相衬成像
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102781327B

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201080063450.5

    申请日:2010-12-03

    IPC分类号: A61B6/00 G01N23/04

    摘要: 用于相衬成像(PCI)的X射线设备经常借助于光栅来建造。对于大的视场(FOV),由于需要具有聚焦的几何结构,这些光栅的生产成本和复杂性可能会明显增加。替代具有大视场的单纯PCI,本发明建议组合具有大的FOV的传统的吸收X射线成像系统与具有小的FOV的能够插入的廉价PCI系统。本发明支持用户将具有减小的FOV的PCI系统导向他认为最感兴趣的区域以执行PCI扫描,这样排除了针对扫描放射科医师不感兴趣区域的X射线剂量暴露。可以基于局部断层摄影产生PCI扫描。

    X射线半导体成像器像素的电隔离

    公开(公告)号:CN101911299B

    公开(公告)日:2014-06-04

    申请号:CN200880123119.0

    申请日:2008-12-26

    IPC分类号: H01L27/146

    CPC分类号: H01L27/1463 H01L27/14659

    摘要: 为了减轻出现在半导体探测器中的电荷共享的影响,提供了一种改进的半导体探测器,其包括:布置用于形成至少一个开口的多个阳极,每个开口由多个阳极中的两个阳极形成;至少一个阴极;位于该多个阳极和该至少一个阴极之间的探测器单元;其中,该探测器单元包括至少一个沟槽,该至少一个沟槽中的每个具有第一开口,该第一开口与由多个阳极中的两个阳极形成的至少一个开口中的一个对准,至少一个沟槽中的每个朝向至少一个阴极延伸。通过在探测器单元中形成沟槽,可以通过相应阳极而不是几个相邻阳极接收由单一光子产生的电荷云,这因此改进了半导体探测器的频谱分辨率和计数速率。

    相衬成像
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102781327A

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN201080063450.5

    申请日:2010-12-03

    IPC分类号: A61B6/00 G01N23/04

    摘要: 用于相衬成像(PCI)的X射线设备经常借助于光栅来建造。对于大的视场(FOV),由于需要具有聚焦的几何结构,这些光栅的生产成本和复杂性可能会明显增加。替代具有大视场的单纯PCI,本发明建议组合具有大的FOV的传统的吸收X射线成像系统与具有小的FOV的能够插入的廉价PCI系统。本发明支持用户将具有减小的FOV的PCI系统导向他认为最感兴趣的区域以执行PCI扫描,这样排除了针对扫描放射科医师不感兴趣区域的X射线剂量暴露。可以基于局部断层摄影产生PCI扫描。

    微分相位对比成像
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103168228B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201180050514.2

    申请日:2011-10-17

    发明人: E·勒斯尔

    摘要: 本发明涉及微分相位对比成像,尤其是用于X射线微分相位对比成像的衍射光栅,例如分析器光栅和相位光栅的结构。为了提供增强的基于相位梯度的图像数据,为用于X射线微分相位对比成像的衍射光栅(14,15)提供第一子区域(23),其包括第一光栅结构(26)的至少一个部分(24)和第二光栅结构(30)的至少一个部分(28)。所述第一光栅结构包括周期性布置的具有第一光栅取向GO1(37)的多个条(34)和间隙(36);其中布置所述条使得它们改变X射线辐射的相位和/或幅度,且其中所述间隙能透过X射线。第二光栅结构包括周期性布置的具有第二光栅取向GO2(44)的多个条(40)和间隙(42),其中布置条,使得它们改变X射线的相位和/或幅度,且其中间隙能透过X射线。所述第一光栅取向GO1与所述第二光栅取向GO2不同。于是,可以针对不同方向采集基于相位梯度的图像信息,无需在例如采集步骤之间旋转或绕枢轴转动任何相应的光栅。