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公开(公告)号：CN103154168B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201180038885.9
申请日：2011-08-02
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/321
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的研磨用组合物含有水溶性聚合物、研磨促进剂及氧化剂。水溶性聚合物为具有150mgKOH/1g·固体以上的胺值的聚酰胺多胺聚合物。
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公开(公告)号：CN103930976B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280054788.3
申请日：2012-11-08
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/321 , B24B37/04 , C09K3/14 , C09G1/02 , B23H5/08
CPC classification number: H05K3/26 , B23H5/08 , B24B1/00 , B24B37/044 , C09G1/00 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09G1/06 , C09K3/1436 , C09K3/1454 , C09K3/1463 , C09K13/06 , H01L21/30625 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，其在研磨具有导体层和与所述导体层接触的导电性物质层的研磨对象物的用途中使用。在常温的研磨用组合物中、在将电位计的正极侧连接于导电性物质层且将电位计的负极侧连接于导体层的状态下，研磨导电性物质层和导体层时从正极侧流向负极侧的电流的值显示正值或0。研磨用组合物优选含有含氮原子的化合物、含硫原子的化合物或含磷原子的化合物作为用于使前述电流的值为正值或0的添加剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103154168A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180038885.9
申请日：2011-08-02
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的研磨用组合物含有水溶性聚合物、研磨促进剂及氧化剂。水溶性聚合物为具有150mgKOH/1g·固体以上的胺值的聚酰胺多胺聚合物。
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公开(公告)号：CN103930976A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201280054788.3
申请日：2012-11-08
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/321 , B24B37/04 , C09K3/14 , C09G1/02
CPC classification number: H05K3/26 , B23H5/08 , B24B1/00 , B24B37/044 , C09G1/00 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09G1/06 , C09K3/1436 , C09K3/1454 , C09K3/1463 , C09K13/06 , H01L21/30625 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，其在研磨具有导体层和与所述导体层接触的导电性物质层的研磨对象物的用途中使用。在常温的研磨用组合物中、在将电位计的正极侧连接于导电性物质层且将电位计的负极侧连接于导体层的状态下，研磨导电性物质层和导体层时从正极侧流向负极侧的电流的值显示正值或0。研磨用组合物优选含有含氮原子的化合物、含硫原子的化合物或含磷原子的化合物作为用于使前述电流的值为正值或0的添加剂。
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公开(公告)号：CN102212315A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110041743.X
申请日：2011-02-18
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
CPC classification number: B24C1/08 , C08G73/00 , C09G1/02 , C09G1/16 , C09G1/18 , C23F3/06 , H01L21/02074 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供可以在用于形成半导体装置的布线的研磨中合适地使用的研磨用组合物以及使用该研磨用组合物的研磨方法。本发明的研磨用组合物含有研磨促进剂、含有来自双氰胺等具有胍结构的聚合性化合物的结构单元的水溶性聚合物、和氧化剂。水溶性聚合物可以含有来自双氰胺的结构单元，和来自甲醛、二胺或多胺的结构单元。
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公开(公告)号：CN106661432A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580046678.6
申请日：2015-07-02
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/00 , B24B37/044 , C09K3/14 , H01L21/304 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明提供在对具有包含铜的层和包含钴的层的研磨对象物进行研磨时表现出对包含铜的层的高研磨速度，并且能够抑制包含钴的层的溶解的研磨用组合物。本发明为一种研磨用组合物，其用于对具有包含铜的层和包含钴的层的研磨对象物进行研磨的用途，所述研磨用组合物含有氧化剂和钴溶解抑制剂，所述钴溶解抑制剂选自由具有含氮5元环结构的化合物及具有2个以上羧基的氨基羧酸组成的组中的至少1种。
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公开(公告)号：CN102212315B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110041743.X
申请日：2011-02-18
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24C1/08 , C08G73/00 , C09G1/02 , C09G1/16 , C09G1/18 , C23F3/06 , H01L21/02074 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供可以在用于形成半导体装置的布线的研磨中合适地使用的研磨用组合物以及使用该研磨用组合物的研磨方法。本发明的研磨用组合物含有研磨促进剂、含有来自双氰胺等具有胍结构的聚合性化合物的结构单元的水溶性聚合物、和氧化剂。水溶性聚合物可以含有来自双氰胺的结构单元，和来自甲醛、二胺或多胺的结构单元。
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