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公开(公告)号：CN106329146B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201610813900.7
申请日：2016-09-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法；所述吸波器由上至下依次包括一层图形化的金属薄膜、一层柔性介质薄膜和一层连续的金属薄膜；所述吸波器的制作方法为：在柔性介质薄膜的一个表面沉积一层连续的金属薄膜；将图形化的遮掩薄膜覆盖在柔性介质薄膜的另一个表面上，然后在表面沉积另一层金属薄膜，再将遮掩薄膜与柔性介质薄膜分开，在柔性介质薄膜的另一个表面上得到具有与遮掩薄膜互补图案的图形化的金属薄膜。本发明的柔性太赫兹超材料吸波器具有柔性、可伸缩的特点，能够通过施加外力发生弯曲，由此改变其吸收系数，因此可以很方便地调节其太赫兹响应性能，并且本发明的制作方法简单，且所制成的遮掩薄膜可多次重复利用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106149044B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201610812700.X
申请日：2016-09-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: C07D213/38 , C30B7/06 , C30B29/54
Abstract: 本发明公开了一种自组装单分子膜诱导生长DAST及其衍生物单晶薄膜的方法，首先在衬底的表面自组装含有‑SO3‑、‑OH、‑Cl‑、‑NH2、‑F‑和‑COOH中的一种或几种官能团的一层单分子薄膜，使衬底官能团化，然后将官能团化的两片衬底并排紧贴地插入DAST或DAST衍生物溶液中，采用缓慢蒸发溶剂法，在两片衬底之间生长DAST或DAST衍生物单晶。本发明能有效克服有机薄膜单晶生长过程中晶体的厚度和取向可控性差、易于形成孪晶、水蒸气干扰晶体生长等问题，能有效地控制DAST或DAST衍生物晶体的厚度及生长方向，避免形成孪晶。
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公开(公告)号：CN104993199A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510478314.7
申请日：2015-08-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄的太赫兹中高频宽带滤波器及其制作方法，滤波器由下至上依次包括一层或多层的非晶介质薄膜和一层或多层的金属薄膜，其中，所述的非晶介质薄膜被刻蚀成方型或圆型当中的一种的周期性图形结构；所述的金属薄膜直接附在非晶介质薄膜的表面，而且金属薄膜与非晶介质薄膜的形状相同。本发明提供的太赫兹宽带滤波器具有较薄的厚度，能够减弱常规衬底材料带来的插入损耗、避免在太赫兹波段由衬底构成的谐振腔引起的法布里-珀罗共振。本发明所提供的滤波器结构简单、制造容易，其带通中心频率可覆盖整个太赫兹波段，同时具有较宽的带通带宽。如果把多个太赫兹滤波器相叠加，能够得到响应波形更加陡直、带外抑制性能更加优良的太赫兹滤波器。
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公开(公告)号：CN106329146A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610813900.7
申请日：2016-09-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法；所述吸波器由上至下依次包括一层图形化的金属薄膜、一层柔性介质薄膜和一层连续的金属薄膜；所述吸波器的制作方法为：在柔性介质薄膜的一个表面沉积一层连续的金属薄膜；将图形化的遮掩薄膜覆盖在柔性介质薄膜的另一个表面上，然后在表面沉积另一层金属薄膜，再将遮掩薄膜与柔性介质薄膜分开，在柔性介质薄膜的另一个表面上得到具有与遮掩薄膜互补图案的图形化的金属薄膜。本发明的柔性太赫兹超材料吸波器具有柔性、可伸缩的特点，能够通过施加外力发生弯曲，由此改变其吸收系数，因此可以很方便地调节其太赫兹响应性能，并且本发明的制作方法简单，且所制成的遮掩薄膜可多次重复利用。
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公开(公告)号：CN104993199B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201510478314.7
申请日：2015-08-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄的太赫兹中高频宽带滤波器及其制作方法，滤波器由下至上依次包括一层或多层的非晶介质薄膜和一层或多层的金属薄膜，其中，所述的非晶介质薄膜被刻蚀成方型或圆型当中的一种的周期性图形结构；所述的金属薄膜直接附在非晶介质薄膜的表面，而且金属薄膜与非晶介质薄膜的形状相同。本发明提供的太赫兹宽带滤波器具有较薄的厚度，能够减弱常规衬底材料带来的插入损耗、避免在太赫兹波段由衬底构成的谐振腔引起的法布里‑珀罗共振。本发明所提供的滤波器结构简单、制造容易，其带通中心频率可覆盖整个太赫兹波段，同时具有较宽的带通带宽。如果把多个太赫兹滤波器相叠加，能够得到响应波形更加陡直、带外抑制性能更加优良的太赫兹滤波器。
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公开(公告)号：CN106149044A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610812700.X
申请日：2016-09-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种自组装单分子膜诱导生长DAST及其衍生物单晶薄膜的方法，首先在衬底的表面自组装含有‑SO3‑、‑OH、‑Cl‑、‑NH2、‑F‑和‑COOH中的一种或几种官能团的一层单分子薄膜，使衬底官能团化，然后将官能团化的两片衬底并排紧贴地插入DAST或DAST衍生物溶液中，采用缓慢蒸发溶剂法，在两片衬底之间生长DAST或DAST衍生物单晶。本发明能有效克服有机薄膜单晶生长过程中晶体的厚度和取向可控性差、易于形成孪晶、水蒸气干扰晶体生长等问题，能有效地控制DAST或DAST衍生物晶体的厚度及生长方向，避免形成孪晶。
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