公开(公告)号：CN101819931B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010119463.1

申请日：2010-02-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中山知士 ,  笠间佳子 ,  藤仓荣一 ,  菊池敦志

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括：通过干法蚀刻去除在含Ni硅化物层上表面形成的绝缘层，由此使含Ni硅化物层至少部分地露出；以及使用具有还原作用的还原水清洗含Ni硅化物层的露出部。

公开(公告)号：CN101958247A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010218315.5

申请日：2010-06-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 浜中信秋 ,  笠间佳子

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/12 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了半导体器件处理方法。通过等离子体预处理将被去除的绝缘膜区域，来实现对在层间绝缘膜中形成低k空气空隙的改良控制。通过掩模暴露想要的空气空隙区域同时用掩模遮蔽将被保留的膜区域。然后，使想要的空气空隙区域暴露到等离子体，以便在随后的处理中使其更易于去除。在绝缘膜的这两个区域中嵌入一个或多个Cu互连。然后，选择性去除在想要的空气空隙区域中的绝缘膜，以在那个区域中形成邻近Cu互连的空气空隙。