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公开(公告)号：CN105741866B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201610051798.1
申请日：2012-04-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C7/12 , H01L21/8234 , H01L27/02 , H01L27/108
CPC classification number: H01L29/42376 , G11C7/12 , G11C7/18 , H01L21/823437 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/10897 , H01L29/1095
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件，包括：一对互补信号线；第一晶体管，所述第一晶体管具有栅极、源极和漏极，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述一对互补信号线中的一条，以及第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极、源极和漏极，所述第二晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个，并且所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个耦合到所述一对互补信号线中的另一条，其中所述第一晶体管的栅极宽度的方向不同于所述第二晶体管的栅极宽度的方向。
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公开(公告)号：CN105741866A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610051798.1
申请日：2012-04-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C7/12 , H01L21/8234 , H01L27/02 , H01L27/108
CPC classification number: H01L29/42376 , G11C7/12 , G11C7/18 , H01L21/823437 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/10897 , H01L29/1095
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件，包括：一对互补信号线；第一晶体管，所述第一晶体管具有栅极、源极和漏极，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述一对互补信号线中的一条，以及第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极、源极和漏极，所述第二晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个，并且所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个耦合到所述一对互补信号线中的另一条，其中所述第一晶体管的栅极宽度的方向不同于所述第二晶体管的栅极宽度的方向。
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公开(公告)号：CN102737709B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210106969.8
申请日：2012-04-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C11/4091
CPC classification number: H01L29/42376 , G11C7/12 , G11C7/18 , H01L21/823437 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/10897 , H01L29/1095
Abstract: 公开了一种半导体集成电路器件。形成在同一扩散层中并且执行互补操作的晶体管相对于扩散层基本对称地布置。通过打破常规想法而提供了半导体集成电路器件，其使用能够部分地避免对于半导体集成电路器件的设计的限制并且减小尺寸和使制造成本更经济的布局。能够通过布置在同一扩散层中形成的两个晶体管并且通过有意地以非对称模式布置该两个晶体管来进行互补操作，从而能够进一步减小半导体集成电路器件的尺寸。
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公开(公告)号：CN102737709A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210106969.8
申请日：2012-04-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C11/4091
CPC classification number: H01L29/42376 , G11C7/12 , G11C7/18 , H01L21/823437 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/10897 , H01L29/1095
Abstract: 公开了一种半导体集成电路器件。形成在同一扩散层中并且执行互补操作的晶体管相对于扩散层基本对称地布置。通过打破常规想法而提供了半导体集成电路器件，其使用能够部分地避免对于半导体集成电路器件的设计的限制并且减小尺寸和使制造成本更经济的布局。能够通过布置在同一扩散层中形成的两个晶体管并且通过有意地以非对称模式布置该两个晶体管来进行互补操作，从而能够进一步减小半导体集成电路器件的尺寸。
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