公开(公告)号：CN114773060A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210472764.5

申请日：2022-04-29

申请人： 电子科技大学

发明人： 曲明山 ,  邢孟江 ,  杨鸿宇 ,  乔峰

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  H01G4/12

摘要： 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体为一种多层陶瓷电容器用Mg‑Ta基介质陶瓷及其低温制备方法，通过提供一种与Mg‑Ta陶瓷具有高匹配性的玻璃改性剂，在MgO‑Ta2O5主料中引入一种改性剂A+12CO3‑B2+O‑C3+2O3‑SiO2(A＝Li，K；B＝MnO，CuO，BaO；C＝B，Al)，在显著降低烧结温度的同时提供‑100±30ppm/℃的负介电常数温度系数，并减少由于助烧剂带来的损耗恶化因素，制备出具有低损耗、低成本且具有良好工艺稳定性的应用于射频MLCC的介质材料。

公开(公告)号：CN114751734A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210472445.4

申请日：2022-04-29

申请人： 电子科技大学

发明人： 邢孟江 ,  曲明山 ,  杨鸿宇 ,  乔峰 ,  阮丽梅

IPC分类号： C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

摘要： 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体为一种低温烧结Mg‑Ti‑Nb多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法；通过在Mg0.17Nb0.33Ti0.5O2主料中引入复合离子V5+以及Ta5+离子进行部分取代，同时设计外掺一种改性剂A2CO3‑BO‑C2O3‑SiO2(A＝Na，Li；B＝CaO，MgO，CuO；C＝B，Nd)，在显著降低烧结温度的同时提供‑330±30ppm/℃的负介电常数温度系数，并减少由于改性剂带来的损耗恶化因素，制备出具有低损耗、低成本且具有良好工艺稳定性的应用于射频MLCC的介质材料。

公开(公告)号：CN114773060B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202210472764.5

申请日：2022-04-29

申请人： 电子科技大学

发明人： 曲明山 ,  邢孟江 ,  杨鸿宇 ,  乔峰

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  H01G4/12

摘要： 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体为一种多层陶瓷电容器用Mg‑Ta基介质陶瓷及其低温制备方法，通过提供一种与Mg‑Ta陶瓷具有高匹配性的玻璃改性剂，在MgO‑Ta2O5主料中引入一种改性剂A+12CO3‑B2+O‑C3+2O3‑SiO2(A＝Li，K；B＝MnO，CuO，BaO；C＝B，Al)，在显著降低烧结温度的同时提供‑100±30ppm/℃的负介电常数温度系数，并减少由于助烧剂带来的损耗恶化因素，制备出具有低损耗、低成本且具有良好工艺稳定性的应用于射频MLCC的介质材料。

公开(公告)号：CN114751743B

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210472444.X

申请日：2022-04-29

申请人： 电子科技大学

发明人： 邢孟江 ,  曲明山 ,  杨鸿宇 ,  乔峰 ,  阮丽梅

IPC分类号： H01G4/12 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01G4/30

摘要： 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体为一种多层陶瓷电容器用改性Ni‑Ti‑Ta介质材料及其低温制备方法，是利用Cu2+离子以及(Al1/2Nb1/2)4+离子分别与Ni及Ti元素半径相近，的特点，在Ni0.5Ti0.5TaO4基料中引入复合离子Cu2+、Al3+以及Nb5+离子进行部分取代，显著降低烧结温度的同时提供‑220±30ppm/℃的负介电常数温度系数，并减少由于助烧剂带来的损耗恶化因素，制备出具有低损耗、低成本且具有良好工艺稳定性的应用于射频MLCC的介质材料。

公开(公告)号：CN114751743A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210472444.X

申请日：2022-04-29

申请人： 电子科技大学

发明人： 邢孟江 ,  曲明山 ,  杨鸿宇 ,  乔峰 ,  阮丽梅

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

摘要： 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体为一种多层陶瓷电容器用改性Ni‑Ti‑Ta介质材料及其低温制备方法，是利用Cu2+离子以及(Al1/2Nb1/2)4+离子分别与Ni及Ti元素半径相近，的特点，在Ni0.5Ti0.5TaO4基料中引入复合离子Cu2+、Al3+以及Nb5+离子进行部分取代，显著降低烧结温度的同时提供‑220±30ppm/℃的负介电常数温度系数，并减少由于助烧剂带来的损耗恶化因素，制备出具有低损耗、低成本且具有良好工艺稳定性的应用于射频MLCC的介质材料。

公开(公告)号：CN114751734B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202210472445.4

申请日：2022-04-29

申请人： 电子科技大学

发明人： 邢孟江 ,  曲明山 ,  杨鸿宇 ,  乔峰 ,  阮丽梅

IPC分类号： C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

摘要： 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体为一种低温烧结Mg‑Ti‑Nb多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法；通过在Mg0.17Nb0.33Ti0.5O2主料中引入复合离子V5+以及Ta5+离子进行部分取代，同时设计外掺一种改性剂A2CO3‑BO‑C2O3‑SiO2(A＝Na，Li；B＝CaO，MgO，CuO；C＝B，Nd)，在显著降低烧结温度的同时提供‑330±30ppm/℃的负介电常数温度系数，并减少由于改性剂带来的损耗恶化因素，制备出具有低损耗、低成本且具有良好工艺稳定性的应用于射频MLCC的介质材料。