公开(公告)号：CN106469728A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610589331.2

申请日：2016-07-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 茶木原启 ,  阿部智

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/90 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/7833 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11551

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其目的为实现具有非易失性存储器的半导体器件的小型化。存储单元(MC)具有栅绝缘膜(GIt)、控制栅电极(CG)、盖绝缘膜(CP1)、盖层(CP2)、栅绝缘膜(GIm)及存储栅电极(MG)。层叠型电容元件(CSA)具有：电容电极(CE2A)，由子电极(CE21A)和利用在子电极(CE21A)上以规定间隔配置且具有上表面以及侧面的凸台部(突起部)形成的子电极(CE22A)构成；电容绝缘膜(CZ2A)，沿着子电极(CE21A)的上表面及子电极(CE22A)的上表面和侧面形成；和电容电极(CE3A)，形成在电容绝缘膜(CZ2A)上。并且，控制栅电极以及子电极(CE21A)由导体膜(5)形成，盖层以及子电极(CE22A)由导体膜(7)形成，存储栅电极和电容电极由导体膜(9)形成。

公开(公告)号：CN105938838A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610096881.0

申请日：2016-02-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 阿部智 ,  茶木原启 ,  梅田恭子 ,  川岛祥之 ,  齐藤健太郎

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11563

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明还提供了一种包括非易失性存储器、新颖的堆叠的电容性元件的半导体装置。所述半导体装置包括堆叠的电容性元件，其包括由形成在半导体衬底中的n型阱区制成的第一电容电极，被形成以隔着第一电容绝缘膜覆盖所述第一电容电极的第二电容电极，被形成以隔着第二电容绝缘膜覆盖所述第二电容电极的第三电容电极，被形成以隔着第三电容绝缘膜覆盖所述第三电容电极的第四电容电极。第一电位被施加到第一和第三电容电极，并且与所述第一电位不同的第二电位被施加到第二和第四电容电极。