-
公开(公告)号：CN1596470A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN02823591.6
申请日：2002-11-28
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L23/58 , G06K19/073
CPC classification number: H01L23/576 , G06K19/073 , G06K19/07372 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体器件(11)包括由钝化结构覆盖的电路。其设置有包括钝化结构的局部区域且具有第一阻抗的第一安全元件(12)。优选地，存在多个安全元件(12)，它们的阻抗不同。半导体器件(11)还包括用于测量第一阻抗实际值的测量装置(4)和包括第一存储元件(7A)的用于将实际值作为第一参考值存储在第一存储元件(7A)中的存储器(7)。通过一种方法可以初始化本发明的半导体器件(11)，在该方法中将实际值作为第一参考值存储。通过比较再次测量的实际值与第一参考值来检验其真实性。
-
公开(公告)号：CN1729583A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200380107107.6
申请日：2003-12-03
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·H·R·兰克霍斯特 , L·范皮特森 , R·A·M·沃特斯 , E·R·梅恩德斯
Abstract: 电器件(1，100)具有主体(2，101)，主体(2，101)具有电阻器(7，250)，电阻器(7，250)包含可在第一相和第二相之间转变的相变材料。电阻器(7，250)的电阻取决于相变材料处于第一相还是第二相。电阻器(7，250)也能够传导电流，用于促使从第一相到第二相的转变。相变材料是快速生长材料，它的组成式可以是Sb1－cMc，其中c满足0.05≤c≤0.61，M是选自包括Ge、In、Ag、Ga、Te、Zn和Sn的组中的一种或多种元素；或组成式可以是SbaTebX100－(a+b)，其中a、b和100－(a+b)表示原子百分比，满足1≤a/b≤8和4≤100－(a+b)≤22，以及X为选自Ge、In、Ag、Ga和Zn中的一种或多种元素。
-
公开(公告)号：CN1643681A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806563.0
申请日：2003-03-20
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01L23/573 , G06K19/07372 , H01L23/28 , H01L27/02 , H01L2924/0002 , Y10S257/922 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件包括具有第一(1)和相对的第二侧(2)的衬底(10)，在第一侧有多个晶体管和互连，其由保护性安全覆盖物(16)覆盖，该器件还提供有接合焊盘区(14)。保护性安全覆盖物(16)包括基本上非透明且基本上化学惰性的安全涂层(16)，且接合焊盘区(14)可从衬底(10)的第二侧进入。半导体器件可以使用衬底转印技术适当地进行制备，其中在保护性安全覆盖物(16)处提供第二衬底(24)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1726602A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200380106497.5
申请日：2003-12-05
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·H·R·拉克霍斯特 , F·P·维德肖文 , R·A·M·沃特斯 , W·S·M·M·科特拉亚斯 , E·R·梅恩德斯
Abstract: 电子器件(100)具有包含电阻器(107)的体部(102)，电阻器(107)包含能够在第一相位和第二相位之间变化的相变材料。当相变材料处于第一相位时电阻器(107)具有第一电阻，并且当相变材料处于第二相位时电阻器(107)具有不同于第一电阻的第二电阻。相变材料构成第一接触面积和第二接触面积之间的导电通路，导电通路的横截面小于第一接触面积和第二接触面积。体部(102)还具有能够传导电流的加热元件106，以便能够从第一相位转换到第二相位。该加热元件(106)优选地与电阻器(107)平行排列。
-
公开(公告)号：CN1606803A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN02825428.7
申请日：2002-12-06
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： R·A·M·沃特斯 , A·M·范格拉文-克拉亚斯森
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/2855 , H01L21/76855 , H01L21/76864 , H01L21/76867 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在半导体本体上提供铜金属化的方法，包括在含氮气氛中淀积铜以形成含氮铜籽晶层的步骤，以及在籽晶层上形成铜金属化，还包括加热籽晶层以释放氮从而形成将籽晶层与半导体本体隔离的部分阻挡层的步骤。
-
公开(公告)号：CN1596471A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN02823598.3
申请日：2002-11-28
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L23/58 , G06K19/073
CPC classification number: H01L23/576 , G06K19/073 , G06K19/07372 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , Y10S257/922 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体器件包括一种由钝化结构(50)覆盖的电路。半导体器件设置有包括钝化结构(50)的局部区域的第一和第二安全元件(12A，12B)，并设置有第一和第二电极。安全元件(12A，12B)分别具有阻抗彼此不同的第一和第二阻抗。因为钝化结构具有在该电路之上横向变化的有效介电常数，由此实现本发明的半导体器件。通过测量装置测量阻抗的实际值并通过传送装置将阻抗的实际值转送到存取器件。存取器件包括或有权访问存储阻抗的中央数据库器件。而且，存取器件还可以用存储的阻抗值与实际值比较，以检验半导体器件的真实性或身份。
-
公开(公告)号：CN1326206C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN02825428.7
申请日：2002-12-06
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： R·A·M·沃特斯 , A·M·范格拉文-克拉亚斯森
IPC: H01L21/20 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/2855 , H01L21/76855 , H01L21/76864 , H01L21/76867 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在半导体本体上提供铜金属化的方法，包括在含氮气氛中淀积铜以形成含氮铜籽晶层的步骤，以及在籽晶层上形成铜金属化，还包括加热籽晶层以释放氮从而形成将籽晶层与半导体本体隔离的部分阻挡层的步骤。
-
公开(公告)号：CN1729575A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200380106626.0
申请日：2003-12-05
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·H·R·兰克霍斯特 , E·R·梅恩德斯 , R·A·M·沃特斯 , F·P·维德肖文
Abstract: 电子器件(1、100)具有包括电阻器(7、107)的体部(2、102)，电阻器(7、107)包括可在第一相位和第二相位之间变化的相变材料。当相变材料处于第一相位时电阻器(7、107)具有第一电阻，并且当相变材料处于第二相位时电阻器(7、107)具有不同于第一电阻的第二电阻。体部(2、102)还包括能够传导电流的加热元件(6、106)，以便能够从第一相位转换到第二相位，该加热元件(6、106)与电阻器(7、107)平行排列。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.021 seconds)
