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公开(公告)号：CN113220057A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110428075.X
申请日：2021-04-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种高抗噪声的浮动带隙基准源。本发明的电路包括启动和偏置部分、浮动带隙基准核心电路、负反馈运放箝位部分，本发明利用预电源轨技术和反馈技术提高基准对电源噪声的抑制性能，再通过三极管发射结电压同温度的关系，产生对电源参考的基准电压值，最后通过负反馈运算放大器将对电源参考的高抗噪声的基准电压值转换成对地参考的基准电压。本发明的电路具有在高压栅驱动恶劣的噪声环境下工作的能力，能够为高压栅驱动系统提供稳定的基准值。
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公开(公告)号：CN111934525A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010793382.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/08 , H02M3/335 , G01R19/165
Abstract: 一种负电平检测电路，利用电压采样模块将负电平检测电路的输入信号进行降压处理再输出至阈值检测模块中进行比较；阈值检测模块包括电压检测单元和参考电压产生单元，参考电压产生单元利用电流镜将偏置电流镜像到第一电阻上在第一电阻两端产生阈值电压，通过调节第一电阻的电阻值和电流镜镜像到第一电阻上的电流能够设置不同的阈值电压；电压检测单元为三极管发射极输入的比较器，比较器两个输入端分别连接地电位与电压采样模块的输出，当地电位与电压采样模块输出电压值的差值达到参考电压产生单元设置的阈值电压时，负电平检测电路产生有效的负电平检测信号。本发明利用小环路和大环路结合实现阈值调整和快速比较，具有高分辨率。
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公开(公告)号：CN109951178B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910265089.7
申请日：2019-04-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 一种GaN栅驱动电路的系统保护方法，属于电子电路技术领域。GaN栅驱动电路直接驱动GaN功率管，将GaN功率管与Si基驱动器安装在同一个低热阻热传导材料上，通过检测Si MOS管的结温能够准确感测GaN功率管的结温变化，通过采样与GaN功率管串联的Si MOS管的电流能够准确采样GaN功率管的电流，设计针对多条电源轨的多重欠压保护，当GaN栅驱动电路正常工作时Si MOS管开启，当系统出现过温、过流或欠压任一种情况时关断Si MOS管，从而关断GaN功率管实现系统保护；另外，针对高压驱动电路还在过流比较器中设置过流信号、过温信号和欠压信号作为使能信号，实现在过温时同时触发过流保护。
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公开(公告)号：CN113241933B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110562680.6
申请日：2021-05-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电源管理技术领域，具体是涉及一种适用于GaN半桥栅驱动系统的死区时间控制电路。本发明的方案，通过死区模式选择控制电压产生电路根据不同的外部编程电阻产生不同的VDT电压，在分段死区时间产生电路中与不同的ref电压进行比较选择不同的延时链输出，并将其延时与输入HI和LI信号进行耦合，最终输出包含死区信息的HI_OUT和LI_OUT信号。本发明的电路可通过调整外部编程电阻的大小自适应的调整内部半桥系统的死区时间。
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公开(公告)号：CN113190075B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110428218.7
申请日：2021-04-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种宽输入范围的数字供电Capless LDO。本发明的电路包括提高增益和摆率的输入级、推挽的Buffer级、具有摆率增强效果的功率级，本发明第一级运放进行了提高摆率的设计和增大跨导的设计；第二级进行推挽驱动功率管，能够对LDO输出电压的过冲和下掉都有一定的优化；第三级进行功率管的分离处理，优化了瞬态响应。在LDO的轻载和空载时，最外部大的功率管不打开，内部环路构成传统LDO反馈环路箝位输出电压，在重载时，输出大功率管打开，能够快速响应并提供合适的电源电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113241933A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110562680.6
申请日：2021-05-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电源管理技术领域，具体是涉及一种适用于GaN半桥栅驱动系统的死区时间控制电路。本发明的方案，通过死区模式选择控制电压产生电路根据不同的外部编程电阻产生不同的VDT电压，在分段死区时间产生电路中与不同的ref电压进行比较选择不同的延时链输出，并将其延时与输入HI和LI信号进行耦合，最终输出包含死区信息的HI_OUT和LI_OUT信号。本发明的电路可通过调整外部编程电阻的大小自适应的调整内部半桥系统的死区时间。
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公开(公告)号：CN111555595A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010603190.1
申请日：2020-06-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种开启速率可控的GaN功率管栅驱动电路，包括内部电源产生模块、栅驱动模块、电荷泵模块、外挂电容和限流电阻，栅驱动模块根据外部控制信号控制GaN功率管栅极充放电；外挂电容通过限流电阻后连接栅驱动模块的供电端；内部电源产生模块包括由电荷泵模块控制的功率调整管，在GaN功率管导通前电荷泵模块控制功率调整管断开，使得内部电源产生模块产生的第一供电电源与栅驱动模块供电端的连接断开，仅由外挂电容为栅驱动模块供电，降低GaN功率管的栅极充电速率；在GaN功率管导通并经过设定的延时后电荷泵模块控制功率调整管导通，使得第一供电电源连接至栅驱动模块的供电端，第一供电电源和外挂电容共同为栅驱动模块供电，加快GaN功率管的栅极充电速率。
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公开(公告)号：CN111934525B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202010793382.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/08 , H02M3/335 , G01R19/165
Abstract: 一种负电平检测电路，利用电压采样模块将负电平检测电路的输入信号进行降压处理再输出至阈值检测模块中进行比较；阈值检测模块包括电压检测单元和参考电压产生单元，参考电压产生单元利用电流镜将偏置电流镜像到第一电阻上在第一电阻两端产生阈值电压，通过调节第一电阻的电阻值和电流镜镜像到第一电阻上的电流能够设置不同的阈值电压；电压检测单元为三极管发射极输入的比较器，比较器两个输入端分别连接地电位与电压采样模块的输出，当地电位与电压采样模块输出电压值的差值达到参考电压产生单元设置的阈值电压时，负电平检测电路产生有效的负电平检测信号。本发明利用小环路和大环路结合实现阈值调整和快速比较，具有高分辨率。
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公开(公告)号：CN111555595B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202010603190.1
申请日：2020-06-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种开启速率可控的GaN功率管栅驱动电路，包括内部电源产生模块、栅驱动模块、电荷泵模块、外挂电容和限流电阻，栅驱动模块根据外部控制信号控制GaN功率管栅极充放电；外挂电容通过限流电阻后连接栅驱动模块的供电端；内部电源产生模块包括由电荷泵模块控制的功率调整管，在GaN功率管导通前电荷泵模块控制功率调整管断开，使得内部电源产生模块产生的第一供电电源与栅驱动模块供电端的连接断开，仅由外挂电容为栅驱动模块供电，降低GaN功率管的栅极充电速率；在GaN功率管导通并经过设定的延时后电荷泵模块控制功率调整管导通，使得第一供电电源连接至栅驱动模块的供电端，第一供电电源和外挂电容共同为栅驱动模块供电，加快GaN功率管的栅极充电速率。
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公开(公告)号：CN114552976A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210203639.4
申请日：2022-03-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/07 , H02M3/158 , H02M1/088 , H03K19/017
Abstract: 本发明属于电源管理技术领域，涉及集成电路设计技术，具体涉及一种具有高转换速率的全GaN栅驱动电路。本发明提出的全GaN栅驱动电路在传统全GaN自举反向器中加入交叉耦合电荷泵，实现了自举电容轨到轨的充电电压，在提升自举反向器输出上升速度的同时实现了输出上升速度和下降速度之间更高的匹配性。在驱动GaN功率管的传统两级结构自举反相器中加入电源提升模块将偏置级的输出电压提升为三倍电源电压，提高了GaN功率管的栅极上升速度，降低了栅极上升斜率和下降斜率的不匹配性，实现了高速高转换速率驱动。采用四级自举反向器级联的方式实现了GaN功率管开启延时和关断延时之间良好的匹配性。
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