公开(公告)号：CN101171688A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200680014775.8

申请日：2006-04-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·P·V·马斯 ,  W·-J·托伦 ,  H·O·福尔克茨 ,  W·H·梅斯 ,  W·霍克斯特拉 ,  D·W·E·弗布格特 ,  D·H·J·M·赫梅斯

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明涉及具有半导体主体(12)的半导体器件，该半导体主体(12)具有包括二维矩阵像素(1)的图像传感器，每个二维矩阵像素都包括具有电荷聚积半导体区域(2A)且耦合到许多MOS场效应晶体(3)的辐射灵敏元件(2)，其中在半导体主体(12)中为了分隔邻近的像素(1)沉入了隔离区(4)，在它的下面形成具有增加掺杂浓度的另一半导体区域(5)。根据本说明，将另一半导体区域(5)沉入半导体主体(12)的表面中且比隔离区(4)宽。优选地隔离区(4)仅设置在辐射灵敏元件(2)邻接相邻像素(1)的MOS晶体管(3)的位置，并且在两个相邻像素(1)的辐射灵敏元件(2)彼此接界的位置设置具有增加掺杂浓度的又一凹陷的半导体区域(6)。这种器件(10)具有低的漏电流并具有大的辐射灵敏度和电荷存储容量。

公开(公告)号：CN100565892C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200680014775.8

申请日：2006-04-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·P·V·马斯 ,  W·-J·托伦 ,  H·O·福尔克茨 ,  W·H·梅斯 ,  W·霍克斯特拉 ,  D·W·E·弗布格特 ,  D·H·J·M·赫梅斯

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明涉及具有半导体主体(12)的半导体器件，该半导体主体(12)具有包括二维矩阵像素(1)的图像传感器，每个二维矩阵像素都包括具有电荷聚积半导体区域(2A)且耦合到许多MOS场效应晶体(3)的辐射灵敏元件(2)，其中在半导体主体(12)中为了分隔邻近的像素(1)沉入了隔离区(4)，在它的下面形成具有增加掺杂浓度的另一半导体区域(5)。根据本说明，将另一半导体区域(5)沉入半导体主体(12)的表面中且比隔离区(4)宽。优选地隔离区(4)仅设置在辐射灵敏元件(2)邻接相邻像素(1)的MOS晶体管(3)的位置，并且在两个相邻像素(1)的辐射灵敏元件(2)彼此接界的位置设置具有增加掺杂浓度的又一凹陷的半导体区域(6)。这种器件(10)具有低的漏电流并具有大的辐射灵敏度和电荷存储容量。