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公开(公告)号：CN111934525A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010793382.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/08 , H02M3/335 , G01R19/165
Abstract: 一种负电平检测电路，利用电压采样模块将负电平检测电路的输入信号进行降压处理再输出至阈值检测模块中进行比较；阈值检测模块包括电压检测单元和参考电压产生单元，参考电压产生单元利用电流镜将偏置电流镜像到第一电阻上在第一电阻两端产生阈值电压，通过调节第一电阻的电阻值和电流镜镜像到第一电阻上的电流能够设置不同的阈值电压；电压检测单元为三极管发射极输入的比较器，比较器两个输入端分别连接地电位与电压采样模块的输出，当地电位与电压采样模块输出电压值的差值达到参考电压产生单元设置的阈值电压时，负电平检测电路产生有效的负电平检测信号。本发明利用小环路和大环路结合实现阈值调整和快速比较，具有高分辨率。
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公开(公告)号：CN109905111B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910168442.X
申请日：2019-03-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K17/687 , H03K19/0185
Abstract: 适用于GaN高速栅驱动电路的电平位移电路，属于电源管理技术领域。本发明利用电压转电流再转电压的结构进行栅驱动控制信号传输，实现了轨到轨输出能力，能够防止GaN高速栅驱动电路在死区时间内开关节点电压为负而引起的信号延迟甚至丢失的情况；采用动态电流支路进行快速电压瞬变保护，采用抗共模瞬态噪声干扰模块进行防浮动电源轨dv/dt串扰的保护，实现了电平位移电路输入端及中间节点的高CMTI能力；采用限制电流的正反馈锁存模块来锁存电流作输出保持结构，降低了电平位移电路的传输延迟，实现高速信号传输，且提供了低阻通路及正反馈防止电路输出受到浮动电源轨的高dv/dt能力串扰，从而实现了电平位移电路输出端的高CMTI能力，提高了电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN109905111A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910168442.X
申请日：2019-03-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K17/687 , H03K19/0185
Abstract: 适用于GaN高速栅驱动电路的电平位移电路，属于电源管理技术领域。本发明利用电压转电流再转电压的结构进行栅驱动控制信号传输，实现了轨到轨输出能力，能够防止GaN高速栅驱动电路在死区时间内开关节点电压为负而引起的信号延迟甚至丢失的情况；采用动态电流支路进行快速电压瞬变保护，采用抗共模瞬态噪声干扰模块进行防浮动电源轨dv/dt串扰的保护，实现了电平位移电路输入端及中间节点的高CMTI能力；采用限制电流的正反馈锁存模块来锁存电流作输出保持结构，降低了电平位移电路的传输延迟，实现高速信号传输，且提供了低阻通路及正反馈防止电路输出受到浮动电源轨的高dv/dt能力串扰，从而实现了电平位移电路输出端的高CMTI能力，提高了电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN109039029A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810925805.5
申请日：2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 一种适用于GaN功率器件栅驱动电路的自举充电电路，属于电源管理技术领域。包括自举充电模块、低压开关逻辑控制模块、过零检测模块、高压开关逻辑控制模块和高压电平位移模块，低压开关逻辑控制模块在第一低侧控制信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第一PMOS管的低压开关信号，高压开关逻辑控制模块在过零检测信号、第一低侧控制信号和第二欠压信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第二PMOS管的高压开关信号，过零检测信号由过零检测模块根据第二低侧控制信号采样栅驱动电路的开关节点处信号产生，高压电平位移模块用于得到合适电源轨的高压开关信号。本发明能够避免自举充电中负压过冲的现象，且解决了反向恢复损耗与高频过流性能退化的问题。
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公开(公告)号：CN118336321A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410602948.8
申请日：2024-05-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种基于SSPP的G波段波导带通滤波器，属于滤波器技术领域，包括标准矩形波导和位于标准矩形波导E面中心的SSPP晶胞阵列，SSPP晶胞阵列包括沿信号传输方向等周期排布的N级结构尺寸相同的传输SSPP晶胞，传输SSPP晶胞为旋转对称结构，具体为两侧长边开有凹槽的矩形金属片状结构，矩形金属片状结构的长度与标准矩形波导的短边尺寸相同，两个凹槽的深度大于矩形金属片状结构的宽度一半。本发明设计的传输SSPP晶胞具有天然的带通特性，无需与其他具有高通滤波特性的结构相组合，即可实现基于SSPP的G波段带通滤波，具有设计灵活性高、加工成本低、器件尺寸小、参数易调节的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109004820B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810896264.8
申请日：2018-08-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/07 , H02J7/00 , H03K19/003 , H03K19/084
Abstract: 适用于GaN功率器件高速栅驱动的开关自举充电电路，属于电源管理技术领域。控制逻辑模块根据欠压信号和低侧栅驱动信号产生第一控制信号和第二控制信号；第一PMOS管的栅极连接第二控制信号，其源极连接电源电压，其漏极连接第一NMOS管的源极；第一反相器的输入端连接第一控制信号，其输出端连接第二反相器的输入端并通过第一电容后连接第一二极管的阴极和第二NMOS管的栅极；第一二极管的阳极和第二NMOS管的源极连接电源电压；第一NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极并通过第二电容后连接第二反相器的输出端，其漏极作为开关自举充电电路的输出端。本发明能够防止充电时自举电容上电压过大，能够实现片上集成，电路结构简单，可靠性高；尤其适用于GaN高速栅驱动。
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公开(公告)号：CN108768145B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201810560701.9
申请日：2018-05-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 适用于GaN功率开关器件的高速半桥栅驱动电路，属于电源管理技术领域。前级逻辑控制模块用于将脉冲宽度调制信号转化为电源轨为低压电源轨的第一短脉冲信号和第二短脉冲信号；电平位移模块根据第一短脉冲信号和第二短脉冲信号产生电源轨为高压电源轨且与脉冲宽度调制信号具有相同的占空比的第一控制信号；高压转低压电平位移模块将第一控制信号转化为电源轨为低压电源轨的第二控制信号用于控制前级逻辑控制模块的开启和关断，从而调整第一短脉冲信号和第二短脉冲信号的脉冲宽度；缓冲模块将第一控制信号转化为栅驱动信号DRVH。本发明具有速度高和功耗低的优点，应用于GaN功率开关器件时还能解决电源轨不匹配导致的信号丢失问题。
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公开(公告)号：CN108494234A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810309410.2
申请日：2018-04-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/088 , H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 适用于GaN高速栅驱动电路的浮动电源轨，属于电源管理技术领域。本发明采用双浮动电源轨的设计，能够实现同时满足GaN功率开关器件在安全电压内工作和低压转高压电平位移电路拥有足够的动态范围的浮动电源轨；高压转低压电平位移电路、电压钳位电路、逻辑控制电路和第一浮动电源轨产生电路构成闭环，用于产生第一电源轨BST作为GaN高速栅驱动电路中的缓冲电路的电源轨，能够保护GaN功率开关器件栅源电压工作在安全范围内；第二浮动电源轨产生电路构成开环，用于产生第二电源轨BSTA作为GaN高速栅驱动电路中的低压转高压电平位移电路的电源轨，能够保证其具有足够的动态范围。
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公开(公告)号：CN111934525B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202010793382.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/08 , H02M3/335 , G01R19/165
Abstract: 一种负电平检测电路，利用电压采样模块将负电平检测电路的输入信号进行降压处理再输出至阈值检测模块中进行比较；阈值检测模块包括电压检测单元和参考电压产生单元，参考电压产生单元利用电流镜将偏置电流镜像到第一电阻上在第一电阻两端产生阈值电压，通过调节第一电阻的电阻值和电流镜镜像到第一电阻上的电流能够设置不同的阈值电压；电压检测单元为三极管发射极输入的比较器，比较器两个输入端分别连接地电位与电压采样模块的输出，当地电位与电压采样模块输出电压值的差值达到参考电压产生单元设置的阈值电压时，负电平检测电路产生有效的负电平检测信号。本发明利用小环路和大环路结合实现阈值调整和快速比较，具有高分辨率。
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公开(公告)号：CN114552976A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210203639.4
申请日：2022-03-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/07 , H02M3/158 , H02M1/088 , H03K19/017
Abstract: 本发明属于电源管理技术领域，涉及集成电路设计技术，具体涉及一种具有高转换速率的全GaN栅驱动电路。本发明提出的全GaN栅驱动电路在传统全GaN自举反向器中加入交叉耦合电荷泵，实现了自举电容轨到轨的充电电压，在提升自举反向器输出上升速度的同时实现了输出上升速度和下降速度之间更高的匹配性。在驱动GaN功率管的传统两级结构自举反相器中加入电源提升模块将偏置级的输出电压提升为三倍电源电压，提高了GaN功率管的栅极上升速度，降低了栅极上升斜率和下降斜率的不匹配性，实现了高速高转换速率驱动。采用四级自举反向器级联的方式实现了GaN功率管开启延时和关断延时之间良好的匹配性。
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