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公开(公告)号:CN110149042B
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN201910514671.2
申请日:2019-06-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有分段驱动功能的功率管栅极驱动电路,属于电源管理技术领域。包括主体控制模块、短脉冲产生模块和反馈钳位模块,主体控制模块包括传统反相器驱动链、功率管开启和关断电路,用于控制功率管;短脉冲产生模块用于栅压检测与分段切换控制,产生脉冲时间为功率管栅极电压从零抬升至分段电压的正短脉冲信号和负短脉冲信号;反馈钳位模块用于控制功率管栅极充电电流,在短脉冲阶段反馈钳位模块使能为功率管栅极提供小电流充电,短脉冲结束后为功率管栅极提供大电流充电,实现分段驱动。本发明适用于DC‑DC变换器,能够平衡高效率和DC‑DC变换器的EMI优化,实现方式简单。
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公开(公告)号:CN111273722A
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN202010080566.5
申请日:2020-02-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种高电源抑制比的双环控制带隙基准电路,属于电源管理技术领域。本发明提出双环控制模式产生带隙基准电压,第一个环路利用第一运算放大器的高增益特性保证第二NPN双极结型晶体管和第三NPN双极结型晶体管的集电极电位相同,从而产生温度特性准确的基准电压,第二个环路在基准建立好后利用第二运算放大器的负反馈特性产生与电源电压波动无关的局部电源电压,使电源电压的扰动被负反馈隔离,从而提升了基准电路的电源抑制比。本发明在确保基准电压的准确性的同时也获得了高的电源抑制比,实现了变化率为20.38ppm/℃的基准电压的输出。
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公开(公告)号:CN105347246B
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201510873262.3
申请日:2015-12-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种轮系传动剪叉式升降平台,包括基座,基座上设有驱动单元以及两组平行设置的剪叉式单元,两组剪叉式单元的下端与两根平行设置的驱动杆固定连接,驱动杆与固定在基座上的下连接件可转动连接,剪叉式单元的上端与工作平台的下表面可转动连接;驱动单元与两根驱动杆相连,用于驱动两根驱动杆同步相对转动。本发明所提供的轮系传动剪叉式升降平台,在驱动电机的驱动下,主动轮和从动轮保持同步相对转动,带动驱动杆转动,实现剪叉式单元的升降运动,进而实现工作平台的升降运动,极大的提高了工作行程,缩减了不必要的空间,同时增大了扭矩,提高了工作平台的工作负载。
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公开(公告)号:CN111273722B
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN202010080566.5
申请日:2020-02-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种高电源抑制比的双环控制带隙基准电路,属于电源管理技术领域。本发明提出双环控制模式产生带隙基准电压,第一个环路利用第一运算放大器的高增益特性保证第二NPN双极结型晶体管和第三NPN双极结型晶体管的集电极电位相同,从而产生温度特性准确的基准电压,第二个环路在基准建立好后利用第二运算放大器的负反馈特性产生与电源电压波动无关的局部电源电压,使电源电压的扰动被负反馈隔离,从而提升了基准电路的电源抑制比。本发明在确保基准电压的准确性的同时也获得了高的电源抑制比,实现了变化率为20.38ppm/℃的基准电压的输出。
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公开(公告)号:CN109905111B
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN201910168442.X
申请日:2019-03-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K17/687 , H03K19/0185
Abstract: 适用于GaN高速栅驱动电路的电平位移电路,属于电源管理技术领域。本发明利用电压转电流再转电压的结构进行栅驱动控制信号传输,实现了轨到轨输出能力,能够防止GaN高速栅驱动电路在死区时间内开关节点电压为负而引起的信号延迟甚至丢失的情况;采用动态电流支路进行快速电压瞬变保护,采用抗共模瞬态噪声干扰模块进行防浮动电源轨dv/dt串扰的保护,实现了电平位移电路输入端及中间节点的高CMTI能力;采用限制电流的正反馈锁存模块来锁存电流作输出保持结构,降低了电平位移电路的传输延迟,实现高速信号传输,且提供了低阻通路及正反馈防止电路输出受到浮动电源轨的高dv/dt能力串扰,从而实现了电平位移电路输出端的高CMTI能力,提高了电路的可靠性。
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公开(公告)号:CN109905111A
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201910168442.X
申请日:2019-03-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K17/687 , H03K19/0185
Abstract: 适用于GaN高速栅驱动电路的电平位移电路,属于电源管理技术领域。本发明利用电压转电流再转电压的结构进行栅驱动控制信号传输,实现了轨到轨输出能力,能够防止GaN高速栅驱动电路在死区时间内开关节点电压为负而引起的信号延迟甚至丢失的情况;采用动态电流支路进行快速电压瞬变保护,采用抗共模瞬态噪声干扰模块进行防浮动电源轨dv/dt串扰的保护,实现了电平位移电路输入端及中间节点的高CMTI能力;采用限制电流的正反馈锁存模块来锁存电流作输出保持结构,降低了电平位移电路的传输延迟,实现高速信号传输,且提供了低阻通路及正反馈防止电路输出受到浮动电源轨的高dv/dt能力串扰,从而实现了电平位移电路输出端的高CMTI能力,提高了电路的可靠性。
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公开(公告)号:CN109039029A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810925805.5
申请日:2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 一种适用于GaN功率器件栅驱动电路的自举充电电路,属于电源管理技术领域。包括自举充电模块、低压开关逻辑控制模块、过零检测模块、高压开关逻辑控制模块和高压电平位移模块,低压开关逻辑控制模块在第一低侧控制信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第一PMOS管的低压开关信号,高压开关逻辑控制模块在过零检测信号、第一低侧控制信号和第二欠压信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第二PMOS管的高压开关信号,过零检测信号由过零检测模块根据第二低侧控制信号采样栅驱动电路的开关节点处信号产生,高压电平位移模块用于得到合适电源轨的高压开关信号。本发明能够避免自举充电中负压过冲的现象,且解决了反向恢复损耗与高频过流性能退化的问题。
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公开(公告)号:CN106275519A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610763691.X
申请日:2016-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: B64G4/00
Abstract: 本发明公开了一种空间舱内货包取放机械手,包括机械臂和机械爪,机械臂的一端可滑动的安装在货舱的导轨上,另一端与机械爪相连;机械爪包括主爪和副爪,副爪与机械臂相连,包括可同步张开和收拢的至少三个附爪;主爪位于附爪端部连线所围成区域的中心,包括可开合的左爪钳和右爪钳。本发明所提供的空间舱内货包取放机械手,具有重量轻、体积小、灵活性高等特点,集成了机器视觉、压力传感器、货物识别等多功能于一身,集成度高;并采用多连杆,剪叉等多种运动机构,动作柔性大。不仅能够对货包进行抓/放、识别、定位、捆绑/解绑等多种操作,还能够对动作完成度进行闭环控制和检查。
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公开(公告)号:CN109039029B
公开(公告)日:2020-02-04
申请号:CN201810925805.5
申请日:2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 一种适用于GaN功率器件栅驱动电路的自举充电电路,属于电源管理技术领域。包括自举充电模块、低压开关逻辑控制模块、过零检测模块、高压开关逻辑控制模块和高压电平位移模块,低压开关逻辑控制模块在第一低侧控制信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第一PMOS管的低压开关信号,高压开关逻辑控制模块在过零检测信号、第一低侧控制信号和第二欠压信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第二PMOS管的高压开关信号,过零检测信号由过零检测模块根据第二低侧控制信号采样栅驱动电路的开关节点处信号产生,高压电平位移模块用于得到合适电源轨的高压开关信号。本发明能够避免自举充电中负压过冲的现象,且解决了反向恢复损耗与高频过流性能退化的问题。
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公开(公告)号:CN110504822A
公开(公告)日:2019-11-26
申请号:CN201910787593.3
申请日:2019-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/08 , H02M1/44 , H03K17/687
Abstract: 适用于半桥栅驱动电路的上功率管分段驱动控制电路,属于电源管理技术领域。本发明通过采样模块采集上功率管栅端电平信息,从而判断上功率管开启过程中的分段点即密勒平台的结束点。在分段点之前的阶段,通过电流产生模块提供一股恒定大小的电流给上功率管栅端充电,减慢上功率管的开启速度;在分段点之后的阶段,通过驱动链的形式将上功率管的上拉管栅端电平拉低,以快速开启上功率管,减小上功率管开启过程中的交叠损耗。本发明提出的分段驱动控制电路能够在牺牲一定的功耗和开启速度的基础上,有效降低上功率管开启过程中的电平和电流变化速度,从而降低开关电源的EMI噪声;另外本发明能够在极短的时间内实现环路状态的建立,满足高频应用需求。
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