公开(公告)号：CN1965411A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580018867.9

申请日：2005-05-12

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·马斯 ,  L·德布伦因 ,  D·W·E·弗布格特 ,  N·J·A·范维恩 ,  E·C·E·格伦斯文 ,  G·L·J·卢弗斯 ,  E·H·格鲁特

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232

Abstract: 公开了制造背面(14)照射的图像传感器(1)的方法，该方法包括以下步骤：从具有第一(3)和第二(4)表面的晶片(2)开始；提供从第一表面(3)延伸到晶片的光敏感像素区域(5)；把晶片(2)固定到保护基片(7)，以使得第一表面(3)面对保护基片，晶片包括具有透光层(9)和半导体材料层(10)的第一材料的基片(8)，其中基片(8)通过使用透光层(9)作为阻止层而从半导体材料层(10)被有选择地去除。对于背面照射的图像传感器，光必须透射穿过半导体层而进入光敏感像素区域(5)。为了减小吸收损耗，非常有利的是，半导体层(10)能以良好的均匀性做成相当薄的。因为半导体层减小了厚度，更多的光可以进入光敏感区域，导致图像传感器有提高的效率。