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公开(公告)号：CN107068853A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710053780.X
申请日：2017-01-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L41/193 , H01L41/45
CPC classification number: H01L41/193 , H01L41/45
Abstract: 本发明是关于一种DAST单晶压电材料及其制备方法；本发明公开了DAST单晶作为压电材料的应用；本发明还公开了DAST有机单晶压电材料包括DAST单晶、镀在DAST单晶的两个平行表面的电极以及电极引出的导线；所述DAST单晶压电材料的制备方法包括配制溶液、放置斜板、粗略降温、精细降温、清洗、制作电极、引线等步骤。本发明克服了现有压电材料的缺点，DAST单晶压电材料压电效应明显，具有柔性、不含铅、不含氟、无毒，并且制作方法简单，不需要高温、高压等苛刻条件，制作成本低。
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公开(公告)号：CN107068853B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710053780.X
申请日：2017-01-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L41/193 , H01L41/45
Abstract: 本发明是关于一种DAST单晶压电材料及其制备方法；本发明公开了DAST单晶作为压电材料的应用；本发明还公开了DAST有机单晶压电材料包括DAST单晶、镀在DAST单晶的两个平行表面的电极以及电极引出的导线；所述DAST单晶压电材料的制备方法包括配制溶液、放置斜板、粗略降温、精细降温、清洗、制作电极、引线等步骤。本发明克服了现有压电材料的缺点，DAST单晶压电材料压电效应明显，具有柔性、不含铅、不含氟、无毒，并且制作方法简单，不需要高温、高压等苛刻条件，制作成本低。
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公开(公告)号：CN106876577B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201710138736.9
申请日：2017-03-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L41/193
Abstract: 本发明公开了一种DAST柔性复合压电材料及其制备方法；所述DAST柔性复合压电材料包括含DAST和辅助材料的柔性复合膜、分别覆盖在柔性复合膜上下表面的导电层、导电层引出的导线以及覆盖在导电层表面的聚合物保护层；所述辅助材料包括改善DAST力学性能的聚合物材料和改善DAST电学性能的导电材料。本发明通过辅助材料的掺杂，克服了DAST单晶生长周期长、难以独立成膜的不足，而且不仅保留了DAST单晶优良的压电性能，同时还提高了材料的力学和电学性能。本发明制备的DAST柔性复合压电材料全部由有机材料组成，制备工艺简单且可在室温下完成，无需复杂、昂贵的成膜设备，具有制造成本低、产品性能高、柔性等优点。
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公开(公告)号：CN106876577A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710138736.9
申请日：2017-03-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L41/193
CPC classification number: H01L41/193
Abstract: 本发明公开了一种DAST柔性复合压电材料及其制备方法；所述DAST柔性复合压电材料包括含DAST和辅助材料的柔性复合膜、分别覆盖在柔性复合膜上下表面的导电层、导电层引出的导线以及覆盖在导电层表面的聚合物保护层；所述辅助材料包括改善DAST力学性能的聚合物材料和改善DAST电学性能的导电材料。本发明通过辅助材料的掺杂，克服了DAST单晶生长周期长、难以独立成膜的不足，而且不仅保留了DAST单晶优良的压电性能，同时还提高了材料的力学和电学性能。本发明制备的DAST柔性复合压电材料全部由有机材料组成，制备工艺简单且可在室温下完成，无需复杂、昂贵的成膜设备，具有制造成本低、产品性能高、柔性等优点。
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公开(公告)号：CN103367919B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310280482.6
申请日：2013-07-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01Q13/02
Abstract: 本发明公开了一种低频宽带双极化四脊喇叭天线，主要解决现有技术无法满足低频率天线的测试要求，重量很重，不容易移动转动，加工困难的问题。它包括天线壁（1）、脊（2）、短路板（3）、同轴接头（4）、馈电探针（5）、聚四氟乙烯板（6）、短路柱（7）、矩形槽（8）、圆柱槽（9）和过渡锥（10）；四个脊（2）的内壁均采用镂空结构，每个脊的顶部均设有切角，四个脊的中间固定有聚四氟乙烯板（6）；短路板（3）的一侧开有矩形槽（8）；每个馈电探针（5）的顶部设为锥形结构，末端表面镀有银或锡这种软导电材料。本发明具有重量轻，结构稳定，且最低频率能够稳定在75MHz的优点，可适用于低频率天线测试的源天线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103367919A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310280482.6
申请日：2013-07-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01Q13/02
Abstract: 本发明公开了一种低频宽带双极化四脊喇叭天线，主要解决现有技术无法满足低频率天线的测试要求，重量很重，不容易移动转动，加工困难的问题。它包括天线壁（1）、脊（2）、短路板（3）、同轴接头（4）、馈电探针（5）、聚四氟乙烯板（6）、短路柱（7）、矩形槽（8）、圆柱槽（9）和过渡锥（10）；四个脊（2）的内壁均采用镂空结构，每个脊的顶部均设有切角，四个脊的中间固定有聚四氟乙烯板（6）；短路板（3）的一侧开有矩形槽（8）；每个馈电探针（5）的顶部设为锥形结构，末端表面镀有银或锡这种软导电材料。本发明具有重量轻，结构稳定，且最低频率能够稳定在75MHz的优点，可适用于低频率天线测试的源天线。
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公开(公告)号：CN106329146B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201610813900.7
申请日：2016-09-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法；所述吸波器由上至下依次包括一层图形化的金属薄膜、一层柔性介质薄膜和一层连续的金属薄膜；所述吸波器的制作方法为：在柔性介质薄膜的一个表面沉积一层连续的金属薄膜；将图形化的遮掩薄膜覆盖在柔性介质薄膜的另一个表面上，然后在表面沉积另一层金属薄膜，再将遮掩薄膜与柔性介质薄膜分开，在柔性介质薄膜的另一个表面上得到具有与遮掩薄膜互补图案的图形化的金属薄膜。本发明的柔性太赫兹超材料吸波器具有柔性、可伸缩的特点，能够通过施加外力发生弯曲，由此改变其吸收系数，因此可以很方便地调节其太赫兹响应性能，并且本发明的制作方法简单，且所制成的遮掩薄膜可多次重复利用。
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公开(公告)号：CN106149044B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201610812700.X
申请日：2016-09-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: C07D213/38 , C30B7/06 , C30B29/54
Abstract: 本发明公开了一种自组装单分子膜诱导生长DAST及其衍生物单晶薄膜的方法，首先在衬底的表面自组装含有‑SO3‑、‑OH、‑Cl‑、‑NH2、‑F‑和‑COOH中的一种或几种官能团的一层单分子薄膜，使衬底官能团化，然后将官能团化的两片衬底并排紧贴地插入DAST或DAST衍生物溶液中，采用缓慢蒸发溶剂法，在两片衬底之间生长DAST或DAST衍生物单晶。本发明能有效克服有机薄膜单晶生长过程中晶体的厚度和取向可控性差、易于形成孪晶、水蒸气干扰晶体生长等问题，能有效地控制DAST或DAST衍生物晶体的厚度及生长方向，避免形成孪晶。
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公开(公告)号：CN115856450A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211739482.3
申请日：2022-12-30
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明公开一种基于相位还原的近场天线测量方法，主要解决现有天线测量技术中高频天线近场相位获取困难，无法进行高频天线近场精确测量的问题。其实现方案为，通过近场天线测量获取高频天线近场两个平面的幅值，根据两个平面的幅值运用全局优化算法计算得到第一平面的最优初始相位，再由该最优初始相位和两个平面的幅值运用迭代傅里叶算法还原出高频天线近场第一个平面的相位；由第一个平面的幅值和还原的相位组成第一个平面的电场，由该电场计算得出高频天线的远场方向图。本发明采用优化还原算法得到高频天线的相位，无需进行测量，不仅解决了现有技术天线近场相位获取困难的问题，节约了近场天线测量的成本，且可兼容于高、低频天线测量，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN106329146A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610813900.7
申请日：2016-09-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法；所述吸波器由上至下依次包括一层图形化的金属薄膜、一层柔性介质薄膜和一层连续的金属薄膜；所述吸波器的制作方法为：在柔性介质薄膜的一个表面沉积一层连续的金属薄膜；将图形化的遮掩薄膜覆盖在柔性介质薄膜的另一个表面上，然后在表面沉积另一层金属薄膜，再将遮掩薄膜与柔性介质薄膜分开，在柔性介质薄膜的另一个表面上得到具有与遮掩薄膜互补图案的图形化的金属薄膜。本发明的柔性太赫兹超材料吸波器具有柔性、可伸缩的特点，能够通过施加外力发生弯曲，由此改变其吸收系数，因此可以很方便地调节其太赫兹响应性能，并且本发明的制作方法简单，且所制成的遮掩薄膜可多次重复利用。
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