公开(公告)号：CN110229004B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201910603226.3

申请日：2019-07-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿程 ,  孙成礼 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法，主要用于通讯系统的介质滤波器。本发明材料为BaWO4基微波介质陶瓷材料，烧结温度850℃～900℃，介电常数5.8～9.0，损耗低至3.70×10‑4，频率温度系数‑30～‑10ppm/℃；其化学通式为BaWO4‑xM2CO3‑yBaO‑zB2O3‑wSiO2，其中M为Li+、K+或Na+碱金属离子，且x、y、z、w不能同时为零。当y＝0时，在850℃～900℃下烧结后均为BaWO4相；当y不等于0时，主晶相为BaWO4相，次晶相为BaSi2O5相。制备时，直接将原料按照所需化学式配料，通过固相烧结法制得；最终获得烧结温度低至850℃，保温时间0.5～2h，介电性能5.8～9.0满足高频介质滤波器的BaWO4基的LTCC微波介质陶瓷材料，可应用在LTCC领域。

公开(公告)号：CN112194466A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202011072559.7

申请日：2020-10-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  温擎宇 ,  杨鸿程 ,  孙成礼 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明首次将CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表CaAl2B2O7作为低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料应用，提供的低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料，其原料组成为CaCO3、Al2O3和H3BO3，化学通式为CaAl2xB2O7(x＝0.25～1)，主晶相为CaAl2B2O7，利用固相烧结法制备，其预烧温度为750℃～900℃，烧结温度为930℃～1040℃，具有低介电常数(4～6)，损耗低至2.14×10‑4，频率温度系数‑20～‑30ppm/℃。本发明为低介低损介质陶瓷材料提供了一种新的选择。

公开(公告)号：CN109467433A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811529803.0

申请日：2018-12-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿宇 ,  杨鸿程 ,  陈亚伟 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Co-Ti-Ta基介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的Co-Ti-Ta基介质陶瓷材料，为Co0.5Ti0.5TaO4微波介质陶瓷材料，具有Trirutile相晶体结构，预烧温度800℃-1100℃，烧结温度1000-1100℃相对较低，介电常数适中(36-41)，损耗低至4.3×10-4。其原料组成为Co2O3，TiO2，Ta2O5，化学通式Co0.5Ti0.5TaO4，通过固相法制得。本发明的材料介电常数高，烧结温度低，且其制备方法简单，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN107721421A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201711036661.X

申请日：2017-10-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿程 ,  杨鸿宇 ,  袁颖 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Zn-Nb-Ti系LTCC材料及其制备方法。本发明提供的LTCC材料，基料为Zn0.15Nb0.3Ti0.55O2陶瓷，烧结温度≤900℃，包含主晶相Zn0.15Nb0.3Ti0.55O2和次晶相ZnTiNb2O8两个物相。其原料由ZnO、TiO2和Nb2O5，以及占其质量百分比为0.5％～4％的降烧剂组成，通过固相法制备。降烧剂的组分为：Li2CO3：36.15％～44.53％、H3BO3：38.35％～44.86％、SiO2：2.56％～6.33％、CuO：0％～5％、CaO：0％～10％。本发明通过降烧剂的使用，在保证材料的性能参数的同时，实现Zn0.15Nb0.3Ti0.55O2陶瓷的低温烧结(≤900℃)，以应用于LTCC工艺。

公开(公告)号：CN112194468B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202011075136.0

申请日：2020-10-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  温擎宇 ,  杨鸿程 ,  孙成礼 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介电常数、低介电损耗Ca‑Al‑B基微波介质LTCC材料及其制备方法。本发明将CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表CaAl2B2O7作为Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料通过添加助剂使其可应用于LTCC领域，实现了850℃～900℃的低温致密烧结，介电常数5～6.2，损耗低至4.19×10‑4，频率温度系数‑30～‑20ppm/℃。CaAl2B2O7作为CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表，其研究仅限于发光性能以及晶体结构分析，在固相烧结中，其反应过程、物相组成以及微波介电性能与各个物相含量之间的关系均未具体研究。本发明为低介低损LTCC材料提供了一种具有优异性能LTCC材料的新选择。

公开(公告)号：CN112194466B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202011072559.7

申请日：2020-10-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  温擎宇 ,  杨鸿程 ,  孙成礼 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明首次将CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表CaAl2B2O7作为低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料应用，提供的低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料，其原料组成为CaCO3、Al2O3和H3BO3，化学通式为CaAl2xB2O7(x＝0.25～1)，主晶相为CaAl2B2O7，利用固相烧结法制备，其预烧温度为750℃～900℃，烧结温度为930℃～1040℃，具有低介电常数(4～6)，损耗低至2.14×10‑4，频率温度系数‑20～‑30ppm/℃。本发明为低介低损介质陶瓷材料提供了一种新的选择。

公开(公告)号：CN109467433B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201811529803.0

申请日：2018-12-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿宇 ,  杨鸿程 ,  陈亚伟 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Co‑Ti‑Ta基介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的Co‑Ti‑Ta基介质陶瓷材料，为Co0.5Ti0.5TaO4微波介质陶瓷材料，具有Trirutile相晶体结构，预烧温度800℃‑1100℃，烧结温度1000‑1100℃相对较低，介电常数适中(36‑41)，损耗低至4.3×10‑4。其原料组成为Co2O3，TiO2，Ta2O5，化学通式Co0.5Ti0.5TaO4，通过固相法制得。本发明的材料介电常数高，烧结温度低，且其制备方法简单，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN109574663A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811530556.6

申请日：2018-12-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿宇 ,  杨鸿程 ,  陈亚伟 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Ni-Ti-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法，材料结构为Trirutile相。本发明提供的材料，烧结温度适中(1150-1250℃)，介电常数适中(39-41)，损耗低至4.43×10-4，晶体结构为Co0.5Ti0.5TaO4。将原料Ni2O3，TiO2和Ta2O5按化学通式Ni0.5Ti0.5TaO4配比，再通过固相法制得。本发明提供的Ni0.5Ti0.5TaO4微波介质陶瓷具有较低的烧结温度，适中的介电常数以及较低的介质损耗，且其制备方法简单，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN114671614B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210391924.3

申请日：2022-04-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  王宇晨 ,  杨鸿程 ,  钟朝位 ,  张树人 ,  孙成礼

IPC: C03C10/02 ,  C03C6/04 ,  C03B19/06

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及其制备方法。本发明通过对钙硼硅基微晶玻璃材料的原料组分以及比例的重大幅度调整，最终以钙、铝、硼和硅为基料，辅以BaCO3、P2O5，并微量添加CeO2、La2O3和Na2CO3作为微量元素，通过将原料熔融、水淬、造粒等工艺，即可在850～950℃的低温下烧结获得低介(εr＝4～5)、低损(Tanδ

公开(公告)号：CN114409389A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210026261.5

申请日：2022-01-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  吴裴 ,  杨鸿程 ,  钟朝位 ,  张树人 ,  孙成礼

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明属于电子信息陶瓷及其制造领域，具体涉及一种低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料及其制备方法。本发明充分利用了复杂化学键理论由于Si4+离子极化率低和Si‑O键的共价键性高，所以Si‑O键的晶格能高这一特性，通过调整Ba‑Si基陶瓷原料配方，采用固相法，在850℃～950℃的低温下烧结成型致密的Ba‑Si‑B‑M基微波陶瓷材料。在烧结过程中形成低共熔化合物，从而推动晶粒重排，并且随着烧结的进行析出BaSi2O5相的陶瓷；并且没有二次相，确保了陶瓷材料的介电性能和机械性能优异，具有高Q×f值，6～7.5的低介电常数，介电损耗低至6.13×10‑4，可在LTCC中推广应用。