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公开(公告)号：CN115189565B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202210847327.7
申请日：2022-07-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及一种用于高压半桥栅驱动芯片的死区时间控制电路。本发明的死区控制电路包括片外电阻采样电路，模式判断与控制电路和死区时间调制电路三部分，片外电阻采样电路根据片外死区控制电阻RDT的值，将其转化为与阻值成比例的电压VDT并送到模式判断与控制电路中，根据VDT的值产生不同的输出信号以表征进入不同的死区控制模式，高低侧信号HIN和LIN经过死区时间调整电路后产生包含对应死区时间的输出信号。本发明提出的死区时间控制电路可根据不同的外部应用条件，选择不同的死区时间，使得在宽范围的应用场景下都能有合适的死区时间，从而有效降低半桥拓扑里上管与下管的穿通风险和死区时间内所带来的功耗损失。
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公开(公告)号：CN114815956B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210650576.7
申请日：2022-06-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种适用于栅驱动的欠压锁定电路。本发明使用全NMOS晶体管和电阻实现，通过阈值比较控制晶体管导通与关断，使得电源电压变化时流经电阻的电流产生差异输出迟滞量，不需要其他模块提供基准偏置电压，而且避免使用电压比较器，简化电路的同时，也减小了工艺失调对欠压锁定模块精度与响应速度的影响。利用本发明可以在电源电压欠压时，快速响应关闭电路逻辑，并且实现欠压翻转阈值可调。
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公开(公告)号：CN113220057A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110428075.X
申请日：2021-04-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种高抗噪声的浮动带隙基准源。本发明的电路包括启动和偏置部分、浮动带隙基准核心电路、负反馈运放箝位部分，本发明利用预电源轨技术和反馈技术提高基准对电源噪声的抑制性能，再通过三极管发射结电压同温度的关系，产生对电源参考的基准电压值，最后通过负反馈运算放大器将对电源参考的高抗噪声的基准电压值转换成对地参考的基准电压。本发明的电路具有在高压栅驱动恶劣的噪声环境下工作的能力，能够为高压栅驱动系统提供稳定的基准值。
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公开(公告)号：CN115189565A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210847327.7
申请日：2022-07-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及一种用于高压半桥栅驱动芯片的死区时间控制电路。本发明的死区控制电路包括片外电阻采样电路，模式判断与控制电路和死区时间调制电路三部分，片外电阻采样电路根据片外死区控制电阻RDT的值，将其转化为与阻值成比例的电压VDT并送到模式判断与控制电路中，根据VDT的值产生不同的输出信号以表征进入不同的死区控制模式，高低侧信号HIN和LIN经过死区时间调整电路后产生包含对应死区时间的输出信号。本发明提出的死区时间控制电路可根据不同的外部应用条件，选择不同的死区时间，使得在宽范围的应用场景下都能有合适的死区时间，从而有效降低半桥拓扑里上管与下管的穿通风险和死区时间内所带来的功耗损失。
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公开(公告)号：CN114552976B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210203639.4
申请日：2022-03-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/07 , H02M3/158 , H02M1/088 , H03K19/017
Abstract: 本发明属于电源管理技术领域，涉及集成电路设计技术，具体涉及一种具有高转换速率的全GaN栅驱动电路。本发明提出的全GaN栅驱动电路在传统全GaN自举反向器中加入交叉耦合电荷泵，实现了自举电容轨到轨的充电电压，在提升自举反向器输出上升速度的同时实现了输出上升速度和下降速度之间更高的匹配性。在驱动GaN功率管的传统两级结构自举反相器中加入电源提升模块将偏置级的输出电压提升为三倍电源电压，提高了GaN功率管的栅极上升速度，降低了栅极上升斜率和下降斜率的不匹配性，实现了高速高转换速率驱动。采用四级自举反向器级联的方式实现了GaN功率管开启延时和关断延时之间良好的匹配性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113220057B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110428075.X
申请日：2021-04-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种高抗噪声的浮动带隙基准源。本发明的电路包括启动和偏置部分、浮动带隙基准核心电路、负反馈运放箝位部分，本发明利用预电源轨技术和反馈技术提高基准对电源噪声的抑制性能，再通过三极管发射结电压同温度的关系，产生对电源参考的基准电压值，最后通过负反馈运算放大器将对电源参考的高抗噪声的基准电压值转换成对地参考的基准电压。本发明的电路具有在高压栅驱动恶劣的噪声环境下工作的能力，能够为高压栅驱动系统提供稳定的基准值。
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公开(公告)号：CN113110693A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110440832.5
申请日：2021-04-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种适用于高压驱动的低压差线性稳压器。本发明主要包括带有共模电平调节电路的两级差分放大器、具有推挽功能的缓冲级、零点‑极点追踪补偿网络、功率管和分压反馈网络。其中的共模电平调节电路，可以根据负载电流的大小来调整第二级误差放大器输入端的共模电平，使电路处于正常状态。引入的零点‑极点追踪补偿网络具有动态零极点追踪补偿的功能，提高环路稳定性。在输入电压较高时，可以根据负载电流的大小来调整误差放大器输入端的共模电平，使电路工作在正常状态，并且具有动态零点追踪补偿的功能。
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公开(公告)号：CN113241933B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110562680.6
申请日：2021-05-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电源管理技术领域，具体是涉及一种适用于GaN半桥栅驱动系统的死区时间控制电路。本发明的方案，通过死区模式选择控制电压产生电路根据不同的外部编程电阻产生不同的VDT电压，在分段死区时间产生电路中与不同的ref电压进行比较选择不同的延时链输出，并将其延时与输入HI和LI信号进行耦合，最终输出包含死区信息的HI_OUT和LI_OUT信号。本发明的电路可通过调整外部编程电阻的大小自适应的调整内部半桥系统的死区时间。
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公开(公告)号：CN114815956A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210650576.7
申请日：2022-06-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种适用于栅驱动的欠压锁定电路。本发明使用全NMOS晶体管和电阻实现，通过阈值比较控制晶体管导通与关断，使得电源电压变化时流经电阻的电流产生差异输出迟滞量，不需要其他模块提供基准偏置电压，而且避免使用电压比较器，简化电路的同时，也减小了工艺失调对欠压锁定模块精度与响应速度的影响。利用本发明可以在电源电压欠压时，快速响应关闭电路逻辑，并且实现欠压翻转阈值可调。
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公开(公告)号：CN113190075B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110428218.7
申请日：2021-04-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种宽输入范围的数字供电Capless LDO。本发明的电路包括提高增益和摆率的输入级、推挽的Buffer级、具有摆率增强效果的功率级，本发明第一级运放进行了提高摆率的设计和增大跨导的设计；第二级进行推挽驱动功率管，能够对LDO输出电压的过冲和下掉都有一定的优化；第三级进行功率管的分离处理，优化了瞬态响应。在LDO的轻载和空载时，最外部大的功率管不打开，内部环路构成传统LDO反馈环路箝位输出电压，在重载时，输出大功率管打开，能够快速响应并提供合适的电源电压。
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