公开(公告)号：CN113896530B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111292699.X

申请日：2021-11-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 曲明山 ,  邢孟江 ,  杨鸿宇

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种温度稳定的改性NiO‑Ta2O5基微波介质陶瓷材料及其制备方法。利用离子掺杂改性形成固溶体结构是调节微波介电性能，尤其是调节温度稳定性的重要措施。本发明基于固溶体的形成规则，考虑在NiTa2O6陶瓷中引入Ni2+与Ta5+离子在相同配位环境下(配位数CN＝6)具有相近离子半径的阳离子掺杂，包括了设计Ni2+离子被Cu2+离子取代，(Ni1/3Ta2/3)4+复合离子被复合离子[(Al1/2Nb1/2)ySn1‑y]4+取代的方式，从而获得NiTa2O6固溶体结构的陶瓷材料，并通过调节各掺杂离子的摩尔含量，最终制备出了一种具有优异温度稳定性且低损耗的微波介质陶瓷材料，微波介电性能优越。

公开(公告)号：CN114773060A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210472764.5

申请日：2022-04-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 曲明山 ,  邢孟江 ,  杨鸿宇 ,  乔峰

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体为一种多层陶瓷电容器用Mg‑Ta基介质陶瓷及其低温制备方法，通过提供一种与Mg‑Ta陶瓷具有高匹配性的玻璃改性剂，在MgO‑Ta2O5主料中引入一种改性剂A+12CO3‑B2+O‑C3+2O3‑SiO2(A＝Li，K；B＝MnO，CuO，BaO；C＝B，Al)，在显著降低烧结温度的同时提供‑100±30ppm/℃的负介电常数温度系数，并减少由于助烧剂带来的损耗恶化因素，制备出具有低损耗、低成本且具有良好工艺稳定性的应用于射频MLCC的介质材料。

公开(公告)号：CN114751734A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210472445.4

申请日：2022-04-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邢孟江 ,  曲明山 ,  杨鸿宇 ,  乔峰 ,  阮丽梅

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体为一种低温烧结Mg‑Ti‑Nb多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法；通过在Mg0.17Nb0.33Ti0.5O2主料中引入复合离子V5+以及Ta5+离子进行部分取代，同时设计外掺一种改性剂A2CO3‑BO‑C2O3‑SiO2(A＝Na，Li；B＝CaO，MgO，CuO；C＝B，Nd)，在显著降低烧结温度的同时提供‑330±30ppm/℃的负介电常数温度系数，并减少由于改性剂带来的损耗恶化因素，制备出具有低损耗、低成本且具有良好工艺稳定性的应用于射频MLCC的介质材料。

公开(公告)号：CN113896530A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202111292699.X

申请日：2021-11-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 曲明山 ,  邢孟江 ,  杨鸿宇

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种温度稳定的改性NiO‑Ta2O5基微波介质陶瓷材料及其制备方法。利用离子掺杂改性形成固溶体结构是调节微波介电性能，尤其是调节温度稳定性的重要措施。本发明基于固溶体的形成规则，考虑在NiTa2O6陶瓷中引入Ni2+与Ta5+离子在相同配位环境下(配位数CN＝6)具有相近离子半径的阳离子掺杂，包括了设计Ni2+离子被Cu2+离子取代，(Ni1/3Ta2/3)4+复合离子被复合离子[(Al1/2Nb1/2)ySn1‑y]4+取代的方式，从而获得NiTa2O6固溶体结构的陶瓷材料，并通过调节各掺杂离子的摩尔含量，最终制备出了一种具有优异温度稳定性且低损耗的微波介质陶瓷材料，微波介电性能优越。

公开(公告)号：CN107140981B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201710388583.3

申请日：2017-05-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿宇 ,  孙怀宝

IPC: H01B3/02 ,  C04B35/495 ,  C04B35/626 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种ZnTiNb2O8系微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料，介电常数30‑46，损耗≤1.5×10‑4，频率温度系数‑10ppm/℃≤τf≤+10ppm/℃，主晶相ZnTiNb2O8，第二相Zn0.17Nb0.33Ti0.5O2。将原料ZnO，TiO2，Nb2O5，Co2O3和Ta2O5按化学通式(Zn1‑xCox)0.5Ti0.5(Nb1‑yTay)O4(0≤x≤0.95mol,y＝0.05‑0.95mol)配比，再通过固相法制得。本发明采用Co和Ta离子分别取代Zn、Nb离子，形成有限固溶体，超出固溶部分形成了温度系数为正的第二相，从而调节频率温度系数近0，且保持了良好的微波性能，其制备方法工艺简单，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN109467433A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811529803.0

申请日：2018-12-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿宇 ,  杨鸿程 ,  陈亚伟 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Co-Ti-Ta基介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的Co-Ti-Ta基介质陶瓷材料，为Co0.5Ti0.5TaO4微波介质陶瓷材料，具有Trirutile相晶体结构，预烧温度800℃-1100℃，烧结温度1000-1100℃相对较低，介电常数适中(36-41)，损耗低至4.3×10-4。其原料组成为Co2O3，TiO2，Ta2O5，化学通式Co0.5Ti0.5TaO4，通过固相法制得。本发明的材料介电常数高，烧结温度低，且其制备方法简单，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN107721421A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201711036661.X

申请日：2017-10-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿程 ,  杨鸿宇 ,  袁颖 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Zn-Nb-Ti系LTCC材料及其制备方法。本发明提供的LTCC材料，基料为Zn0.15Nb0.3Ti0.55O2陶瓷，烧结温度≤900℃，包含主晶相Zn0.15Nb0.3Ti0.55O2和次晶相ZnTiNb2O8两个物相。其原料由ZnO、TiO2和Nb2O5，以及占其质量百分比为0.5％～4％的降烧剂组成，通过固相法制备。降烧剂的组分为：Li2CO3：36.15％～44.53％、H3BO3：38.35％～44.86％、SiO2：2.56％～6.33％、CuO：0％～5％、CaO：0％～10％。本发明通过降烧剂的使用，在保证材料的性能参数的同时，实现Zn0.15Nb0.3Ti0.55O2陶瓷的低温烧结(≤900℃)，以应用于LTCC工艺。

公开(公告)号：CN107140981A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201710388583.3

申请日：2017-05-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿宇 ,  孙怀宝

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/626 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种ZnTiNb2O8系微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料，介电常数30‑46，损耗≤1.5×10‑4，频率温度系数‑10ppm/℃≤τf≤+10ppm/℃，主晶相ZnTiNb2O8，第二相Zn0.17Nb0.33Ti0.5O2。将原料ZnO，TiO2，Nb2O5，Co2O3和Ta2O5按化学通式(Zn1‑xCox)0.5Ti0.5(Nb1‑yTay)O4(0≤x≤0.95mol,y＝0.05‑0.95mol)配比，再通过固相法制得。本发明采用Co和Ta离子分别取代Zn、Nb离子，形成有限固溶体，超出固溶部分形成了温度系数为正的第二相，从而调节频率温度系数近0，且保持了良好的微波性能，其制备方法工艺简单，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN107021757A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710388581.4

申请日：2017-05-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  孙怀宝 ,  杨鸿宇 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，为LiNb0.6Ti0.5O3体系材料通过掺杂改性控制其频率温度系数。其原料组成为按照非化学计量比配制的LiNb0.6Ti(0.5‑x)CaxO3，x＝0.01‑0.1。通过对LiNb0.6Ti0.5O3微波介质陶瓷材料掺入CaCO3粉体的方法获得主晶相为Li1.075Nb0.625Ti0.450O3，第二相为Ca5Nb4Ti3O21的微波介质陶瓷LiNb0.6Ti(0.5‑x)CaxO3；具有高等介电常数60～100以利于器件的小型化，高的品质因数Q×f值2000～5000GHz和可控且较低的频率温度系数20～‑78ppm/℃。

公开(公告)号：CN120004619A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510219158.6

申请日：2025-02-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李智敏 ,  姜登辉 ,  吴黄涛 ,  杨鸿宇 ,  邢林庄

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及一种压电陶瓷浆料及其制备方法，压电陶瓷浆料包括以下原料：流延溶剂、增塑剂、陶瓷粉体、分散剂和聚乙烯醇缩丁醛，其中，流延溶剂包括质量比为1～3:1的酯类溶剂和醇类溶剂；酯类溶剂包括：乙酸乙酯和乙酸丁酯中的一种或多种；醇类溶剂包括：乙醇、正丁醇和异丁醇中的一种或多种。本发明通过酯类溶剂和醇类溶剂混合形成流延浆料溶剂，在降低压电陶瓷浆料毒性的同时，使PVB分子链充分伸展并形成均匀的长程联结网络，并避免PVB溶胀过度引起的粘度增加，为浆料提供良好的机械连续性和均一性。通过该压电陶瓷浆料流延得到的生膜带厚度均匀、外观平整，可应用于多层压电陶瓷驱动器领域。