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公开(公告)号：CN113065627B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110289713.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G06K19/077 , H01Q1/22 , H01Q1/38 , G01B7/16
Abstract: 本发明公开一种无芯片RFID应变传感标签及其无损检测方法，应用于结构健康监测和无损检测领域，针对现有技术存在的仅能检测单一应变方向且易受环境干扰的问题，本发明使用传输线转发型天线与C型谐振器组成无芯片RFID应变传感标签，应变表征基于C型谐振器结构变化导致谐振频率变化；利用发射天线发射交叉极化的电磁波减少金属与天线结构的RCS对回波信号的干扰；本发明提出的这种结构可以有效保障响应信号强度与工作稳定性；与现有的散射型应变传感标签相比，本发明抗干扰能力更强，通信性能更好，对应变检测的灵敏度更高，可以检测应变的方向，可以减少环境噪声的影响。
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公开(公告)号：CN113065627A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110289713.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G06K19/077 , H01Q1/22 , H01Q1/38 , G01B7/16
Abstract: 本发明公开一种无芯片RFID应变传感标签及其无损检测方法，应用于结构健康监测和无损检测领域，针对现有技术存在的仅能检测单一应变方向且易受环境干扰的问题，本发明使用传输线转发型天线与C型谐振器组成无芯片RFID应变传感标签，应变表征基于C型谐振器结构变化导致谐振频率变化；利用发射天线发射交叉极化的电磁波减少金属与天线结构的RCS对回波信号的干扰；本发明提出的这种结构可以有效保障响应信号强度与工作稳定性；与现有的散射型应变传感标签相比，本发明抗干扰能力更强，通信性能更好，对应变检测的灵敏度更高，可以检测应变的方向，可以减少环境噪声的影响。
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公开(公告)号：CN111340661B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010107940.6
申请日：2020-02-21
Applicant: 电子科技大学 , 宜宾电子科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于图神经网络的应用题自动解题方法，本发明首先使用循环神经网络编码输入的应用题文本，并同时构造数值单元图和数值比较图，循环神经网络的输出(词级表示)用作节点特征。节点特征与两个构造的图一起输入到基于图神经网络的编码器中，以学习题目的图表示特征，使最终的图特征能够包含数值的文本关系和大小信息。并将一个池化项用于将不同组的图特征聚合为一个，得到图转换器的输出。最后，将输出的图特征用作基于树结构的解码器的输入，以生成最终的求解表达式树。本发明通过丰富问题中的数值表征来提高任务性能，可以取得更好的解题效果。
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公开(公告)号：CN111340661A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010107940.6
申请日：2020-02-21
Applicant: 电子科技大学 , 宜宾电子科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于图神经网络的应用题自动解题方法，本发明首先使用循环神经网络编码输入的应用题文本，并同时构造数值单元图和数值比较图，循环神经网络的输出(词级表示)用作节点特征。节点特征与两个构造的图一起输入到基于图神经网络的编码器中，以学习题目的图表示特征，使最终的图特征能够包含数值的文本关系和大小信息。并将一个池化项用于将不同组的图特征聚合为一个，得到图转换器的输出。最后，将输出的图特征用作基于树结构的解码器的输入，以生成最终的求解表达式树。本发明通过丰富问题中的数值表征来提高任务性能，可以取得更好的解题效果。
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公开(公告)号：CN120012753A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411991968.5
申请日：2024-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学上虞科学与工程研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G06F40/194 , G06F40/30
Abstract: 本发明公开了一种基于文本数据结构化的文件差异对比方法及系统，该文件差异对比方法通过分别提取对比文件和基准文件的文本内容以及文本内容中的条例，生成初步树结构；对初步树结构中的基本条例节点进行拓展，获取全局思维导图；通过匹配基准文件和对比文件中的节点，对比匹配节点的文本差异，获取每个条例的匹配值，根据匹配值获取差异度评分；利用差异度评分判定基本条例节点的差异类型；根据对比文件和基准文件中不同条例的匹配值和差异类型完成对比文件与基准文件的差异对比，能够通过结构化、图形化的形式映射文件间基于文本差异类型的文本差异情况，帮助用户深入了解不同文件之间的多方面差异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107369892B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710778208.X
申请日：2017-09-01
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种用于全金属外壳的多频终端天线，属于天线技术领域。本发明天线包括装设在系统电路板背面的金属外壳，设置在系统电路板正面的馈电网络和缝隙；所述金属外壳位于系统电路板背面且其上分别开设有双端开口型缝隙和单端开口型缝隙，馈电网络中与馈电端口相匹配的馈电分支分别横跨上述两个缝隙，激励缝隙形成多个频点谐振。本发明进一步藉由U型折叠金属片加载于双端开口型缝隙的改良，形成有别于现有二维缝隙天线的三维结构用以覆盖更多频段；本发明在实现多频带和宽频带的同时也解决了天线与大面积的金属外壳共存致使天线性能受损的难题，提高了终端设备的强度、质感和美感。
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公开(公告)号：CN107369892A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710778208.X
申请日：2017-09-01
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种用于全金属外壳的多频终端天线，属于天线技术领域。本发明天线包括装设在系统电路板背面的金属外壳，设置在系统电路板正面的馈电网络和缝隙；所述金属外壳位于系统电路板背面且其上分别开设有双端开口型缝隙和单端开口型缝隙，馈电网络中与馈电端口相匹配的馈电分支分别横跨上述两个缝隙，激励缝隙形成多个频点谐振。本发明进一步藉由U型折叠金属片加载于双端开口型缝隙的改良，形成有别于现有二维缝隙天线的三维结构用以覆盖更多频段；本发明在实现多频带和宽频带的同时也解决了天线与大面积的金属外壳共存致使天线性能受损的难题，提高了终端设备的强度、质感和美感。
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公开(公告)号：CN119831895A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411914001.7
申请日：2024-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06T5/73 , G06T5/60 , G06T5/70 , G06T7/40 , G06T3/4038 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于纹理亮度特征增强的深度学习去雾方法，首先基于U‑Net构建一种基于纹理亮度特征增强的深度学习去雾网络，将雾图输入深度学习去雾网络进行纹理亮度特征增强，并依次进行下采样与上采样操作，得到生成的去雾图像结果，即更高质量的清晰无雾图像。本发明的方法所述深度学习去雾网络利用多尺度特征融合、视觉变换模块、离散小波变换上、下采样模块，在频域过滤重要信息，增强底层特征的交互融合，通过提出一种新的亮度纹理引导模块，结合图像中的细节信息和亮度信息来指导编码器的特征融合过程，从而在输出图像中保留更丰富的语义信息，且不依赖于具体雾图成像关系，可以重构去雾图像，去雾后的图像质量更高、且更为清晰。
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公开(公告)号：CN119620074A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411698011.1
申请日：2024-11-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于特殊Stolt插值的圆形弯曲轨迹的成像算法，包括如下步骤：步骤1、获取目标地面区域的位置信息，基于雷达目标的位置信息建立圆形轨迹几何模型；步骤2、基于所述圆形轨迹几何模型，对雷达和目标点之间的斜距表达式进行距离脉冲压缩和去斜处理，得到距离频域和方位时域信号的第一表达式；步骤3、基于成像几何模型构建二位频域距离相位，补偿没有距离和方位耦合的相位得到第二表达式；步骤4、将耦合相位进行补偿并进行Stolt插值补偿，基于处理结果得到圆形轨迹SAR图像的成像影像。该方法能够实现在飞行器受外界干扰，雷达运动不稳定的情况下，仍然能够确保成像质量。
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公开(公告)号：CN113871478B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202111025927.7
申请日：2021-09-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，在传统AlGaN/GaN HEMT器件中引入底部栅极，通过背栅与顶栅控制沟道，实现具有P沟道特性的HEMT器件。一方面，通过顶部栅极偏置电压，使得器件处于关断状态。降低底部栅极偏置电压，削弱顶部栅所产生的电场，使得沟道二维电子气重新产生，实现P型沟道器件特性。另一方面，在开态下，进一步减小底部栅极偏置电压，异质结界面三角形势阱的深度增加，从而增大器件的开态电流。本发明实现的是一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，避免了传统HEMT器件的无法实现二维空穴气，P型沟道的HEMT器件难以制造的难题，为实现具有P型沟道特性的HEMT器件提供新的思路。
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