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公开(公告)号：CN109467433B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811529803.0
申请日：2018-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Co‑Ti‑Ta基介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的Co‑Ti‑Ta基介质陶瓷材料，为Co0.5Ti0.5TaO4微波介质陶瓷材料，具有Trirutile相晶体结构，预烧温度800℃‑1100℃，烧结温度1000‑1100℃相对较低，介电常数适中(36‑41)，损耗低至4.3×10‑4。其原料组成为Co2O3，TiO2，Ta2O5，化学通式Co0.5Ti0.5TaO4，通过固相法制得。本发明的材料介电常数高，烧结温度低，且其制备方法简单，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN109574663A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811530556.6
申请日：2018-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Ni-Ti-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法，材料结构为Trirutile相。本发明提供的材料，烧结温度适中(1150-1250℃)，介电常数适中(39-41)，损耗低至4.43×10-4，晶体结构为Co0.5Ti0.5TaO4。将原料Ni2O3，TiO2和Ta2O5按化学通式Ni0.5Ti0.5TaO4配比，再通过固相法制得。本发明提供的Ni0.5Ti0.5TaO4微波介质陶瓷具有较低的烧结温度，适中的介电常数以及较低的介质损耗，且其制备方法简单，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN109467433A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811529803.0
申请日：2018-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Co-Ti-Ta基介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的Co-Ti-Ta基介质陶瓷材料，为Co0.5Ti0.5TaO4微波介质陶瓷材料，具有Trirutile相晶体结构，预烧温度800℃-1100℃，烧结温度1000-1100℃相对较低，介电常数适中(36-41)，损耗低至4.3×10-4。其原料组成为Co2O3，TiO2，Ta2O5，化学通式Co0.5Ti0.5TaO4，通过固相法制得。本发明的材料介电常数高，烧结温度低，且其制备方法简单，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN106009428A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610318668.X
申请日：2016-05-13
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C08K7/26 , C08K2201/003 , C08K2201/006 , C08K2201/011 , C08L27/18
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅填充PTFE复合材料及其制备方法，用以制备低介电常数、低密度的PTFE工程材料，尤其用于轻型复合材料领域。本发明利用胶体碳球作为模板的同时，加入表面活性剂CTAB来增加反应效率，在强碱性条件下制备出中空二氧化硅纳米球形微粒，然后利用此微粒作为填充PTFE复合材料的填充粒子，最终得到中空二氧化硅纳米球形微粒填充PTFE复合材料。本发明制备二氧化硅填充PTFE复合材料，介电常数低2.1～2.8，密度低0.8～1.2g/cm3；其填充的二氧化硅，比表面积700～900m2/g，粒径均匀且处于400nm～1μm，结构中空球形，球壳厚度40～80nm，球形度高，制备效率高。
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公开(公告)号：CN111398332A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010205712.2
申请日：2020-03-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其表征领域，涉及一种表征高温下陶瓷在液态玻璃中溶解量与溶解速率的系统及方法。本发明表征系统包括反应装置包括耐900-1600℃高温的坩埚、固定装置、支撑架构成的反应装置和900-1600℃马弗炉，以及测量装置。将陶瓷柱置于液态玻璃中，通过测量待测温度下溶解前后的陶瓷柱外径变化来表征待测陶瓷在高温下与对应玻璃的溶解量与溶解速率，操作简单、效率高且成本极低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109503162B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201811530024.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Co‑Sn‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料晶体结构为Trirutile相，烧结温度1250‑1350℃，介电常数15‑20，损耗介于4.81×10‑4‑6.02×10‑4，谐振频率温度稳定系数‑2.65～‑0.59ppm/℃。将原料Co2O3、SnO2和Ta2O5按化学通式Co0.5Sn0.5TaO4配比，再通过固相法制得。本发明的Co0.5Sn0.5TaO4微波介质陶瓷具有适中的介电常数以及近零的谐振频率温度稳定系数，且烧结温度相对较低；其制备方法简单，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN109467432B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811529798.3
申请日：2018-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Mg‑Ti‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料，烧结温度1200‑1300℃，介电常数40‑44，损耗低至2.34×10‑4，晶体结构为Trirutile相的Mg0.5Ti0.5TaO4。将原料Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O，TiO2，Ta2O5按化学通式Mg0.5Ti0.5TaO4配比，再通过固相法即可制得。本发明提供的Mg0.5Ti0.5TaO4微波介质陶瓷，烧结温度低，适中的介电常数，以及介质损耗低，且制备方法，工艺简单，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN109574663B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201811530556.6
申请日：2018-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Ni‑Ti‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法，材料结构为Trirutile相。本发明提供的材料，烧结温度适中(1150‑1250℃)，介电常数适中(39‑41)，损耗低至4.43×10‑4，晶体结构为Co0.5Ti0.5TaO4。将原料Ni2O3，TiO2和Ta2O5按化学通式Ni0.5Ti0.5TaO4配比，再通过固相法制得。本发明提供的Ni0.5Ti0.5TaO4微波介质陶瓷具有较低的烧结温度，适中的介电常数以及较低的介质损耗，且其制备方法简单，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN109503162A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811530024.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Co-Sn-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料晶体结构为Trirutile相，烧结温度1250-1350℃，介电常数15-20，损耗介于4.81×10-4-6.02×10-4，谐振频率温度稳定系数-2.65～-0.59ppm/℃。将原料Co2O3、SnO2和Ta2O5按化学通式Co0.5Sn0.5TaO4配比，再通过固相法制得。本发明的Co0.5Sn0.5TaO4微波介质陶瓷具有适中的介电常数以及近零的谐振频率温度稳定系数，且烧结温度相对较低；其制备方法简单，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN109467432A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811529798.3
申请日：2018-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Mg-Ti-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料，烧结温度1200-1300℃，介电常数40-44，损耗低至2.34×10-4，晶体结构为Trirutile相的Mg0.5Ti0.5TaO4。将原料Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O，TiO2，Ta2O5按化学通式Mg0.5Ti0.5TaO4配比，再通过固相法即可制得。本发明提供的Mg0.5Ti0.5TaO4微波介质陶瓷，烧结温度低，适中的介电常数，以及介质损耗低，且制备方法，工艺简单，易于工业化生产。
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