公开(公告)号：CN109478524B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201680086618.1

申请日：2016-07-06

申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 陈福发 ,  方志友 ,  吴均 ,  王晖 ,  陈福平 ,  王文军

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明揭示了一种用于清洗基板(107)背面的基板支撑装置(300)。该基板支撑装置(300)包括中空轴(319)和旋转轴(303)。旋转轴(303)设置在中空轴(319)内，旋转轴(303)的外壁与中空轴(319)的内壁之间具有一间距，旋转轴(303)的外壁设有挡墙(322)和凹槽(324)以阻止间距内的微粒进入形成在中空轴(319)上并供应气体到基板(107)的正面的气体槽(325)，避免微粒污染基板(107)的正面，从而提高了半导体器件的质量。

公开(公告)号：CN108292620B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201580084623.4

申请日：2015-11-20

申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 王晖 ,  吴均 ,  方志友

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/683

摘要： 一种输送半导体衬底(304,404)的机械手(300,400,500,600)包括主体部分(301，401,501,601)、从主体部分(301，401,501,601)延伸出的末端部分(302,402,502,602)、位于末端部分(302,402,502,602)的多个真空吸盘、以及分别与多个真空吸盘连接的多条真空管路。任意两个相邻的真空吸盘之间的距离满足以下条件：由这两个相邻真空吸盘中的一个向下吸半导体衬底(304,404)而产生的半导体衬底(304,404)的竖直位移大于在这两个相邻真空吸盘范围内的半导体衬底(304,404)的翘曲，因此，一旦这两个相邻真空吸盘中的一个吸住半导体衬底(304,404)，这两个相邻真空吸盘中的另一个也跟着吸住半导体衬底(304,404)。

公开(公告)号：CN109075102B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201680083753.0

申请日：2016-03-18

申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 王晖 ,  杨宏超 ,  吴均 ,  王文军 ,  陈福平 ,  方志友

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种用于热处理衬底的衬底热处理装置，包括烤盘、多个支撑件、挡板和驱动装置。烤盘设有至少一条气体通道。多个支撑件支撑衬底。挡板安装在烤盘的顶面，挡板包围衬底且挡板的内壁与衬底之间形成有间隙。驱动装置驱动该多个支撑件上升或下降。热处理衬底时，通过烤盘的气体通道向衬底和烤盘顶面之间的空间供入热的气体，热的气体从挡板的内壁与衬底之间的间隙流出。

公开(公告)号：CN112470252A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201880093970.7

申请日：2018-06-07

申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 王晖 ,  方志友 ,  吴均 ,  卢冠中 ,  陈福平 ,  王坚 ,  王俊 ,  王德云

IPC分类号： H01L21/00

摘要： 本发明揭示了清洗半导体硅片(202)的装置及方法。其中，方法包括以下步骤：将一片或多片硅片(202)依次输送到至少一个第一槽(201)内及一个或多个第二槽(207)内以执行槽式清洗工艺，所述第一槽(201)内盛有化学液，第二槽(207)内盛有清洗液；从一个或多个第二槽(207)内的清洗液中取出该一片或多片硅片(202)，并将该一片或多片硅片(202)传输至一个或多个单片清洗模组(510)内以执行单片硅片的清洗及干燥工艺；其中，从该一片或多片硅片(202)从所述至少一个第一槽(201)内的化学液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片(202)浸入所述一个或多个第二槽(207)内的清洗液中，和/或从该一片或多片硅片(202)从所述一个或多个第二槽(207)内的清洗液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片(202)传输到一个或多个单片清洗模组(510)中，在该一片或多片硅片(202)上控制并保持一定厚度的液膜(204,504)。

公开(公告)号：CN112470252B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201880093970.7

申请日：2018-06-07

申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 王晖 ,  方志友 ,  吴均 ,  卢冠中 ,  陈福平 ,  王坚 ,  王俊 ,  王德云

IPC分类号： H01L21/00

摘要： 本发明揭示了清洗半导体硅片(202)的装置及方法。其中，方法包括以下步骤：将一片或多片硅片(202)依次输送到至少一个第一槽(201)内及一个或多个第二槽(207)内以执行槽式清洗工艺，所述第一槽(201)内盛有化学液，第二槽(207)内盛有清洗液；从一个或多个第二槽(207)内的清洗液中取出该一片或多片硅片(202)，并将该一片或多片硅片(202)传输至一个或多个单片清洗模组(510)内以执行单片硅片的清洗及干燥工艺；其中，从该一片或多片硅片(202)从所述至少一个第一槽(201)内的化学液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片(202)浸入所述一个或多个第二槽(207)内的清洗液中，和/或从该一片或多片硅片(202)从所述一个或多个第二槽(207)内的清洗液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片(202)传输到一个或多个单片清洗模组(510)中，在该一片或多片硅片(202)上控制并保持一定厚度的液膜(204,504)。

公开(公告)号：CN105280518B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201410238135.1

申请日：2014-05-30

申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 王文军 ,  王晖 ,  陈福平 ,  方志友

IPC分类号： H01L21/67

摘要： “智能城市，智能生活”的理念深入人心，人们对半导体制品的工艺要求也越来越高。作为半导体加工过程中重要一环的基板热处理装置，一直备受瞩目，而如何确保晶圆在加热过程中受热均匀，一直是从业者们殚精竭虑的难题。本发明提供了一种半导体基板的热处理装置，包括排气装置和加热腔体，所述加热腔室内在加热过程中充入氮气，通过氮气将热量间接地传递至晶圆表面，从而消除了晶圆翘曲造成的加热不均匀问题。