公开(公告)号：CN1679167A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03820267.0

申请日：2003-07-31

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： H·O·福克特斯 ,  J·P·V·马亚斯 ,  D·W·E·维布格特 ,  N·V·鲁基亚诺瓦 ,  D·H·J·M·赫梅斯 ,  W·霍伊克斯特拉 ,  A·J·米伊罗普

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609

Abstract: 一种图像传感器(1)，其包含具有第一导电类型且具有表面(3)的半导体主体(2)，该表面具有大量的单元(4)，单元包括光敏元件(5)和复位晶体管(6)，复位晶体管包括源区(7)、漏区(8)和栅区(9)。源区(7)和漏区(8)具有与第一导电类型相反的第二导电类型，复位晶体管(6)的源区(7)与光敏元件(5)电连接。存在阱区(10)，该阱区从表面(3)延伸到半导体主体(2)中，并且至少部分地在栅区(9)下面延伸，且阱区具有第一导电类型。源区(7)至少基本上在光敏元件(5)的掺杂区(11)中延伸，该掺杂区(11)具有第二导电类型。源－阱结面积被减小，从而减少了白像素的数量和固定的图形噪声。在制造图像传感器的方法中，在栅区(9)的下面部分定位阱区(10)，使得在高掺杂源区(7)和阱区(10)之间存在距离(13)。该距离(13)增加了源和阱结之间的耗尽层宽度，使得隧道电流不再控制漏电流，白像素的相对数量和固定的图形噪声也被减小。

公开(公告)号：CN100565892C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200680014775.8

申请日：2006-04-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·P·V·马斯 ,  W·-J·托伦 ,  H·O·福尔克茨 ,  W·H·梅斯 ,  W·霍克斯特拉 ,  D·W·E·弗布格特 ,  D·H·J·M·赫梅斯

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明涉及具有半导体主体(12)的半导体器件，该半导体主体(12)具有包括二维矩阵像素(1)的图像传感器，每个二维矩阵像素都包括具有电荷聚积半导体区域(2A)且耦合到许多MOS场效应晶体(3)的辐射灵敏元件(2)，其中在半导体主体(12)中为了分隔邻近的像素(1)沉入了隔离区(4)，在它的下面形成具有增加掺杂浓度的另一半导体区域(5)。根据本说明，将另一半导体区域(5)沉入半导体主体(12)的表面中且比隔离区(4)宽。优选地隔离区(4)仅设置在辐射灵敏元件(2)邻接相邻像素(1)的MOS晶体管(3)的位置，并且在两个相邻像素(1)的辐射灵敏元件(2)彼此接界的位置设置具有增加掺杂浓度的又一凹陷的半导体区域(6)。这种器件(10)具有低的漏电流并具有大的辐射灵敏度和电荷存储容量。

公开(公告)号：CN100468753C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN03820267.0

申请日：2003-07-31

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： H·O·福克特斯 ,  J·P·V·马亚斯 ,  D·W·E·维布格特 ,  N·V·鲁基亚诺瓦 ,  D·H·J·M·赫梅斯 ,  W·霍伊克斯特拉 ,  A·J·米伊罗普

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609

Abstract: 一种图像传感器(1)，其包含具有第一导电类型且具有表面(3)的半导体主体(2)，该表面具有大量的单元(4)，单元包括光敏元件(5)和复位晶体管(6)，复位晶体管包括源区(7)、漏区(8)和栅区(9)。源区(7)和漏区(8)具有与第一导电类型相反的第二导电类型，复位晶体管(6)的源区(7)与光敏元件(5)电连接。存在阱区(10)，该阱区从表面(3)延伸到半导体主体(2)中，并且至少部分地在栅区(9)下面延伸，且阱区具有第一导电类型。源区(7)至少基本上在光敏元件(5)的掺杂区(11)中延伸，该掺杂区(11)具有第二导电类型。源-阱结面积被减小，从而减少了白像素的数量和固定的图形噪声。在制造图像传感器的方法中，在栅区(9)的下面部分定位阱区(10)，使得在高掺杂源区(7)和阱区(10)之间存在距离(13)。该距离(13)增加了源和阱结之间的耗尽层宽度，使得隧道电流不再控制漏电流，白像素的相对数量和固定的图形噪声也被减小。

公开(公告)号：CN101171688A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200680014775.8

申请日：2006-04-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·P·V·马斯 ,  W·-J·托伦 ,  H·O·福尔克茨 ,  W·H·梅斯 ,  W·霍克斯特拉 ,  D·W·E·弗布格特 ,  D·H·J·M·赫梅斯

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明涉及具有半导体主体(12)的半导体器件，该半导体主体(12)具有包括二维矩阵像素(1)的图像传感器，每个二维矩阵像素都包括具有电荷聚积半导体区域(2A)且耦合到许多MOS场效应晶体(3)的辐射灵敏元件(2)，其中在半导体主体(12)中为了分隔邻近的像素(1)沉入了隔离区(4)，在它的下面形成具有增加掺杂浓度的另一半导体区域(5)。根据本说明，将另一半导体区域(5)沉入半导体主体(12)的表面中且比隔离区(4)宽。优选地隔离区(4)仅设置在辐射灵敏元件(2)邻接相邻像素(1)的MOS晶体管(3)的位置，并且在两个相邻像素(1)的辐射灵敏元件(2)彼此接界的位置设置具有增加掺杂浓度的又一凹陷的半导体区域(6)。这种器件(10)具有低的漏电流并具有大的辐射灵敏度和电荷存储容量。