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1.

发明授权
制造半导体装置的方法失效

公开(公告)号：CN101819931B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010119463.1

申请日：2010-02-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中山知士 , 笠间佳子 , 藤仓荣一 , 菊池敦志

IPC: H01L21/3105 , H01L21/311

CPC classification number: H01L21/02063 , H01L21/28518 , H01L21/76814

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括：通过干法蚀刻去除在含Ni硅化物层上表面形成的绝缘层，由此使含Ni硅化物层至少部分地露出；以及使用具有还原作用的还原水清洗含Ni硅化物层的露出部。

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