公开(公告)号：CN1326206C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN02825428.7

申请日：2002-12-06

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： R·A·M·沃特斯 ,  A·M·范格拉文-克拉亚斯森

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在半导体本体上提供铜金属化的方法，包括在含氮气氛中淀积铜以形成含氮铜籽晶层的步骤，以及在籽晶层上形成铜金属化，还包括加热籽晶层以释放氮从而形成将籽晶层与半导体本体隔离的部分阻挡层的步骤。

公开(公告)号：CN1606803A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02825428.7

申请日：2002-12-06

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： R·A·M·沃特斯 ,  A·M·范格拉文-克拉亚斯森

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在半导体本体上提供铜金属化的方法，包括在含氮气氛中淀积铜以形成含氮铜籽晶层的步骤，以及在籽晶层上形成铜金属化，还包括加热籽晶层以释放氮从而形成将籽晶层与半导体本体隔离的部分阻挡层的步骤。