆料。

公开(公告)号：CN104736658A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380055071.5

申请日：2013-08-12

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  浅田真希

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/02024

Abstract: 研磨用组合物含有二氧化硅、水溶性高分子以及水。包含至少一部分水溶性高分子的吸附物吸附在二氧化硅上。吸附物的碳换算浓度为4质量ppm以上。吸附物的碳换算浓度相对于研磨用组合物中的总碳浓度的百分率为15％以上。

公开(公告)号：CN116848211A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280010432.3

申请日：2022-01-12

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 田边谊之 ,  浅田真希

IPC: C09K3/14

Abstract: 提供可高水平兼顾抑制研磨速率的降低和消除HLM周缘隆起的研磨用组合物。提供用于在硅晶圆的预备研磨工序中使用的研磨用组合物。上述研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、螯合剂、表面活性剂、含氮水溶性高分子及水。上述碱性化合物的重量浓度(B)相对于上述表面活性剂的重量浓度(S)的比(B/S)为50以上。