公开(公告)号：CN1260781C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200310116991.1

申请日：2003-12-05

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 法布里斯·勒泰特 ,  克里斯托夫·马勒维尔 ,  蒂博·莫里斯 ,  卡洛斯·马祖拉 ,  弗雷德里克·梅特拉尔

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02019 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/02079 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明涉及一种用于重复利用由于注入处理而在表面具有残留物并具有剥离形貌的衬底的方法。该方法包括从衬底上把残留物去除到基本等于剥离形貌的水平高度，从而在衬底上获得基本均匀的平坦表面，然后抛光衬底的整个表面以消除缺陷。

公开(公告)号：CN101764103A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910205768.1

申请日：2009-10-09

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 克里斯托夫·菲盖 ,  克里斯托夫·布维尔 ,  塞琳·凯勒尔 ,  亚历克西斯·德劳因 ,  蒂博·莫里斯

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/78 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种制造半导体衬底的方法，其包括下列步骤：提供绝缘体上半导体型衬底；提供扩散阻挡层；以及提供第二半导体层。通过提供扩散阻挡层使得能够抑制从重掺杂的第一半导体层向第二半导体层的扩散。本发明还涉及一种相应的半导体衬底以及包括这种衬底的光电器件。

公开(公告)号：CN100521098C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200510112843.1

申请日：2003-12-05

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 法布里斯·勒泰特 ,  克里斯托夫·马勒维尔 ,  蒂博·莫里斯 ,  卡洛斯·马祖拉 ,  弗雷德里克·梅特拉尔

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02032 ,  B23K26/066 ,  B23K26/38 ,  B26F3/004 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明涉及一种用于重复利用由于注入处理而在表面具有残留物并具有剥离形貌的衬底的方法。该方法包括从衬底上将残留物切断到基本等于剥离形貌的水平高度，以在衬底上获得基本均匀的平坦表面；以及抛光衬底的整个表面，以消除缺陷并制备能与另一个衬底进行分子焊接的表面。

公开(公告)号：CN1783435A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510112843.1

申请日：2003-12-05

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 法布里斯·勒泰特 ,  克里斯托夫·马勒维尔 ,  蒂博·莫里斯 ,  卡洛斯·马祖拉 ,  弗雷德里克·梅特拉尔

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02032 ,  B23K26/066 ,  B23K26/38 ,  B26F3/004 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明涉及一种用于重复利用由于注入处理而在表面具有残留物并具有剥离形貌的衬底的方法。该方法包括从衬底上将残留物切断到基本等于剥离形貌的水平高度，以在衬底上获得基本均匀的平坦表面；以及抛光衬底的整个表面，以消除缺陷并制备能与另一个衬底进行分子焊接的表面。

公开(公告)号：CN1521814A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200310116991.1

申请日：2003-12-05

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 法布里斯·勒泰特 ,  克里斯托夫·马勒维尔 ,  蒂博·莫里斯 ,  卡洛斯·马祖拉 ,  弗雷德里克·梅特拉尔

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02019 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/02079 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明涉及一种用于重复利用由于注入处理而在表面具有残留物并具有剥离形貌的衬底的方法。该方法包括从衬底上把残留物去除到基本等于剥离形貌的水平高度，从而在衬底上获得基本均匀的平坦表面，然后抛光衬底的整个表面以消除缺陷。