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公开(公告)号：CN118107173A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311813735.1
申请日：2023-12-26
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院 , 电子科技大学
IPC: B29C64/135 , B29C64/268 , B29C64/286 , B29C64/393 , B33Y30/00 , B33Y50/02
Abstract: 本发明公开了一种基于数字全息投影的一体式3D打印方法，属于光学全息、数字全息成像和增材制造技术领域。本发明所述方法首先获取包含目标物体完整三维信息的数字全息图，随后空间光调制器上完整输出，同时对数字全息图叠加菲涅尔透镜相位或闪耀光栅相位；利用实像投影装置形成目标物体的实像投影，利用第一挡板遮挡全息记录原理产生的零级光斑，利用第二挡板遮挡消除空间光调制器本身反射又经过放大透镜汇聚出的零级亮斑；然后利用带有滤光增透作用的透明器皿盛装液态光敏树脂；最后将盛装液态光敏树脂的容器置于物体三维实像投影区域，将该投影完全包裹，等待光固化反应的完成即可取得3D打印成品。
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公开(公告)号：CN107068884B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710218783.4
申请日：2017-04-05
Applicant: 桂林电子科技大学 , 电子科技大学中山学院
Abstract: 本发明公开了一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法。所述紫外有机电致发光器件至少包括空穴注入层，所述空穴注入层所用材料是掺杂了MoOx的PEDOT:PSS，其中x＝2～3。所述制备方法包括：将MoOx粉末溶解在纯水中，按质量百分比配置成浓度为0.1％～0.2％的MoOx水溶液，将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比(1～3):(1～4)配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液，在ITO阳极上旋涂上述PEDOT:PSS+MoOx混合溶液制备空穴注入层。采用掺杂MoOx的PEDOT:PSS空穴注入层能有效提高空穴注入能力，增加发光层中的空穴数量，从而改善空穴‑电子的平衡性，提高紫外OLED器件的发光效率，同时器件的制备工艺简单，稳定性好，实用性广。
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公开(公告)号：CN107068884A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710218783.4
申请日：2017-04-05
Applicant: 桂林电子科技大学 , 电子科技大学中山学院
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0037 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法。所述紫外有机电致发光器件至少包括空穴注入层，所述空穴注入层所用材料是掺杂了MoOx的PEDOT:PSS，其中x＝2～3。所述制备方法包括：将MoOx粉末溶解在纯水中，按质量百分比配置成浓度为0.1％～0.2％的MoOx水溶液，将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比(1～3):(1～4)配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液，在ITO阳极上旋涂上述PEDOT:PSS+MoOx混合溶液制备空穴注入层。采用掺杂MoOx的PEDOT:PSS空穴注入层能有效提高空穴注入能力，增加发光层中的空穴数量，从而改善空穴‑电子的平衡性，提高紫外OLED器件的发光效率，同时器件的制备工艺简单，稳定性好，实用性广。
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公开(公告)号：CN106129262A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610540845.9
申请日：2016-07-11
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0032 , H01L51/56 , H01L2251/303
Abstract: 本发明公开了一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法，所述方法包括：采用第一空穴注入层和第二空穴注入层叠接组成双空穴注入层，第一空穴注入层材料采用氧化石墨烯或PEDOT:PSS，第二空穴注入层材料采用WO3、MoO3或V2O5；在阳极层上采用旋涂工艺制备第一空穴注入层，在第一空穴注入层上采用真空热蒸镀工艺制备第二空穴注入层，在第二空穴注入层上叠接空穴传输层。本发明能有效地促进空穴的注入、增加发光层中空穴的数量，从而促进空穴‑电子的平衡性，提高紫外OLED器件的辐照度和发光效率，同时制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN106129262B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201610540845.9
申请日：2016-07-11
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法，所述方法包括：采用第一空穴注入层和第二空穴注入层叠接组成双空穴注入层，第一空穴注入层材料采用氧化石墨烯或PEDOT:PSS，第二空穴注入层材料采用WO3、MoO3或V2O5；在阳极层上采用旋涂工艺制备第一空穴注入层，在第一空穴注入层上采用真空热蒸镀工艺制备第二空穴注入层，在第二空穴注入层上叠接空穴传输层。本发明能有效地促进空穴的注入、增加发光层中空穴的数量，从而促进空穴‑电子的平衡性，提高紫外OLED器件的辐照度和发光效率，同时制备工艺简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115034115B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210760316.5
申请日：2022-06-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/18 , G06F30/27 , G06F18/24 , G06F18/10 , G06F18/213 , G06F18/214 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G06F111/08 , G06F111/10 , G06F113/14
Abstract: 本发明公开了一种使用深度学习在套管井中提取第三反射界面超声回波弱信号的方法，所述方法采用有限差分时域方法模拟训练数据，运用数据增强策略，集成有注意力机制的时域卷积网络，有效的预测实际刻度井的数据；本方法利用离散梯度下降算法获取最短的旅行时路径作为A0（反对称兰姆波）和TIE（第三界面反射回波）的到时，并将获取的A0和TIE到时信息做直角坐标到极坐标变换操作，获得井筒三维可视化结果，为评价固井质量提供有力的保障。
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公开(公告)号：CN118210056A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410364116.7
申请日：2024-03-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种VSP上下行波联合地层Q吸收补偿定量评价方法，首先对地面地震资料进行近地表Q吸收补偿，再对地面地震资料进行潜水面以下固结岩层Q吸收补偿，进行VSP井资料非零偏校正并对零偏VSP井资料预处理，然后利用VSP下行波离散化频移法求取井口处潜水面以下固结岩层Q值，进行VSP上行波潜水面以下固结岩层Q吸收补偿，再计算VSP上行波地震记录与地面地震记录的相关系数，最后进行地面地震波Q吸收补偿的定量评价。本发明的方法利用VSP上下行波联合Q补偿后的VSP上行波地震记录与进行了地下介质Q吸收补偿的地面地震记录的相关性来定量评价地面地震波Q吸收补偿的可靠性，解决了陆上地面地震波Q吸收衰减补偿定量评价的瓶颈问题。
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公开(公告)号：CN116218216B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202310277669.4
申请日：2023-03-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子材料及其制造领域，具体为一种高储能密度聚酰亚胺基复合材料及其制备方法。本发明在合成磷酸钙化合物的过程中，在钙离子与磷酸根离子形成团簇并成核之前，加入了三乙胺，其作为封端分子与磷酸根形成了氢键，使整个反应处于稳定的状态。最终制备的磷酸钙纳米颗粒是通过聚合和交联的形式获得的，所以当其作为无机填料引入到有机材料中时，能制备出更加均匀、更高储能密度的复合材料，该聚酰亚胺基复合材料击穿电场196～392MV/m，储能密度1.16～6.16J/cm3，储能效率高达98.1％；且制备工艺简单，所制备的复合材料性能稳定，为电子行业用于制备电容器的材料提供了更好地选择。
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公开(公告)号：CN114436641B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210197348.9
申请日：2022-03-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C23C14/35 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材由氧化锌、掺杂物和助烧物组成，所述掺杂物含量占比为0.7‑2.5wt%，所述助烧物含量占比为0.08‑0.15wt%；所述掺杂物的组成为钨酸锌和/或钼酸锌，当掺杂物为钨酸锌和钼酸锌的混合物时，其中钨酸锌的占比为30‑70wt%；所述助烧物为硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的混合物，其中硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的占比分别为20‑30wt%、40‑60wt%和20‑30wt%。采用本发明提供的陶瓷靶材进行磁控溅射镀膜，可以获得高载流子迁移率的透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN114740532A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210272669.0
申请日：2022-03-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01V1/48
Abstract: 本发明公开了一种水泥声阻抗、泥浆声阻抗的计算方法，方法通过预先建立好的正演模型研究脉冲回波的特征参数与水泥声阻抗、泥浆声阻抗的变化规律，得到迭代方案。通过实测信号归一化幅度包络的对数在共振波区间内的一次拟合直线的斜率和截距，信号的频谱的最大分量对应的频率，套管厚度。将得到的信号的频谱的最大分量对应的频率，套管厚度以及水泥声阻抗、泥浆声阻抗初值带入正演模型中计算模拟波形并计算模拟波形的斜率和截距。先比较模拟波形与实际波形的截距，迭代得到泥浆声阻抗，在将得到的泥浆声阻抗带入迭代计算水泥声阻抗。本发明的方案能够在泥浆声阻抗未知的情况下计算水泥声阻抗和泥浆声阻抗。
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