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公开(公告)号：CN118916520A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411020426.3
申请日：2024-07-29
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: G06F16/783 , G06F16/732 , G06F16/33 , G06F16/332 , G06F18/22 , G06F18/25 , G06V20/40 , G06V20/70 , G06F40/126 , G06F40/30 , G06N3/0455 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于全局与局部语义的视频‑文本检索方法，构建包括文本特征提取模块，视频特征提取模块，全局交互模块，局部交互模块和相似度融合模块的视频‑文本跨模态匹配模型，全局交互模块用于对文本特征提取模块和视频特征提取模块所提取得到的文本特征和视频特征计算得到全局相似度，局部交互模块用于基于Transformer编码器对文本的词特征和视频特征计算得到局部相似度，再由相似度融合模块将全局相似度和局部相似度融合得到视频‑文本的匹配度。本发明构建视频‑文本跨模态匹配模型，通过挖掘跨模态的潜在共享语义来优化视频‑文本检索。
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公开(公告)号：CN118221063A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311369107.9
申请日：2023-10-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种聚对二甲苯刻蚀方法、聚对二甲苯神经电极及制备方法，聚对二甲苯刻蚀方法包括步骤：在聚对二甲苯层上使用光刻胶进行刻蚀区域的图案化，形成图案化的光刻胶并露出刻蚀区域以外的聚对二甲苯层表面；在图案化的光刻胶上和聚对二甲苯层的露出表面上低温淀积二氧化硅；剥离图案化的光刻胶和图案化的光刻胶上的二氧化硅，形成二氧化硅硬掩膜；使用反应离子刻蚀法，以低温生长二氧化硅硬掩膜作掩膜对刻蚀区域的聚对二甲苯层进行刻蚀，形成目标刻蚀结构；去除掉二氧化硅硬掩膜。该刻蚀方法以二氧化硅作为聚对二甲苯的硬掩膜，二氧化硅掩膜具有刻蚀选择比高和分辨率高的优点，能够应对不同厚度的聚对二甲苯，实现精细图案的刻蚀。
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公开(公告)号：CN112733397A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011578853.5
申请日：2020-12-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了针对三种方形螺旋结构电磁超材料单元的设计方法，属于电磁超材料技术领域。包括以下步骤：首先根据所选结构与工作频率计算获得方形螺旋结构合适的基本结构参数；再根据获得的基本参数进行建模和有限元仿真获得超材料单元的谐振频率；最后对模型中的线圈长度进行微调最终获得所需的超材料结构参数。本发明超材料单元设计方法的建立可以在设定的金属宽度与间隙宽度范围内快速获得单层、双层或双层内通孔三种方形螺旋结构最大亚波长深度的超材料单元设计初步参数，大大降低了电磁超材料单元参数设计的复杂度和时间成本。
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公开(公告)号：CN118091581A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410219512.0
申请日：2024-02-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种机载双基地雷达杂波抑制与目标积累检测联合实现方法，应用于雷达技术领域，针对机载双基地雷达检测低空机动目标时出现的距离徙动、多普勒徙动以及强杂波噪声背景问题，本发明利用两级滑动子孔径空时处理、目标信号重构以及子孔径分段积累，有效抑制非平稳杂波和校正补偿距离徙动和多普勒徙动，进而实现目标多脉冲能量的相参积累，最终达到提升回波信杂噪比、改善双基地雷达对机动目标的检测性能的目的。
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公开(公告)号：CN117907941A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410087338.9
申请日：2024-01-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01S7/02 , G06F18/21 , G06F18/2131
Abstract: 本发明公开一种混叠情况下的LFM脉冲信号参数估计方法，应用于雷达技术领域，针对多个外辐射源雷达直达波信号参数相似，在时频域存在混叠的问题，本发明利用分数阶傅里叶变换对直达波信号进行能量积累，根据积累之后得到的峰值积极线性调频脉冲信号经过分数阶傅里叶变换后的解析表达式构建多通道信号，最后利用构造的多通道信号，通过盲源分离的方法在分数阶傅里叶变换域对线性调频脉冲信号进行去混叠处理，最终达到提升信号信噪比，分离参数相似的不同脉冲信号，从而实现参数准确估计；本发明的流程可以利用快速分数阶傅里叶变换方法实现，有利于工程实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116903911A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310773955.X
申请日：2023-06-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物材料上制备微纳结构的方法，首先准备聚合物材料薄膜，然后在水空气界面自组装聚苯乙烯PS小球，接着制备出PS微球薄膜，再用聚合物材料薄膜粘取；最后采用氧气等离子体刻蚀聚合物材料薄膜以形成微纳结构，将晾干后的聚合物材料薄膜放在刻蚀机内，设置刻蚀的功率和氧气流量，调节刻蚀时间来控制微纳结构的深度；改变PS小球的直径来控制微纳结构的大小；使用不同的聚合物材料薄膜来控制微纳结构的形貌；因此本发明能够简便并且低成本在聚合物材料上制备微纳结构，可控的调节微纳结构的大小、形貌、深度。
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公开(公告)号：CN115902784B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211588042.2
申请日：2022-12-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大时宽带宽积雷达匀加速运动超高速目标积累检测方法，包括以下步骤：S1、建立多脉冲二阶变尺度时域回波模型；S2、将二阶变尺度时域回波变换至距离单元‑脉冲序列域，用旋转角代替目标速度值；S3、设置参数搜索范围和间隔，构造二阶变尺度频域脉冲压缩器和二阶频域广义去调频方程；S4、进行尺度效应去除、距离走动/多普勒走动校正补偿联合处理；S5、沿慢时间维进行快速傅里叶变换实现相参积累，根据相参积累结果对目标进行恒虚警检测。本发明首次推导了匀加速运动超高速目标回波的二阶尺度效应公式，并提出了尺度效应去除、距离走动/多普勒走动联合实现方法，极大提高了大时宽带宽积雷达的远距离探测性能。
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公开(公告)号：CN114810686A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210267336.9
申请日：2022-03-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: F15B1/02 , F15B21/041 , F15B19/00 , F15B13/02 , F15B1/24
Abstract: 本发明提供一种压力自适应气体活塞式蓄能器系统及方法，包括气源、气体比例调压阀、压力传感器、活塞式蓄能器和上位机等，所述活塞式蓄能器通过活塞两侧面积实现对气体压力的放大作用可实现较低的工作气压对高压流体的脉动控制；在气动回路中，设置压力传感器和比例减压阀形成闭环回路，通过压力调控算法调控活塞式蓄能器内气压；在液压主回路设置压力传感器采集压力信号反馈给上位机利用神经网络或固定算法计算出所需气压压力对蓄能器内气压进行调整，以获得最佳的脉动衰减效果。
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公开(公告)号：CN117503147A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311451144.4
申请日：2023-11-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种介电复合封装的柔性可延展神经电极及其制备方法，制备方法包括：在硅片的上表面制备复合封装层，复合封装层包括多组叠层设置的氧化铪薄膜和交联聚甲基丙烯酸甲酯膜，复合封装层底层的氧化铪薄膜与硅片的上表面接触；在复合封装层顶层的交联聚甲基丙烯酸甲酯膜的上表面制备金属互连层；在金属互连层的上表面制备SIBS膜；将样品翻转后，刻蚀掉硅片露出复合封装层；对露出的复合封装层刻蚀形成金属焊盘区域，最后，按照电极轮廓对样品进行切割，得到柔性可延展神经电极。本发明制备高介电常数介质HfO2和C‑PMMA循环叠层结构作为复合封装层，利用有机聚合物填充无机层中的缺陷和孔洞，使电极出现弯曲形变时也能维持优异的封装特性以及采集性能。
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公开(公告)号：CN116907690A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310773963.4
申请日：2023-06-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳结构的薄膜传感器及其制备方法，该微纳结构的薄膜传感器包括对位设置的第一聚合物薄膜和第二聚合物薄膜，且第一聚合物薄膜一侧设置有微纳结构；第一聚合物薄膜和第二聚合物薄膜用于作为两个摩擦层；两个摩擦层相反的两侧分别设置有第一导电纤维层和第二导电纤维层，第一导电纤维层和第二导电纤维层用于作为两个电极层；两个摩擦层和两个电极层组装以形成双电极式摩擦电压力传感器；第一聚合物薄膜的材质为聚酰亚胺和/或聚对苯二甲酸乙二醇酯；本发明通过刻蚀不同聚合物材料制备出不同凹凸结构的微纳结构，或者，将聚合物材料刻蚀不同时间制备出不同深度的微纳结构，增加薄膜传感器的接触面积，提高传感灵敏度。
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