公开(公告)号：CN109979949A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811583471.4

申请日：2018-12-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中山知士 ,  绵贯真一 ,  小松大士 ,  桑岛照弘 ,  小仓卓 ,  奥秋广幸 ,  清水繁明

IPC: H01L27/144 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体装置及其制造方法。为了改善半导体装置的性能，在p型半导体PR之上形成半导体层EP。在半导体层EP之上形成n型半导体层NR1。半导体层PR、半导体层EP和半导体层NR1分别配置光接收器的一部分。在半导体层EP之上形成与半导体层EP的材料不同的材料的盖层，并且在盖层内形成硅化物层，该硅化物层是金属与被包括在盖层中的材料的反应产物。穿过硅化物层在盖层之上形成具有阻挡金属膜BM1的插塞。这里，在半导体层NR1内未形成金属与被包括在半导体层NR1中的材料的反应产物。

公开(公告)号：CN109979949B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201811583471.4

申请日：2018-12-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中山知士 ,  绵贯真一 ,  小松大士 ,  桑岛照弘 ,  小仓卓 ,  奥秋广幸 ,  清水繁明

IPC: H01L27/144 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体装置及其制造方法。为了改善半导体装置的性能，在p型半导体PR之上形成半导体层EP。在半导体层EP之上形成n型半导体层NR1。半导体层PR、半导体层EP和半导体层NR1分别配置光接收器的一部分。在半导体层EP之上形成与半导体层EP的材料不同的材料的盖层，并且在盖层内形成硅化物层，该硅化物层是金属与被包括在盖层中的材料的反应产物。穿过硅化物层在盖层之上形成具有阻挡金属膜BM1的插塞。这里，在半导体层NR1内未形成金属与被包括在半导体层NR1中的材料的反应产物。

公开(公告)号：CN105390546A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510518647.8

申请日：2015-08-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 满生彰 ,  中山知士 ,  清水繁明 ,  奥秋广幸

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/66492

Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。抑制了凹部附近的电场集中。栅极绝缘膜设置在其中具有漏极区和第一凹部的衬底上。第一凹部位于栅极绝缘膜和漏极区之间，并且被绝缘膜填充。绝缘膜在其接近栅极绝缘膜的一侧具有第二凹部。在漏极区接近栅极绝缘膜的一侧，由第一凹部的内侧面和衬底的表面限定的角被倒圆。