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公开(公告)号：CN112470252B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201880093970.7
申请日：2018-06-07
申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 本发明揭示了清洗半导体硅片(202)的装置及方法。其中，方法包括以下步骤：将一片或多片硅片(202)依次输送到至少一个第一槽(201)内及一个或多个第二槽(207)内以执行槽式清洗工艺，所述第一槽(201)内盛有化学液，第二槽(207)内盛有清洗液；从一个或多个第二槽(207)内的清洗液中取出该一片或多片硅片(202)，并将该一片或多片硅片(202)传输至一个或多个单片清洗模组(510)内以执行单片硅片的清洗及干燥工艺；其中，从该一片或多片硅片(202)从所述至少一个第一槽(201)内的化学液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片(202)浸入所述一个或多个第二槽(207)内的清洗液中，和/或从该一片或多片硅片(202)从所述一个或多个第二槽(207)内的清洗液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片(202)传输到一个或多个单片清洗模组(510)中，在该一片或多片硅片(202)上控制并保持一定厚度的液膜(204,504)。
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公开(公告)号：CN117826536A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211203651.1
申请日：2022-09-29
申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司 , 清芯科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体生产中的设备，具体为一种热处理装置。装置包括冷却单元、加热单元和传输单元。冷却单元包括用于冷却基板的冷却板，加热单元包括用于加热基板的加热板；传输单元包括传输臂、升降模块和直线模块，传输臂承托基板并在冷却单元和加热单元之间传输基板；传输臂设置在升降模块上，升降模块驱动传输臂上升和下降，直线模块驱动传输臂在冷却板和加热板之间传输基板。本发明优化了装置的内部空间。
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公开(公告)号：CN116264153A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111531177.0
申请日：2021-12-14
申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种晶圆背面清洗方法，包括：使用晶圆夹持部保持晶圆，晶圆夹持部与晶圆之间形成一间隙；按照第一流量向间隙内部通入保护气体；将保护气体的流量由第一流量调整为第二流量，并使晶圆在晶圆夹持部的第一转速的带动下旋转，对晶圆的背面进行清洗处理；使晶圆夹持部的转速由第一转速调整为第二转速，晶圆在晶圆夹持部的带动下旋转以对晶圆进行干燥处理；使旋转的晶圆停止旋转，将保护气体的流量由第二流量再次调整为第一流量，然后将晶圆取出；取出晶圆后，停止通入保护气体。本发明通过调节保护气体的开关逻辑和流量大小，保证了晶圆的正面在晶圆背面清洗工艺过程中不易被外界杂质吸附，提高了晶圆背面清洗的稳定性。
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公开(公告)号：CN115803848A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202080099666.0
申请日：2020-04-21
申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种去除基板上的颗粒或光刻胶的方法及装置。在一个实施例中，一种方法包括以下步骤：将一片或多片基板传输至容纳于DIO3槽的DIO3溶液中；所述一片或多片基板在DIO3槽中处理完后，将所述一片或多片基板从DIO3槽中取出并传输至容纳于SPM槽的SPM溶液中；所述一片或多片基板在SPM槽中处理完后，将所述一片或多片基板从SPM槽中取出并进行冲洗；以及将所述一片或多片基板传输至一个或多个单片清洗腔中以执行单片基板清洗和干燥工艺。本发明将DIO3和SPM结合在一个清洗程序中，可以去除颗粒或光刻胶，尤其是去除被中剂量或高剂量离子注入处理过的光刻胶。
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公开(公告)号：CN115704648A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110909571.7
申请日：2021-08-09
申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于超临界流体的干燥装置，包括：上罩；底座，设置于上罩下方，且适于与上罩沿竖直方向相对运动，以闭合成耐压的密闭腔室；基板托盘，设置于底座上，用于承载基板；第一流体供应管，设置于上罩顶壁，用于向密闭腔室内部供应超临界流体，使得密闭腔室由大气压状态达到超临界状态；扰流板，设置在第一流体供应管下方；第二流体供应管，设置于上罩的第一侧壁，用于向密闭腔室内部供应超临界流体；流体排出管，设置于上罩的第二侧壁。采用本发明能够将密闭腔室内部空间达到最小化，节省了超临界流体的用量，降低使用成本。
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公开(公告)号：CN115903404A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202110963138.1
申请日：2021-08-20
申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司 , 清芯科技有限公司
IPC分类号： G03F7/30 , G03F7/16 , H01L21/677
摘要： 本发明揭示一种涂覆显影设备，包括依次连接的设备前端模块、工艺站以及接口站，工艺站包括涂覆单元、显影单元、至少一个横向移动的移动传输部以及至少一个侧面机械手，当基板在涂覆单元完成处理后，由至少一个侧面机械手将基板搬入移动传输部中，并由移动传输部传送至接口站；当基板在显影单元完成处理后，由至少一个侧面机械手将基板搬入移动传输部中，并由移动传输部传送至设备前端模块。在本发明中，配置移动传输部和侧面机械手，负责在设备前端模块和接口站之间传送在涂覆或显影单元完成处理之后的基板，能够降低涂覆或显影单元内部的机械手运行负荷，从而降低机械手运行效率对涂覆显影设备产出率的影响，进而提高涂覆显影设备的产出率。
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公开(公告)号：CN112470252A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201880093970.7
申请日：2018-06-07
申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 本发明揭示了清洗半导体硅片(202)的装置及方法。其中，方法包括以下步骤：将一片或多片硅片(202)依次输送到至少一个第一槽(201)内及一个或多个第二槽(207)内以执行槽式清洗工艺，所述第一槽(201)内盛有化学液，第二槽(207)内盛有清洗液；从一个或多个第二槽(207)内的清洗液中取出该一片或多片硅片(202)，并将该一片或多片硅片(202)传输至一个或多个单片清洗模组(510)内以执行单片硅片的清洗及干燥工艺；其中，从该一片或多片硅片(202)从所述至少一个第一槽(201)内的化学液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片(202)浸入所述一个或多个第二槽(207)内的清洗液中，和/或从该一片或多片硅片(202)从所述一个或多个第二槽(207)内的清洗液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片(202)传输到一个或多个单片清洗模组(510)中，在该一片或多片硅片(202)上控制并保持一定厚度的液膜(204,504)。
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公开(公告)号：CN117276113A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210666391.5
申请日：2022-06-14
申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种湿法工艺中的喷嘴控制方法、装置和计算机可读介质。该方法包括：设置喷嘴的移动路径，所述移动路径包括多个特征位置；构建控制菜单，所述控制菜单中包括所述喷嘴在每个所述特征位置的工作参数，所述工作参数包括喷嘴移动速度和喷液流量，其中，所述喷嘴在相邻的特征位置之间采用匀变速方式移动；以及根据所述控制菜单控制所述喷嘴沿着所述移动路径移动，并在每个所述特征位置根据对应的所述工作参数工作。采用本发明的方法和装置可以使晶圆的清洗或刻蚀效果具有良好的均一性。
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