具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN111081761B

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN201911294299.5

    申请日:2019-12-16

    Abstract: 一种具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件,其特征在于,包括衬底,位于衬底之上的埋氧层,位于所述埋氧层之上的体硅层,位于所述体硅层之中、两侧的源区和漏区,位于体硅层之上的栅氧化层,位于所述栅氧化层之上的栅极叠层结构,所述栅极叠层结构自下而上依次为下极板金属层/铁电层/上极板金属层,或者自下而上依次为铁电层/上极板金属层。本发明晶体管器件通过在栅氧化层上制作栅极叠层结构,实现沟道电势大于外部栅极电压,突破热力学限制下的60mV/dec的亚阈值摆幅,降低工作电压从而降低器件的功耗,同时通过多次分步离子注入,获得与体硅层具有相同厚度的源漏结深,使源漏结与底部的埋氧层接触,提高了器件的抗单粒子辐照能力。

    基于目标方向约束的路径规划算法

    公开(公告)号:CN104914862B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201510190322.1

    申请日:2015-04-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于目标方向约束的路径规划算法,在路径搜索过程中,只保留当前节点与目标节点在同一方向上的可扩展节点,并将这些可扩展节点加入可扩展节点的状态空间,对状态空间中的每一个可扩展节点进行评估,得到估价函数值最小的可扩展节点作为下一个当前节点,重复路径搜索,直到状态空间中估价函数值最小的可扩展节点为目标节点,得到最优路径。本发明在路径搜索过程中,只保留当前节点与目标节点在同一方向上的可扩展节点,减少了当前节点的扩展节点的状态空间中的节点数量,降低了算法的搜索规模,减少了内存资源的占用,提高了算法的搜索效率,适用于各种实时性要求比较高的场景的路径搜索。

    位置指纹库的构建方法以及基于该位置指纹库的定位方法

    公开(公告)号:CN104754735A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201510122446.6

    申请日:2015-03-19

    Abstract: 本发明公开一种位置指纹库的构建方法以及基于该位置指纹库的定位方法,通过采集不同时间段的样本形成指纹序列组,保持了指纹序列的多样化,并且通过指纹序列组代替单个的指纹序列,减小了周围环境的变化对定位结果的影响,并得到所有采样点的基于指纹序列组的位置指纹,将所有采样点的位置指纹组合成位置指纹库;通过将实时获取到的RSSI序列与位置指纹库匹配的结果划分成K个区间,根据匹配的结果划分不同的区间,计算不同区间对应的权重因子的值,即为不同区间内的采样点赋予不同的权重值,以区别不同采样点对待定位点的影响,权重参数通过反馈求解,更能适应定位场景的环境,提高定位精度。

    一种新型ISFET器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110098251A

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201910298714.8

    申请日:2019-04-15

    Inventor: 翟亚红 李珍 李威

    Abstract: 本发明提供一种新型ISFET器件及其制备方法,属于电子器件技术领域。本发明中设计的新型ISFET与传统ISFET不同的是,首先构建了新的FinFET结构,即设计了位于Fin结构两侧且对称的、沟槽状的第一栅极叠层和第二栅极叠层,栅极叠层和栅介质层共同构成了前栅,由两个前栅和一个背栅来共同控制沟道,使得其栅极的控制能力很强,其次由于负电容结构的存在,通过电压放大效应可以提高器件的灵敏度,其次还可以实现低于60mV/dec的亚阈值摆幅,实现低功耗的要求。

    基于位置指纹库的定位方法

    公开(公告)号:CN104754735B

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201510122446.6

    申请日:2015-03-19

    Abstract: 本发明公开一种位置指纹库的构建方法以及基于该位置指纹库的定位方法,通过采集不同时间段的样本形成指纹序列组,保持了指纹序列的多样化,并且通过指纹序列组代替单个的指纹序列,减小了周围环境的变化对定位结果的影响,并得到所有采样点的基于指纹序列组的位置指纹,将所有采样点的位置指纹组合成位置指纹库;通过将实时获取到的RSSI序列与位置指纹库匹配的结果划分成K个区间,根据匹配的结果划分不同的区间,计算不同区间对应的权重因子的值,即为不同区间内的采样点赋予不同的权重值,以区别不同采样点对待定位点的影响,权重参数通过反馈求解,更能适应定位场景的环境,提高定位精度。

    基于目标方向约束的路径规划算法

    公开(公告)号:CN104914862A

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:CN201510190322.1

    申请日:2015-04-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于目标方向约束的路径规划算法,在路径搜索过程中,只保留当前节点与目标节点在同一方向上的可扩展节点,并将这些可扩展节点加入可扩展节点的状态空间,对状态空间中的每一个可扩展节点进行评估,得到估价函数值最小的可扩展节点作为下一个当前节点,重复路径搜索,直到状态空间中估价函数值最小的可扩展节点为目标节点,得到最优路径。本发明在路径搜索过程中,只保留当前节点与目标节点在同一方向上的可扩展节点,减少了当前节点的扩展节点的状态空间中的节点数量,降低了算法的搜索规模,减少了内存资源的占用,提高了算法的搜索效率,适用于各种实时性要求比较高的场景的路径搜索。

    抗辐照双极器件的制备方法

    公开(公告)号:CN111627980A

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN202010240885.8

    申请日:2020-03-31

    Abstract: 抗辐照双极器件的制备方法,涉及电子器件技术,本发明包括下述步骤:1)在N型衬底上生成厚牺牲层;2)厚牺牲层上光刻形成基极注入窗口,并由此窗口离子注入或扩散形成基区;3)掩膜下光刻出发射极注入窗口,由此离子注入或扩散形成发射区;4)掩膜下光刻并离子注入形成P+欧姆接触区,至此形成上表面覆盖有掩膜和厚牺牲氧化层的半导体区;5)去除掩膜和厚牺牲氧化层,在半导体区的上表面生长一厚度20~80nm的薄层抗辐射二氧化硅层;6)在发射区和间隔区的界面上方,沿二氧化硅层的上表面设置二氧化硅介质层和导电场板;7)分别设置连接基区、发射区和P+欧姆接触区的电极。在与现有技术同样的辐射环境下,本发明器件电流增益增加20%~30%。

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