公开(公告)号：CN115810674A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211575030.6

申请日：2022-12-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 薛军帅 ,  姚佳佳 ,  吴冠霖 ,  郭壮 ,  刘仁杰 ,  赵澄 ,  李泽辉 ,  袁金渊 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/88 ,  H01L29/06 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了多区域微分负阻特性的氮化镓基共振隧穿二极管及制作方法，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管难以实现多区域微分负阻特性、串联集成度低和微分负阻特性一致性差的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、发射极欧姆接触层、多层复合有源区、集电极欧姆接触层和集电极电极；多层复合有源区是由N层有源区和N‑1层n+GaN串联层交替排列组成的复合结构；每一层有源区自下而上包括隔离层、势垒层、量子阱层、势垒层、隔离层；势垒层均采用宽带隙半导体材料。本发明具有多个峰值电流相同的微分负阻效应，器件性能稳定，微分负阻效应一致性好，可靠性和集成度高，能消除平面串联工艺的金属互联，可用于多值逻辑数字电路和存储器中。

公开(公告)号：CN108694439A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810601472.0

申请日：2018-06-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 何建 ,  刘仁杰 ,  邹见效 ,  徐红兵

IPC: G06N3/00 ,  G06Q10/04 ,  G06Q50/06

CPC classification number: G06N3/006 ,  G06Q10/04 ,  G06Q50/06

Abstract: 本发明公开了一种贝叶斯网络的拓扑构建方法，先初始化若干个代表贝叶斯网络的飞蛾，使用评分函数对其打分排序得到烛火；使用迭代法更新飞蛾和烛火，更新过程中使用遗传算法的变异和交叉方法；最终根据最高评分的烛火获得最优的贝叶斯网络；这样利用了飞蛾烛火算法的平衡了全局寻优和局部寻优的特点以及遗传算法的并行计算能力强、减少粒子随机性的优点，更快更准确的建立了贝叶斯网络拓扑结构。

公开(公告)号：CN116406167A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310141307.2

申请日：2023-02-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 薛军帅 ,  李祖懋 ,  吴冠霖 ,  袁金渊 ,  孙文博 ,  郭壮 ,  赵澄 ,  刘仁杰 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H10B99/00 ,  H01L29/88 ,  H01L29/778 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种氮化物非易失性的多值逻辑存储器及制作方法，主要解决现有氮化物非易失性存储器耐久性差、延迟高和漏电大的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、浮栅层、第一势垒层、第一量子阱层、第二势垒层、隔离层、栅极接触层；该第一势垒层、第一量子阱层和第二势垒层构成第一共振隧穿二极管，第二势垒层与隔离层之间设有串联层、第三势垒层、第二量子阱层和第四势垒层，该第三势垒层、第二量子阱层和第四势垒层构成第二共振隧穿二极管，浮栅层两侧设有源电极和漏电极，栅极接触层上设有栅电极，形成三极管结构器件。本发明能增加写入和擦除的电流差，减小延迟和漏电，易实现多值逻辑状态，可用于高密度存储和多值逻辑电路。

公开(公告)号：CN115763533A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211623684.1

申请日：2022-12-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 薛军帅 ,  赵澄 ,  吴冠霖 ,  孙文博 ,  刘仁杰 ,  郭壮 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种凹槽填充介质隔离漏电的同质外延GaN HEMT器件及其制作方法，主要解决现有器件同质外延界面漏电的问题。其自下而上包括GaN衬底、GaN缓冲层、背势垒层、沟道层、AlN插入层、势垒层和绝缘栅介质，AlN插入层和势垒层的两侧分别为欧姆接触区，欧姆接触区上设置源和漏电极，绝缘栅介质上设有栅电极；GaN缓冲层与GaN衬底上设有凹槽，该凹槽中和GaN衬底背面均填充且覆盖高热导率材料作为漏电隔离层，该源电极的欧姆接触区下方设有至漏电隔离层的通孔，该通孔内与漏电隔离层的下部淀积金属形成背电极。本发明无同质外延界面漏电，输出电流和功率密度高，散热效率高，可用于微波功率放大器和射频集成电路芯片。

公开(公告)号：CN115719764A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202211528706.6

申请日：2022-11-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 薛军帅 ,  吴冠霖 ,  姚佳佳 ,  郭壮 ,  李泽辉 ,  赵澄 ,  刘仁杰 ,  袁金渊 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种过渡金属氮化物势垒高电子迁移率晶体管，主要解决现有薄势垒层氮化物晶体管击穿电压和功率密度低、阈值电压难调控的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、插入层、势垒层、铁电调控层、保护层；势垒层为钪钇铝氮与氮化铝的复合交替的叠层结构；铁电调控层为连续外延的单晶钪钇铝氮材料；保护层为连续外延的单晶氮化铝材料；保护层两侧设置钝化层，其上部为栅电极；沟道层上部至势垒层两侧均为欧姆接触区，欧姆接触区上分别为源、漏电极；源漏电极与栅电极之间填充钝化层。本发明势垒层极化强度大、击穿场强高，载流子浓度高，且铁电调控层能对器件阈值电压实现自由调控，可用于微波毫米波射频集成电路和数字开关集成电路。

公开(公告)号：CN118281082A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410416150.4

申请日：2024-04-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 薛军帅 ,  刘仁杰 ,  刘芳 ,  吴冠霖 ,  郭壮 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/88 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04 ,  H01L29/20 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种具有对称微分负阻特性的极性氮化物共振隧穿二极管，主要解决现有极性氮化镓共振隧穿二极管室温下微分负阻特性不对称、峰谷电流比低的问题。其自下而上包括衬底、n型外延层、第一隔离层、第一势垒层、势阱层、第二势垒层、第二隔离层、欧姆接触层，欧姆接触层上设有阳极和阴极。该n型外延层的台面上以固定间隔分布有两个均由第一隔离层、第一势垒层、势阱层、第二势垒层、第二隔离层及欧姆接触层组成的整体结构，该整体结构采用沿c轴方向外延的纤锌矿结构材料。本发明提高了器件的峰谷电流比，且微分负阻特性对称，当阴极接地且阳极偏压为正时，出现正向微分负阻特性；反之，出现反向微分负阻特性，可用于射频电路和高速数字电路。

公开(公告)号：CN119133173A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411117764.9

申请日：2024-08-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 薛军帅 ,  刘仁杰 ,  刘芳 ,  郭壮 ,  袁金渊 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/08 ,  H01L29/88 ,  H01L29/06 ,  H01L23/66 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/329 ,  H01Q13/10 ,  H01Q1/48 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体共振隧穿二极管振荡器及其制作方法，主要解决现有共振隧穿二极管振荡器输出功率低、材料外延难度大、衬底耦合使谐振频率漂移、直流功耗高、电路复杂性大的问题。其包括共振隧穿二极管和缝隙天线，该共振隧穿二极管自下而上包括：衬底、发射极欧姆接触层、第一隔离层、第一势垒层、势阱层、第二势垒层、第二隔离层、集电极欧姆接触层，且各层均采用氮化物材料；该缝隙天线自下而上包括：金属地、介质板、金属缝隙层、MIM电容。整个氮化物半导体共振隧穿二极管位于金属缝隙层的一侧，并与MIM电容连接。本发明屏蔽了衬底耦合对谐振频率的影响，直流功耗和电路复杂性小，输出功率高，材料外延工艺简单，可用于太赫兹片上高功率辐射源。