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公开(公告)号：CN108570202B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810269011.8
申请日：2018-03-29
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 聚四氟乙烯复合基板材料的制备方法，属于有机/无机复合材料领域。本发明包括下述步骤：1)氮化铝陶瓷粉800℃～1000℃氧化1～4h；2)氮化铝陶瓷粉加入到去离子水和无水乙醇的混合溶液中，称量偶联剂，超声搅拌混合均匀得到混合料；3)混合料过滤，在110～120℃下干燥4～7h，得到改性氮化铝陶瓷粉；4)将改性后的氮化铝陶瓷粉放进粉体处理腔，处理腔温度为105～120℃，将PTFE树脂溶液高压喷入腔体内，得到PTFE包裹的氮化铝粉末；5)加入破乳剂进行破乳；6)粉碎；7)冷压成型，热压烧结。本发明采用热氧化工艺处理AlN粉体，使其表面氧化形成氧化铝薄层，表面羟基有利于偶联剂接枝反应。
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公开(公告)号：CN108570202A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810269011.8
申请日：2018-03-29
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 聚四氟乙烯复合基板材料的制备方法，属于有机/无机复合材料领域。本发明包括下述步骤：1)氮化铝陶瓷粉800℃～1000℃氧化1～4h；2)氮化铝陶瓷粉加入到去离子水和无水乙醇的混合溶液中，称量偶联剂，超声搅拌混合均匀得到混合料；3)混合料过滤，在110～120℃下干燥4～7h，得到改性氮化铝陶瓷粉；4)将改性后的氮化铝陶瓷粉放进粉体处理腔，处理腔温度为105～120℃，将PTFE树脂溶液高压喷入腔体内，得到PTFE包裹的氮化铝粉末；5)加入破乳剂进行破乳；6)粉碎；7)冷压成型，热压烧结。本发明采用热氧化工艺处理AlN粉体，使其表面氧化形成氧化铝薄层，表面羟基有利于偶联剂接枝反应。
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公开(公告)号：CN117777723A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311806966.X
申请日：2023-12-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种有机无机均相复合电介质储能薄膜材料及其制备方法，有机无机均相复合有效规避了界面的失配以及团聚问题，并对材料的介电和储能性质发挥了增益效果。本发明制备的PI复合储能薄膜高温稳定性好，在150℃的温度下，介电常数最高为4.76，而介电损耗则最低为0.0057，同时可以在500MV/m的电场下，实现最高7.33J/cm3的储能密度。本发明制备的耐高温复合储能薄膜具有高储能密度、高介电常数、低损耗等优点，有望应用于电动汽车、智能手机、电子设备等领域，为电子行业用于制备电容器的材料提供了更好地选择。
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公开(公告)号：CN116731456A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310228498.6
申请日：2023-03-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低介电常数低损耗的聚四氟乙烯覆铜板的制备方法，主要步骤包括：将一定量的偶联剂倒入酸性溶液中使其完全水解。再将称量好的一定量的球形二氧化硅陶瓷倒入其中，使陶瓷和偶联剂均匀并充分接触从而将偶联剂成功接枝到陶瓷表面。将表面改性后的二氧化硅粉料与助剂、破乳剂、絮凝剂以及聚四氟乙烯混合然后将混合后的悬浮液在高速分散机中混合。加热混合乳液直至乳液破乳，获得复合面团。将复合面团放置于辊压机上反复辊压使复合材料初步成型。随后放入烘箱烘干。将干燥后的复合基板置于真空烧结炉中，待烧结完成，自然冷却后，可获得PTFE/SiO2覆铜板。此制备方法解决了传统覆铜板介电损耗高的问题，具优异的介电性能。能够广泛应用于高频的现代电子通讯领域。
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公开(公告)号：CN115504785A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211116296.4
申请日：2022-09-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/505 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供钇过量的掺稀土元素的YAG微波介质陶瓷材料及其制备方法，材料化学通式为Y3.03‑xRexAl5O12，Re为La3+，Ce3+，Nd3+，Sm3+，Gd3+，Er3+，Yb3+，Lu3+多种稀土离子中的一种或多种；0.03≤x≤0.1；本发明的制备方法包括步骤：配料、球磨、烘干过筛、预烧、干压、冷等静压成型、真空烧结、气氛控制退火。本发明材料为典型YAG微波介电陶瓷，所得材料在晶界处捕获刃型位错结构，实现低损耗特征，Q×f在160000GHz～200000GHz之间，相对介电常数εr在10～16之间，频率温度系数τf在‑36ppm/℃～‑25ppm/℃之间。配方中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，性能稳定，能够满足现代微波器件的应用需求，原材料在国内供应充足，价格低廉，使高性能微波陶瓷的低成本化成为可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114379188A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210221045.6
申请日：2022-03-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: B32B37/06 , B32B37/10 , B32B38/00 , B32B15/20 , B32B15/06 , B32B15/082 , B32B15/085 , B32B25/14 , B32B25/04 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/06 , B32B27/18 , B32B27/20
Abstract: 本发明公开了一种低介低损耗的聚烯烃基覆铜板的制备方法，主要步骤包括：陶瓷填料用硅烷偶联剂进行表面处理；将表面改性后的二氧化硅粉料与溶剂、固化剂、助剂、以及按一定比例复配的聚烯烃混合；将混合后的混料充分混合均匀；混合完成后的浆料利用涂膜机涂膜；涂膜完成后进行低温烘干制成生胶膜片；生胶膜片在真空烘箱中半固化后脱模，制成有一定强度的半固化膜片；将上述步骤半固化片层叠达到需求厚度；将层叠后的两面覆上铜箔在真空热压机中热压成型。解决了传统覆铜板比重大，介质损耗高等问题。用此种方法所制备的覆铜板兼具优异的机械强度和介电性能，能够广泛应用于高速高频的现代电子通讯领域。
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公开(公告)号：CN113735576A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111211501.0
申请日：2021-10-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种非化学计量的钇铝石榴石微波介电陶瓷及其制备方法，该陶瓷的化学通式为Y3+xAl5+yO12，其中，0≤x≤0.12，0≤y≤0.2，且x与y不同时为0。本发明经过第一次球磨混合、干燥、过筛、成型、真空烧结和氧气退火后制成；制成品的晶相仍保留立方石榴石结构。本发明通过调整AB位离子的化学计量比调控了该陶瓷的微波介电性能，最终得出了相对介电常数εr在9.1～12.8之间可调，Q×f值达到195000GHz～240000GHz的优异的微波性能，谐振频率温度系数τf在‑26ppm/℃～‑36ppm/℃之间可调，制备工艺简单，并且性能稳定，满足现代微波器件的应用需求。
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公开(公告)号：CN109503162B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201811530024.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Co‑Sn‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料晶体结构为Trirutile相，烧结温度1250‑1350℃，介电常数15‑20，损耗介于4.81×10‑4‑6.02×10‑4，谐振频率温度稳定系数‑2.65～‑0.59ppm/℃。将原料Co2O3、SnO2和Ta2O5按化学通式Co0.5Sn0.5TaO4配比，再通过固相法制得。本发明的Co0.5Sn0.5TaO4微波介质陶瓷具有适中的介电常数以及近零的谐振频率温度稳定系数，且烧结温度相对较低；其制备方法简单，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN109467432B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811529798.3
申请日：2018-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Mg‑Ti‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料，烧结温度1200‑1300℃，介电常数40‑44，损耗低至2.34×10‑4，晶体结构为Trirutile相的Mg0.5Ti0.5TaO4。将原料Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O，TiO2，Ta2O5按化学通式Mg0.5Ti0.5TaO4配比，再通过固相法即可制得。本发明提供的Mg0.5Ti0.5TaO4微波介质陶瓷，烧结温度低，适中的介电常数，以及介质损耗低，且制备方法，工艺简单，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN109574663B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201811530556.6
申请日：2018-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Ni‑Ti‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法，材料结构为Trirutile相。本发明提供的材料，烧结温度适中(1150‑1250℃)，介电常数适中(39‑41)，损耗低至4.43×10‑4，晶体结构为Co0.5Ti0.5TaO4。将原料Ni2O3，TiO2和Ta2O5按化学通式Ni0.5Ti0.5TaO4配比，再通过固相法制得。本发明提供的Ni0.5Ti0.5TaO4微波介质陶瓷具有较低的烧结温度，适中的介电常数以及较低的介质损耗，且其制备方法简单，易于工业化生产。
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