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公开(公告)号：CN104108930B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410349447.X
申请日：2014-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种在350℃以上使用的高温稳定型介电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1?x)Bi1/2Na1/2TiO3?x(La,Bi)2/3TiO3 +zRE2O3来表示，其中RE2O3为稀土氧化物，(La,Bi)中La:Bi=1:1(摩尔比)，x与z表示摩尔分数，0
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公开(公告)号：CN103199807B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310099797.0
申请日：2013-03-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子技术领域，涉及模拟集成电路中运算放大器的频率补偿技术。包括两级运放，第一级运放由NMOS管M1N、M2N、M3、M4和PMOS管M1P、M2P、M0组成，第二级运放由PMOS管M5P和NMOS管M5N组成。本发明将传统的米勒电容Cm分裂为Cm1和Cm2两部分，以此来完成运算放大器的频率补偿；其中第一频率补偿电容Cm1连接于第一级运放的输出端和整个两级运算放大器的输出端之间，第二频率补偿电容Cm2连接于第一级运放中NMOS管M2N的源极和NMOS管M4的漏极连接点与整个两级运算放大器的输出端之间。本发明非主极点与寄生参数无关，具有较强的鲁棒性，同时具有更高的单位增益带宽和输出摆率。
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公开(公告)号：CN103803966B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310701726.3
申请日：2013-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示，其中x表示摩尔分数，0
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公开(公告)号：CN103274684B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201310235066.4
申请日：2013-06-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种可中低温烧结高介电微波介质陶瓷及其制备方法，该陶瓷材料主要成分为(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3与铋基化合物Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂中的任何一种复合形成的复合陶瓷材料。实现方法为先合成(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3粉体和Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂，把(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3与Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂中的任何一种混合球磨，然后把含有助烧剂的混合粉体压制成圆柱状坯体，在900~1050℃保温4小时进行预烧，即可得到含有助烧剂的(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3可中低温烧结高介电微波介质陶瓷。该陶瓷材料介电常数较高、谐振温度系数较小、损耗适中，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr>95，谐振温度系数绝对值 1500GHz，最佳烧结温度低于1050℃并可实现900℃的最佳烧结。整个微波介质陶瓷制备工艺相对简单、稳定，易于实现。
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公开(公告)号：CN104092375A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410341693.0
申请日：2014-07-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 本发明涉及集成电路设计领域，具体的说涉及一种由Buck和LDO构成的两级串联DC-DC变换器。本发明提出一种Buck输出电压可变的两级串联DC-DC变换器，Buck输出电压可以根据负载电流进行自适应调节，始终让LDO的调整管MP工作在饱和区和线性区边界，最大限制减小了LDO的损耗，整个变换器效率得以提高，尤其是轻载效率提升明显。本发明尤其适用于DC-DC变换器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103888082A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410110900.1
申请日：2014-03-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及模拟集成电路中的运算放大器的频率补偿技术。本发明所述的一种三级运算放大器，包括依次相连接的偏置电路、第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路，其特征在于，电容倍增模块嵌入到所述第一级放大电路，所述电容倍增模块由电流控制电流源组成。本发明的有益效果为，电容倍增电路嵌入了第一级放大电路，减小了所需补偿电容，节省芯片面积，不需要额外的偏置电路，提高了运算放大器的增益和单位增益带宽，同时减小系统性失调。本发明尤其适用于三级运算放大器。
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公开(公告)号：CN101402521B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810073870.6
申请日：2008-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/457
Abstract: 本发明公开了一种NTC热敏导电陶瓷材料及其制备方法，它是以BaCO3、SrCO3、SnO2和Fe2O3为主要原料，混合球磨，烘干，得到Ba1-ySryFexSn1-xO3坯料，不掺杂或单独掺杂或复合掺杂后二次球磨Ba1-ySryFexSn1-xO3坯料；采用普通陶瓷制备工艺制备。本发明制备的NTC热敏导电陶瓷B值可以达到5100K，室温电阻率可降至2800Ω·m。本发明制备工艺简单，成本低，所得产品可应用于测温、控温、自动增益调整、温度补偿等方面。
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公开(公告)号：CN104079171B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410341514.3
申请日：2014-07-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明涉及集成电路设计领域，具体的说涉及一种具有快速响应特性的DC-DC变换器。本发明的变换器包括依次连接的BUCK变换器、线性稳压器和占空比控制信号产生电路，将传统Buck变换器和线性稳压器的输出端相连，Buck变换器用于提供稳态负载电流，提高整体变换效率，而线性稳压器用于在基准电压阶跃和负载电流阶跃下提供瞬时电流，加快整个变换器的响应速度。本发明尤其适用于DC-DC变换器。
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公开(公告)号：CN104092375B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410341693.0
申请日：2014-07-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 本发明涉及集成电路设计领域，具体的说涉及一种由Buck和LDO构成的两级串联DC?DC变换器。本发明提出一种Buck输出电压可变的两级串联DC?DC变换器，Buck输出电压可以根据负载电流进行自适应调节，始终让LDO的调整管MP工作在饱和区和线性区边界，最大限制减小了LDO的损耗，整个变换器效率得以提高，尤其是轻载效率提升明显。本发明尤其适用于DC?DC变换器。
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