公开(公告)号：CN101171688A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200680014775.8

申请日：2006-04-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·P·V·马斯 ,  W·-J·托伦 ,  H·O·福尔克茨 ,  W·H·梅斯 ,  W·霍克斯特拉 ,  D·W·E·弗布格特 ,  D·H·J·M·赫梅斯

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明涉及具有半导体主体(12)的半导体器件，该半导体主体(12)具有包括二维矩阵像素(1)的图像传感器，每个二维矩阵像素都包括具有电荷聚积半导体区域(2A)且耦合到许多MOS场效应晶体(3)的辐射灵敏元件(2)，其中在半导体主体(12)中为了分隔邻近的像素(1)沉入了隔离区(4)，在它的下面形成具有增加掺杂浓度的另一半导体区域(5)。根据本说明，将另一半导体区域(5)沉入半导体主体(12)的表面中且比隔离区(4)宽。优选地隔离区(4)仅设置在辐射灵敏元件(2)邻接相邻像素(1)的MOS晶体管(3)的位置，并且在两个相邻像素(1)的辐射灵敏元件(2)彼此接界的位置设置具有增加掺杂浓度的又一凹陷的半导体区域(6)。这种器件(10)具有低的漏电流并具有大的辐射灵敏度和电荷存储容量。

公开(公告)号：CN100565892C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200680014775.8

申请日：2006-04-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·P·V·马斯 ,  W·-J·托伦 ,  H·O·福尔克茨 ,  W·H·梅斯 ,  W·霍克斯特拉 ,  D·W·E·弗布格特 ,  D·H·J·M·赫梅斯

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明涉及具有半导体主体(12)的半导体器件，该半导体主体(12)具有包括二维矩阵像素(1)的图像传感器，每个二维矩阵像素都包括具有电荷聚积半导体区域(2A)且耦合到许多MOS场效应晶体(3)的辐射灵敏元件(2)，其中在半导体主体(12)中为了分隔邻近的像素(1)沉入了隔离区(4)，在它的下面形成具有增加掺杂浓度的另一半导体区域(5)。根据本说明，将另一半导体区域(5)沉入半导体主体(12)的表面中且比隔离区(4)宽。优选地隔离区(4)仅设置在辐射灵敏元件(2)邻接相邻像素(1)的MOS晶体管(3)的位置，并且在两个相邻像素(1)的辐射灵敏元件(2)彼此接界的位置设置具有增加掺杂浓度的又一凹陷的半导体区域(6)。这种器件(10)具有低的漏电流并具有大的辐射灵敏度和电荷存储容量。

公开(公告)号：CN1965411A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580018867.9

申请日：2005-05-12

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·马斯 ,  L·德布伦因 ,  D·W·E·弗布格特 ,  N·J·A·范维恩 ,  E·C·E·格伦斯文 ,  G·L·J·卢弗斯 ,  E·H·格鲁特

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232

Abstract: 公开了制造背面(14)照射的图像传感器(1)的方法，该方法包括以下步骤：从具有第一(3)和第二(4)表面的晶片(2)开始；提供从第一表面(3)延伸到晶片的光敏感像素区域(5)；把晶片(2)固定到保护基片(7)，以使得第一表面(3)面对保护基片，晶片包括具有透光层(9)和半导体材料层(10)的第一材料的基片(8)，其中基片(8)通过使用透光层(9)作为阻止层而从半导体材料层(10)被有选择地去除。对于背面照射的图像传感器，光必须透射穿过半导体层而进入光敏感像素区域(5)。为了减小吸收损耗，非常有利的是，半导体层(10)能以良好的均匀性做成相当薄的。因为半导体层减小了厚度，更多的光可以进入光敏感区域，导致图像传感器有提高的效率。