公开(公告)号：CN117777723A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311806966.X

申请日：2023-12-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 王华 ,  李恩竹 ,  胡智超 ,  潘俊宏 ,  钟朝位

IPC: C08L79/08 ,  C08K3/34 ,  C08J5/18 ,  C08G73/10 ,  C01B33/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种有机无机均相复合电介质储能薄膜材料及其制备方法，有机无机均相复合有效规避了界面的失配以及团聚问题，并对材料的介电和储能性质发挥了增益效果。本发明制备的PI复合储能薄膜高温稳定性好，在150℃的温度下，介电常数最高为4.76，而介电损耗则最低为0.0057，同时可以在500MV/m的电场下，实现最高7.33J/cm3的储能密度。本发明制备的耐高温复合储能薄膜具有高储能密度、高介电常数、低损耗等优点，有望应用于电动汽车、智能手机、电子设备等领域，为电子行业用于制备电容器的材料提供了更好地选择。

公开(公告)号：CN117766298A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311806958.5

申请日：2023-12-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 王华 ,  李恩竹 ,  胡智超 ,  潘俊宏 ,  钟朝位

IPC: H01G4/33 ,  H01G13/00

Abstract: 本发明公开了一种耐高温柔性薄膜电容器及其制备方法，本发明制备的多层薄膜电容器高温稳定性好，在25‑200℃的温度范围内，电流密度和功率密度的变化率仅为±5.4％；该电容器具备快速充放电能力(t0.9＝0.0554μs)，高储能密度(Wd＝0.51J/cm3)，高电流密度(CD＝72.19A/cm2)，高功率密度(PD＝43.31MW/cm3)。此外，电容值高，相对于PI薄膜电容器，PI复合物薄膜电容器的电容为16.33nF，提升了26.4％。这种PI耐高温薄膜电容器有望提高电子设备在极端高温环境下的性能和可靠性，进一步推动高温电子技术的发展。